Дослідження ширини забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe1–x

• Datum: 2018
• Hauptverfasser: Trubaieva, O. G., Chaika, M. A.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2018
• Schlagworte: ширина забороненої зони; змішані кристали ZnSxSe1–x; прямі переходи; непрямі переходи
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2018.5-6.44
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

Scintillators based on ZnSxSe1–x are promising materials for X-ray and γ-ray detection. For optoelectronic devices, it is better to use semiconductor compounds with a direct-zone energy structure with its spectral range lying in the fundamental absorption region. The band gap in such semico...