Зображення обкладинки

Дослідження ширини забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe1–x

Scintillators based on ZnSxSe1–x are promising materials for X-ray and γ-ray detection. For optoelectronic devices, it is better to use semiconductor compounds with a direct-zone energy structure with its spectral range lying in the fundamental absorption region. The band gap in such semico...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2018
Автори:	Trubaieva, O. G., Chaika, M. A.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2018
Теми:	ширина забороненої зони змішані кристали ZnSxSe1–x прямі переходи непрямі переходи
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2018.5-6.44
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Зміна забороненої зони ZnSxSe1–x об’ємних напівпровідників шляхом регулювання вмісту сірки
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)

Вплив вмісту сірки на сцинтиляційні властивості змішаних кристалів ZnSxSe1-x
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)

Змішані кристали ZnSxSe1–x як можливі матеріали для детекторів альфа та рентгенівського випромінювання
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)

Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe1–x
за авторством: Trubaeva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)

РОЗРОБКА ОПТИЧНОГО ДАТЧИКА ТЕМПЕРАТУРИ НА РІДКИХ КРИСТАЛАХ
за авторством: SKOSAR, V., та інші
Опубліковано: (2023)

Визначення енергії Урбаха Eu і оптичної ширини забороненої зони Eg субмікронних плівок фулеренів С60 і С70. Залежності Eu і Eg цих плівок від їх товщини в діапазоні 20–5000 нм
за авторством: Gorishnyi, M.P.
Опубліковано: (2025)

Вплив температури на оптичні властивості тонких плівок Cu2ZnSnSe4
за авторством: Maystruk, E. V., та інші
Опубліковано: (2018)

Mixed ZnSxSe₁-x crystals for digital radiography detectors
за авторством: Trubaieva, O.G., та інші
Опубліковано: (2018)

Scintillation materials based on solid solutions ZnSxSe1–x
за авторством: O. H. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)

Аналіз ширини гравійного обсипання гравійних фільтрів свердловин
за авторством: Кожевников, А. О., та інші
Опубліковано: (2018)

Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)

Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)

Низькотемпературні фазові переходи у сахарозовмісних розчинах деяких кріопротекторів
за авторством: Smolyaninova, Yevgeniya, та інші
Опубліковано: (2023)

Оптичні властивості катіон-заміщених змішаних кристалів (Cu1 – xAgx)7GeSe5I
за авторством: Pop, M.M., та інші
Опубліковано: (2021)

Mixed ZnSxSe1–x crystals as a possible material for alpha-particle and X-ray detectors
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)

Mixed ZnSxSe1–x crystals as a possible material for alpha-particle and X-ray detectors
за авторством: O. H. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)

ОСОБЛИВОСТІ ПЕРЕРОБКИ АЛЮМІНІЄВОГО ШЛАКУ СОДОВИМ МЕТОДОМ
за авторством: Dovbenko, V., та інші
Опубліковано: (2023)

Дослідження спектру оптичного поглинання та ширини забороненої зони високоорієнтованих тонких плівок дигідродибензотетраазаанулену
за авторством: Удовицький, В.Г.
Опубліковано: (2009)

Застосування методу вакуум-інфільтрації для кріоконсервування ізольованих бруньок винограду
за авторством: Prystalov, Anton, та інші
Опубліковано: (2021)

Зміна ширини забороненої зони та фотокаталітична активність титанокремнеземів, допованих CuO та NiO
за авторством: Nazarkovsky, M. A., та інші
Опубліковано: (2014)

Моделювання бінарних нанооксидів з твердих розчинів або змішаних фаз
за авторством: Gun’ko, V. M.
Опубліковано: (2025)

Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe₁₋x
за авторством: Трубаєва, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)

Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x
за авторством: Трубаева, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)

Luminescent properties of ZnSxSe₍₁₋x₎ mixed crystals obtained by solid-phase synthesis and melt-growing
за авторством: Galkin, S.M., та інші
Опубліковано: (2018)

Effect of sulfur on the scintillation properties of mixed ZnSxSe1–x crystals
за авторством: O. G. Trubaeva, та інші
Опубліковано: (2018)

Investigation of band gap width in mixed ZnSxSe1–x crystals
за авторством: O. G. Trubaeva, та інші
Опубліковано: (2018)

Непористі плівки діоксиду титану, модифікованого платиною: синтез, оптичні та фотокаталітичні характеристики
за авторством: Ihnatiuk, D. V., та інші
Опубліковано: (2017)

Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x
за авторством: Трубаева, O.Г., та інші
Опубліковано: (2018)

The peculiarities of the properties of ZnSxSe₁-x nanocrystals obtained by self-propagating high-temperature synthesis
за авторством: Kovalenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Вплив радiацiйного опромiнення на фiзичнi властивостi рiдин
за авторством: Gavryushenko, D. A., та інші
Опубліковано: (2019)

Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2007)

Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом
за авторством: Boledzyuk, V. B., та інші
Опубліковано: (2018)

Dipolе-центр у кристалах селеніду цинку
за авторством: Degoda, V.Ya., та інші
Опубліковано: (2022)

Контроль працездатності НВЧ-каналів приймання телеметричної інформації за непрямими параметрами
за авторством: Chmil, Vladyslav
Опубліковано: (2021)

Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1)
за авторством: Katerinchuk, V. N., та інші
Опубліковано: (2006)

Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3
за авторством: Galiy, P. V.
Опубліковано: (2014)

Характеристика наноструктурованих включень In6Se7 у шаруватих кристалах α-In2Se3 аналітичними методами рентгенівської дифрактометрії
за авторством: Drapak, S.I., та інші
Опубліковано: (2022)

Тенденції розвитку інвестиційного ринку України в умовах економічної нестабільності
за авторством: Stepanova, Daria, та інші
Опубліковано: (2018)

Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2005)

Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел–InSe–окисел"
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2005)