Нетяга В. В., Водоп’янов В. М., Іванов В. І., Ткачук І. Г., Ковалюк З. Д.
The n-InSe<RbNO3> nanocomposite material was obtained by the method of intercalation of the InSe layered single crystal from a melt of RbNO3 ferroelectric salt, which can be used for the production of a high-specific capacitance photoconductor. X-ray analysis of the structure,...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2018.2.03 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| id |
oai:tkea.com.ua:article-159 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| institution |
Technology and design in electronic equipment |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2025-05-30T19:27:47Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian |
| topic |
фотоконденсатор інтеркаляція напівпровідник А3В6 сегнетоелектрик нанокомпозит |
| spellingShingle |
фотоконденсатор інтеркаляція напівпровідник А3В6 сегнетоелектрик нанокомпозит Netyaga, V. V. Vodop’yanov, V. N. Ivanov, V. I. Tkachyuk, I. G. Kovalyuk, Z. D. Нетяга В. В., Водоп’янов В. М., Іванов В. І., Ткачук І. Г., Ковалюк З. Д. |
| topic_facet |
photocapacitor intercalation III-VI semiconductor ferroelectric nanocomposite фотоконденсатор інтеркаляція напівпровідник А3В6 сегнетоелектрик нанокомпозит |
| format |
Article |
| author |
Netyaga, V. V. Vodop’yanov, V. N. Ivanov, V. I. Tkachyuk, I. G. Kovalyuk, Z. D. |
| author_facet |
Netyaga, V. V. Vodop’yanov, V. N. Ivanov, V. I. Tkachyuk, I. G. Kovalyuk, Z. D. |
| author_sort |
Netyaga, V. V. |
| title |
Нетяга В. В., Водоп’янов В. М., Іванов В. І., Ткачук І. Г., Ковалюк З. Д. |
| title_short |
Нетяга В. В., Водоп’янов В. М., Іванов В. І., Ткачук І. Г., Ковалюк З. Д. |
| title_full |
Нетяга В. В., Водоп’янов В. М., Іванов В. І., Ткачук І. Г., Ковалюк З. Д. |
| title_fullStr |
Нетяга В. В., Водоп’янов В. М., Іванов В. І., Ткачук І. Г., Ковалюк З. Д. |
| title_full_unstemmed |
Нетяга В. В., Водоп’янов В. М., Іванов В. І., Ткачук І. Г., Ковалюк З. Д. |
| title_sort |
нетяга в. в., водоп’янов в. м., іванов в. і., ткачук і. г., ковалюк з. д. |
| title_alt |
Photocapacitor based on nanocomposite n-InSe |
| description |
The n-InSe<RbNO3> nanocomposite material was obtained by the method of intercalation of the InSe layered single crystal from a melt of RbNO3 ferroelectric salt, which can be used for the production of a high-specific capacitance photoconductor. X-ray analysis of the structure, AFM-imaging of the surface and measurement of dielectric frequency characteristics of the samples were carried out. It was found that the intercalated InSe<RbNO3> samples keeps the type of monocrystalline structure, and the spectrum of X-ray diffraction pattern indicates the implantation of the intercalant in the van der Waals gaps of layered InSe single crystal with an increase in the parameters of the crystal lattice.AFM images of the surface of nanocomposite material layers show the RbNO3 islands in the form of nanosized rings. The islands' height does not exceed the width of van der Waals gap for InSe, which is ≈ 0,35 nm, and the average outside diameter of the rings is ≈ 50 nm. The ensemble of nanorings is characterized by a high surface density in (0001) plane of the crystal layers (109—1010 cm–2). Thus, the physical phenomena of self-organization of nanostructures with ionic conductivity on the surfaces of layers with a molecular type of bond are used in the making of nanocomposite material for the proposed photoconductor. This allows us to obtain arrays of nanosized 2D inclusions with ionic conductivity and with given geometrical sizes, morphology and spatial distribution in a matrix of a layered crystal.The developed photoconductor has a high specific electrical capacity, a high coefficient of overlapping of the capacity (≈ 109) in the light, has the ability to accumulate electric charge, it can be used as a low-voltage semiconductor device in optoelectronic memory systems, in photoelectric sensors, in light energy converter and in the storage of electric energy. |
| publisher |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| publishDate |
2018 |
| url |
https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2018.2.03 |
| work_keys_str_mv |
AT netyagavv photocapacitorbasedonnanocompositeninse AT vodopyanovvn photocapacitorbasedonnanocompositeninse AT ivanovvi photocapacitorbasedonnanocompositeninse AT tkachyukig photocapacitorbasedonnanocompositeninse AT kovalyukzd photocapacitorbasedonnanocompositeninse AT netyagavv netâgavvvodopânovvmívanovvítkačukígkovalûkzd AT vodopyanovvn netâgavvvodopânovvmívanovvítkačukígkovalûkzd AT ivanovvi netâgavvvodopânovvmívanovvítkačukígkovalûkzd AT tkachyukig netâgavvvodopânovvmívanovvítkačukígkovalûkzd AT kovalyukzd netâgavvvodopânovvmívanovvítkačukígkovalûkzd |
| first_indexed |
2025-09-24T17:30:28Z |
| last_indexed |
2025-09-24T17:30:28Z |
| _version_ |
1850410216825290752 |
| spelling |
oai:tkea.com.ua:article-1592025-05-30T19:27:47Z Photocapacitor based on nanocomposite n-InSe Нетяга В. В., Водоп’янов В. М., Іванов В. І., Ткачук І. Г., Ковалюк З. Д. Netyaga, V. V. Vodop’yanov, V. N. Ivanov, V. I. Tkachyuk, I. G. Kovalyuk, Z. D. photocapacitor intercalation III-VI semiconductor ferroelectric nanocomposite фотоконденсатор інтеркаляція напівпровідник А3В6 сегнетоелектрик нанокомпозит The n-InSe<RbNO3> nanocomposite material was obtained by the method of intercalation of the InSe layered single crystal from a melt of RbNO3 ferroelectric salt, which can be used for the production of a high-specific capacitance photoconductor. X-ray analysis of the structure, AFM-imaging of the surface and measurement of dielectric frequency characteristics of the samples were carried out. It was found that the intercalated InSe<RbNO3> samples keeps the type of monocrystalline structure, and the spectrum of X-ray diffraction pattern indicates the implantation of the intercalant in the van der Waals gaps of layered InSe single crystal with an increase in the parameters of the crystal lattice.AFM images of the surface of nanocomposite material layers show the RbNO3 islands in the form of nanosized rings. The islands' height does not exceed the width of van der Waals gap for InSe, which is ≈ 0,35 nm, and the average outside diameter of the rings is ≈ 50 nm. The ensemble of nanorings is characterized by a high surface density in (0001) plane of the crystal layers (109—1010 cm–2). Thus, the physical phenomena of self-organization of nanostructures with ionic conductivity on the surfaces of layers with a molecular type of bond are used in the making of nanocomposite material for the proposed photoconductor. This allows us to obtain arrays of nanosized 2D inclusions with ionic conductivity and with given geometrical sizes, morphology and spatial distribution in a matrix of a layered crystal.The developed photoconductor has a high specific electrical capacity, a high coefficient of overlapping of the capacity (≈ 109) in the light, has the ability to accumulate electric charge, it can be used as a low-voltage semiconductor device in optoelectronic memory systems, in photoelectric sensors, in light energy converter and in the storage of electric energy. Методом інтеркаляції іонів сегнетоелектричної солі RbNO3 із її розплаву у шаруватий монокристал InSe отримано нанокомпозитний матеріал n-InSe<RbNO3>, який може бути використаний для виготовлення фотоконденсатора з високою питомою ємністю. Проведено рентгенівський аналіз структури, отримано АСМ-зображення поверхні шарів, виміряно діелектричні частотні характеристики зразків.Встановлено, що інтеркальовані зразки InSe<RbNO3> зберігають монокристалічну структуру, а спектр рентгенівської дифрактограми свідчить про входження інтеркалянта в ван-дер-ваальсові щілини шаруватого монокристала InSe зі збільшенням параметрів кристалічної решітки. На АСМ-зображеннях поверхні шарів нанокомпозитного матеріалу спостерігаються острівці RbNO3 у вигляді нанорозмірних кілець. Висота острівців не перевищує ширини ван-дер-ваальсової щілини для InSe, яка становить ≈ 0,35 нм, а середній зовнішній діаметр кілець близько 50 нм.Ансамбль нанокілець в площині (0001) шарів кристала характеризується високою поверхневою щільністю (109—1010 см–2). Таким чином, при виготовленні нанокомпозитного матеріалу для запропонованого фотоконденсатора використовуються фізичні явища самоорганізації наноструктур з іонною провідністю на поверхнях шарів з молекулярним типом зв'язку. Це дозволяє отримувати масиви нанорозмірних 2D-включень з іонною провідністю і з заданими геометричними розмірами, морфологією і просторовим розподілом в матриці шаруватого кристала.Розроблений фотоконденсатор має високу питому електричну ємність, високий (близько 109) коефіцієнт перекриття по ємності при освітленні (відношення значень ємності структури, отриманих за освітлення та у темноті), здатний накопичувати електричний заряд, він може бути використаний як низьковольтний напівпровідниковий пристрій в оптоелектронних системах пам'яті, у фотоелектричних сенсорах, в перетворювачах світлової енергії та в накопичувачах електричної енергії. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2018-04-18 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2018.2.03 10.15222/TKEA2018.2.03 Technology and design in electronic equipment; No. 2 (2018): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 3-8 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 2 (2018): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 3-8 3083-6549 3083-6530 10.15222/TKEA2018.2 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2018.2.03/144 Copyright (c) 2018 photocapacitor, intercalation, III-VI semiconductor, ferroelectric, nanocomposite http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |