СВІС для мікроелектронного координатно-чутливого детектора нового покоління з розширеним полем аналізу для мас-спектрометрії
The authors have developed a custom VLSI chip for the new generation of MCSD devices - multichip detectors with an extended analysis field and higher technical characteristics, which can be used in elemental analysis devices to simultaneously determine the elements that make up the material with hig...
Gespeichert in:
| Datum: | 2018 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2018
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2018.1.13 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| id |
oai:tkea.com.ua:article-168 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
oai:tkea.com.ua:article-1682025-05-30T19:28:07Z VLSI for a new generation of microelectronic coordinate-sensitive etectors with an extended field of analysis for use in mass spectrometry СВІС для мікроелектронного координатно-чутливого детектора нового покоління з розширеним полем аналізу для мас-спектрометрії Sidorenko, V. P. Radkevich, O. I. Prokofiev, Yu. V. Tayakin, Yu. V. Virozub, T. M. custom VLSI microelectronic coordinate-sensitive detector mass spectrometry CMOS process speed of the microcircuit СВІС мікроелектронний координатно-чутливий детектор мас-спектрометрія КМОН-технологія швидкодія мікросхеми The authors have developed a custom VLSI chip for the new generation of MCSD devices - multichip detectors with an extended analysis field and higher technical characteristics, which can be used in elemental analysis devices to simultaneously determine the elements that make up the material with high sensitivity and accuracy in real time. VLSI chip contains 384 channels with a spatial resolution of 25 microns has been integrated onto a single chip, each channel has a metal anode to collect the electrons as they emerge from the microchannel plate electron multiplier (MCP); a charge sensitive amplifier to produce a digital signal in response to the electron pulse and a 16-bit counter associated with it to accumulate the counts as they arrive and circuitry to read out the data sequentially from all channels in the microcircuit. The VLSI chip is designed according to the design rules standard 1,0 μm CMOS process. The speed of the microcircuit in the counting mode is at least 15 MHz, in the mode of reading information from the counters - more than 10 MHz. The output from the 16-bit counters on the detectors is presented via an 8-bit port and is read into the control electronics sequentially from each counter in turn in low-byte, high-byte order. The circuit has been designed in such a way that an arbitrary number of detector chips may be abutted together on a substrate behind the MCP, allowing for long focal plane detectors to be built, limited only by the size of MCPs available. Розроблено спеціалізовану СВІС для мікроелектронних координатно-чутливих детекторів нового покоління - багатокристальних детекторів з розширеним полем аналізу, що можуть використовуватися в мас-спектрометрах і забезпечувати одночасне визначення елементів, які входять до складу речовини, з високою чутливістю і точністю. СВІС спроєктовано на основі сучасної КМОН-технології з проєктними нормами 1,0 мкм, що дозволило отримати частоту підрахунку імпульсів понад 15 МГц, швидкодію в режимі зчитування 10 МГц, розрядність лічильників 16. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2018-02-27 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2018.1.13 10.15222/TKEA2018.1.13 Technology and design in electronic equipment; No. 1 (2018): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 13-20 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 1 (2018): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 13-20 3083-6549 3083-6530 10.15222/TKEA2018.1 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2018.1.13/152 Copyright (c) 2018 Sidorenko V. P., Radkevich O. I., Prokofiev Yu. V., Tayakin Yu. V., Virozub T. M. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| institution |
Technology and design in electronic equipment |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2025-05-30T19:28:07Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian |
| topic |
СВІС мікроелектронний координатно-чутливий детектор мас-спектрометрія КМОН-технологія швидкодія мікросхеми |
| spellingShingle |
СВІС мікроелектронний координатно-чутливий детектор мас-спектрометрія КМОН-технологія швидкодія мікросхеми Sidorenko, V. P. Radkevich, O. I. Prokofiev, Yu. V. Tayakin, Yu. V. Virozub, T. M. СВІС для мікроелектронного координатно-чутливого детектора нового покоління з розширеним полем аналізу для мас-спектрометрії |
| topic_facet |
custom VLSI microelectronic coordinate-sensitive detector mass spectrometry CMOS process speed of the microcircuit СВІС мікроелектронний координатно-чутливий детектор мас-спектрометрія КМОН-технологія швидкодія мікросхеми |
| format |
Article |
| author |
Sidorenko, V. P. Radkevich, O. I. Prokofiev, Yu. V. Tayakin, Yu. V. Virozub, T. M. |
| author_facet |
Sidorenko, V. P. Radkevich, O. I. Prokofiev, Yu. V. Tayakin, Yu. V. Virozub, T. M. |
| author_sort |
Sidorenko, V. P. |
| title |
СВІС для мікроелектронного координатно-чутливого детектора нового покоління з розширеним полем аналізу для мас-спектрометрії |
| title_short |
СВІС для мікроелектронного координатно-чутливого детектора нового покоління з розширеним полем аналізу для мас-спектрометрії |
| title_full |
СВІС для мікроелектронного координатно-чутливого детектора нового покоління з розширеним полем аналізу для мас-спектрометрії |
| title_fullStr |
СВІС для мікроелектронного координатно-чутливого детектора нового покоління з розширеним полем аналізу для мас-спектрометрії |
| title_full_unstemmed |
СВІС для мікроелектронного координатно-чутливого детектора нового покоління з розширеним полем аналізу для мас-спектрометрії |
| title_sort |
свіс для мікроелектронного координатно-чутливого детектора нового покоління з розширеним полем аналізу для мас-спектрометрії |
| title_alt |
VLSI for a new generation of microelectronic coordinate-sensitive etectors with an extended field of analysis for use in mass spectrometry |
| description |
The authors have developed a custom VLSI chip for the new generation of MCSD devices - multichip detectors with an extended analysis field and higher technical characteristics, which can be used in elemental analysis devices to simultaneously determine the elements that make up the material with high sensitivity and accuracy in real time.
VLSI chip contains 384 channels with a spatial resolution of 25 microns has been integrated onto a single chip, each channel has a metal anode to collect the electrons as they emerge from the microchannel plate electron multiplier (MCP); a charge sensitive amplifier to produce a digital signal in response to the electron pulse and a 16-bit counter associated with it to accumulate the counts as they arrive and circuitry to read out the data sequentially from all channels in the microcircuit. The VLSI chip is designed according to the design rules standard 1,0 μm CMOS process. The speed of the microcircuit in the counting mode is at least 15 MHz, in the mode of reading information from the counters - more than 10 MHz.
The output from the 16-bit counters on the detectors is presented via an 8-bit port and is read into the control electronics sequentially from each counter in turn in low-byte, high-byte order.
The circuit has been designed in such a way that an arbitrary number of detector chips may be abutted together on a substrate behind the MCP, allowing for long focal plane detectors to be built, limited only by the size of MCPs available. |
| publisher |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| publishDate |
2018 |
| url |
https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2018.1.13 |
| work_keys_str_mv |
AT sidorenkovp vlsiforanewgenerationofmicroelectroniccoordinatesensitiveetectorswithanextendedfieldofanalysisforuseinmassspectrometry AT radkevichoi vlsiforanewgenerationofmicroelectroniccoordinatesensitiveetectorswithanextendedfieldofanalysisforuseinmassspectrometry AT prokofievyuv vlsiforanewgenerationofmicroelectroniccoordinatesensitiveetectorswithanextendedfieldofanalysisforuseinmassspectrometry AT tayakinyuv vlsiforanewgenerationofmicroelectroniccoordinatesensitiveetectorswithanextendedfieldofanalysisforuseinmassspectrometry AT virozubtm vlsiforanewgenerationofmicroelectroniccoordinatesensitiveetectorswithanextendedfieldofanalysisforuseinmassspectrometry AT sidorenkovp svísdlâmíkroelektronnogokoordinatnočutlivogodetektoranovogopokolínnâzrozširenimpolemanalízudlâmasspektrometríí AT radkevichoi svísdlâmíkroelektronnogokoordinatnočutlivogodetektoranovogopokolínnâzrozširenimpolemanalízudlâmasspektrometríí AT prokofievyuv svísdlâmíkroelektronnogokoordinatnočutlivogodetektoranovogopokolínnâzrozširenimpolemanalízudlâmasspektrometríí AT tayakinyuv svísdlâmíkroelektronnogokoordinatnočutlivogodetektoranovogopokolínnâzrozširenimpolemanalízudlâmasspektrometríí AT virozubtm svísdlâmíkroelektronnogokoordinatnočutlivogodetektoranovogopokolínnâzrozširenimpolemanalízudlâmasspektrometríí |
| first_indexed |
2025-09-24T17:30:29Z |
| last_indexed |
2025-09-24T17:30:29Z |
| _version_ |
1850410218233528320 |