Особливості конструкції та технології складання мікроелектронних координатно-чутливих детекторів

The design features and assembly technology of microelectronic coordinate-sensitive detectors of charged particles for spectroscopy are considered. The device is based on the specialized very-large-scale integration (VLSI) crystal manufactured using CMOS technology and containing a charge-sensitive...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2018
Автори: Sidorenko, V. P., Zhora, V. D., Radkevich, O. I., Grunyanska, V. P., Prokofiev, Yu. V., Tayakin, Yu. V., Virozub, Т. М.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2018
Теми:
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2018.1.21
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-169
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-1692025-05-30T19:28:07Z Assembly technology and design features of microelectronic coordinate-sensitive detectors Особливості конструкції та технології складання мікроелектронних координатно-чутливих детекторів Sidorenko, V. P. Zhora, V. D. Radkevich, O. I. Grunyanska, V. P. Prokofiev, Yu. V. Tayakin, Yu. V. Virozub, Т. М. microelectronic coordinate-sensitive detector specialized VLSI flexible polyimide carrier ultrasonic welding мікроелектронний координатно-чутливий детектор спеціалізована СБІС гнучкий поліімідний носій ультразвукове зварювання The design features and assembly technology of microelectronic coordinate-sensitive detectors of charged particles for spectroscopy are considered. The device is based on the specialized very-large-scale integration (VLSI) crystal manufactured using CMOS technology and containing a charge-sensitive matrix designed to detect isotope ions in a wide mass spectrum of the test substance. The range of concentrations measured by devices is also wide and ranges from 10–7 to 100%. The VLSI crystal is placed on a multilayer ceramic basis. The devices also contain a Hamamatsu micro-channel plate (MCP), electrodes that supply high voltage to integrated circuits (2.0 kV), a non-magnetic metal shield for protecting the device components, a connector and other structural elements. VLSI crystals are installed using the method of laying the microcircuits on a flexible aluminum — polyimide media. Such mounting method has a number of advantages over others. The VLSI crystals with project standards of 1 μm are designed for the possibility to create new generation of detectors, which can include either one or several crystals. The prototype version has been developed, and it allows placing a bar of five ceramic-based crystals with a minimum gap of 100 μm between them. This design provides high reliability of products due to the usage of multilayer ceramic boards and due to progressive assembly methods used in the manufacturing of special-purpose microelectronic equipment, including the equipment resistant to special external factors. Розглянуто особливості конструкції та технології складання мікроелектронних координатно-чутливих детекторів заряджених частинок для спектроскопії з використанням гнучких носіїв типу «алюміній — поліімід». Ця конструкція, основою якої є спеціалізована СBІС, забезпечує високу надійність виробів завдяки застосуванню багатошарових керамічних основ та ультразвукового зварювання, які використовуються під час виготовлення мікроелектронної апаратури спеціального призначення, зокрема стійкої до впливу спеціальних зовнішніх чинників, що впливають на неї. Показано переваги обраної технології порівняно з іншими методами. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2018-02-27 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2018.1.21 10.15222/TKEA2018.1.21 Technology and design in electronic equipment; No. 1 (2018): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 21-27 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 1 (2018): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 21-27 3083-6549 3083-6530 10.15222/TKEA2018.1 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2018.1.21/153 Copyright (c) 2018 Sidorenko V. P., Zhora V. D., Radkevich O. I., Grunyanska V. P., Prokofiev Yu. V., Tayakin Yu. V., Virozub T. M. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-05-30T19:28:07Z
collection OJS
language Ukrainian
topic мікроелектронний координатно-чутливий детектор
спеціалізована СБІС
гнучкий поліімідний носій
ультразвукове зварювання
spellingShingle мікроелектронний координатно-чутливий детектор
спеціалізована СБІС
гнучкий поліімідний носій
ультразвукове зварювання
Sidorenko, V. P.
Zhora, V. D.
Radkevich, O. I.
Grunyanska, V. P.
Prokofiev, Yu. V.
Tayakin, Yu. V.
Virozub, Т. М.
Особливості конструкції та технології складання мікроелектронних координатно-чутливих детекторів
topic_facet microelectronic coordinate-sensitive detector
specialized VLSI
flexible polyimide carrier
ultrasonic welding
мікроелектронний координатно-чутливий детектор
спеціалізована СБІС
гнучкий поліімідний носій
ультразвукове зварювання
format Article
author Sidorenko, V. P.
Zhora, V. D.
Radkevich, O. I.
Grunyanska, V. P.
Prokofiev, Yu. V.
Tayakin, Yu. V.
Virozub, Т. М.
author_facet Sidorenko, V. P.
Zhora, V. D.
Radkevich, O. I.
Grunyanska, V. P.
Prokofiev, Yu. V.
Tayakin, Yu. V.
Virozub, Т. М.
author_sort Sidorenko, V. P.
title Особливості конструкції та технології складання мікроелектронних координатно-чутливих детекторів
title_short Особливості конструкції та технології складання мікроелектронних координатно-чутливих детекторів
title_full Особливості конструкції та технології складання мікроелектронних координатно-чутливих детекторів
title_fullStr Особливості конструкції та технології складання мікроелектронних координатно-чутливих детекторів
title_full_unstemmed Особливості конструкції та технології складання мікроелектронних координатно-чутливих детекторів
title_sort особливості конструкції та технології складання мікроелектронних координатно-чутливих детекторів
title_alt Assembly technology and design features of microelectronic coordinate-sensitive detectors
description The design features and assembly technology of microelectronic coordinate-sensitive detectors of charged particles for spectroscopy are considered. The device is based on the specialized very-large-scale integration (VLSI) crystal manufactured using CMOS technology and containing a charge-sensitive matrix designed to detect isotope ions in a wide mass spectrum of the test substance. The range of concentrations measured by devices is also wide and ranges from 10–7 to 100%. The VLSI crystal is placed on a multilayer ceramic basis. The devices also contain a Hamamatsu micro-channel plate (MCP), electrodes that supply high voltage to integrated circuits (2.0 kV), a non-magnetic metal shield for protecting the device components, a connector and other structural elements. VLSI crystals are installed using the method of laying the microcircuits on a flexible aluminum — polyimide media. Such mounting method has a number of advantages over others. The VLSI crystals with project standards of 1 μm are designed for the possibility to create new generation of detectors, which can include either one or several crystals. The prototype version has been developed, and it allows placing a bar of five ceramic-based crystals with a minimum gap of 100 μm between them. This design provides high reliability of products due to the usage of multilayer ceramic boards and due to progressive assembly methods used in the manufacturing of special-purpose microelectronic equipment, including the equipment resistant to special external factors.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2018
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2018.1.21
work_keys_str_mv AT sidorenkovp assemblytechnologyanddesignfeaturesofmicroelectroniccoordinatesensitivedetectors
AT zhoravd assemblytechnologyanddesignfeaturesofmicroelectroniccoordinatesensitivedetectors
AT radkevichoi assemblytechnologyanddesignfeaturesofmicroelectroniccoordinatesensitivedetectors
AT grunyanskavp assemblytechnologyanddesignfeaturesofmicroelectroniccoordinatesensitivedetectors
AT prokofievyuv assemblytechnologyanddesignfeaturesofmicroelectroniccoordinatesensitivedetectors
AT tayakinyuv assemblytechnologyanddesignfeaturesofmicroelectroniccoordinatesensitivedetectors
AT virozubtm assemblytechnologyanddesignfeaturesofmicroelectroniccoordinatesensitivedetectors
AT sidorenkovp osoblivostíkonstrukcíítatehnologíískladannâmíkroelektronnihkoordinatnočutlivihdetektorív
AT zhoravd osoblivostíkonstrukcíítatehnologíískladannâmíkroelektronnihkoordinatnočutlivihdetektorív
AT radkevichoi osoblivostíkonstrukcíítatehnologíískladannâmíkroelektronnihkoordinatnočutlivihdetektorív
AT grunyanskavp osoblivostíkonstrukcíítatehnologíískladannâmíkroelektronnihkoordinatnočutlivihdetektorív
AT prokofievyuv osoblivostíkonstrukcíítatehnologíískladannâmíkroelektronnihkoordinatnočutlivihdetektorív
AT tayakinyuv osoblivostíkonstrukcíítatehnologíískladannâmíkroelektronnihkoordinatnočutlivihdetektorív
AT virozubtm osoblivostíkonstrukcíítatehnologíískladannâmíkroelektronnihkoordinatnočutlivihdetektorív
first_indexed 2025-09-24T17:30:29Z
last_indexed 2025-09-24T17:30:29Z
_version_ 1850410218360406016