Особливості конструкції та технології складання мікроелектронних координатно-чутливих детекторів
The design features and assembly technology of microelectronic coordinate-sensitive detectors of charged particles for spectroscopy are considered. The device is based on the specialized very-large-scale integration (VLSI) crystal manufactured using CMOS technology and containing a charge-sensitive...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2018.1.21 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| id |
oai:tkea.com.ua:article-169 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
oai:tkea.com.ua:article-1692025-05-30T19:28:07Z Assembly technology and design features of microelectronic coordinate-sensitive detectors Особливості конструкції та технології складання мікроелектронних координатно-чутливих детекторів Sidorenko, V. P. Zhora, V. D. Radkevich, O. I. Grunyanska, V. P. Prokofiev, Yu. V. Tayakin, Yu. V. Virozub, Т. М. microelectronic coordinate-sensitive detector specialized VLSI flexible polyimide carrier ultrasonic welding мікроелектронний координатно-чутливий детектор спеціалізована СБІС гнучкий поліімідний носій ультразвукове зварювання The design features and assembly technology of microelectronic coordinate-sensitive detectors of charged particles for spectroscopy are considered. The device is based on the specialized very-large-scale integration (VLSI) crystal manufactured using CMOS technology and containing a charge-sensitive matrix designed to detect isotope ions in a wide mass spectrum of the test substance. The range of concentrations measured by devices is also wide and ranges from 10–7 to 100%. The VLSI crystal is placed on a multilayer ceramic basis. The devices also contain a Hamamatsu micro-channel plate (MCP), electrodes that supply high voltage to integrated circuits (2.0 kV), a non-magnetic metal shield for protecting the device components, a connector and other structural elements. VLSI crystals are installed using the method of laying the microcircuits on a flexible aluminum — polyimide media. Such mounting method has a number of advantages over others. The VLSI crystals with project standards of 1 μm are designed for the possibility to create new generation of detectors, which can include either one or several crystals. The prototype version has been developed, and it allows placing a bar of five ceramic-based crystals with a minimum gap of 100 μm between them. This design provides high reliability of products due to the usage of multilayer ceramic boards and due to progressive assembly methods used in the manufacturing of special-purpose microelectronic equipment, including the equipment resistant to special external factors. Розглянуто особливості конструкції та технології складання мікроелектронних координатно-чутливих детекторів заряджених частинок для спектроскопії з використанням гнучких носіїв типу «алюміній — поліімід». Ця конструкція, основою якої є спеціалізована СBІС, забезпечує високу надійність виробів завдяки застосуванню багатошарових керамічних основ та ультразвукового зварювання, які використовуються під час виготовлення мікроелектронної апаратури спеціального призначення, зокрема стійкої до впливу спеціальних зовнішніх чинників, що впливають на неї. Показано переваги обраної технології порівняно з іншими методами. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2018-02-27 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2018.1.21 10.15222/TKEA2018.1.21 Technology and design in electronic equipment; No. 1 (2018): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 21-27 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 1 (2018): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 21-27 3083-6549 3083-6530 10.15222/TKEA2018.1 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2018.1.21/153 Copyright (c) 2018 Sidorenko V. P., Zhora V. D., Radkevich O. I., Grunyanska V. P., Prokofiev Yu. V., Tayakin Yu. V., Virozub T. M. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| institution |
Technology and design in electronic equipment |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2025-05-30T19:28:07Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian |
| topic |
мікроелектронний координатно-чутливий детектор спеціалізована СБІС гнучкий поліімідний носій ультразвукове зварювання |
| spellingShingle |
мікроелектронний координатно-чутливий детектор спеціалізована СБІС гнучкий поліімідний носій ультразвукове зварювання Sidorenko, V. P. Zhora, V. D. Radkevich, O. I. Grunyanska, V. P. Prokofiev, Yu. V. Tayakin, Yu. V. Virozub, Т. М. Особливості конструкції та технології складання мікроелектронних координатно-чутливих детекторів |
| topic_facet |
microelectronic coordinate-sensitive detector specialized VLSI flexible polyimide carrier ultrasonic welding мікроелектронний координатно-чутливий детектор спеціалізована СБІС гнучкий поліімідний носій ультразвукове зварювання |
| format |
Article |
| author |
Sidorenko, V. P. Zhora, V. D. Radkevich, O. I. Grunyanska, V. P. Prokofiev, Yu. V. Tayakin, Yu. V. Virozub, Т. М. |
| author_facet |
Sidorenko, V. P. Zhora, V. D. Radkevich, O. I. Grunyanska, V. P. Prokofiev, Yu. V. Tayakin, Yu. V. Virozub, Т. М. |
| author_sort |
Sidorenko, V. P. |
| title |
Особливості конструкції та технології складання мікроелектронних координатно-чутливих детекторів |
| title_short |
Особливості конструкції та технології складання мікроелектронних координатно-чутливих детекторів |
| title_full |
Особливості конструкції та технології складання мікроелектронних координатно-чутливих детекторів |
| title_fullStr |
Особливості конструкції та технології складання мікроелектронних координатно-чутливих детекторів |
| title_full_unstemmed |
Особливості конструкції та технології складання мікроелектронних координатно-чутливих детекторів |
| title_sort |
особливості конструкції та технології складання мікроелектронних координатно-чутливих детекторів |
| title_alt |
Assembly technology and design features of microelectronic coordinate-sensitive detectors |
| description |
The design features and assembly technology of microelectronic coordinate-sensitive detectors of charged particles for spectroscopy are considered. The device is based on the specialized very-large-scale integration (VLSI) crystal manufactured using CMOS technology and containing a charge-sensitive matrix designed to detect isotope ions in a wide mass spectrum of the test substance. The range of concentrations measured by devices is also wide and ranges from 10–7 to 100%. The VLSI crystal is placed on a multilayer ceramic basis. The devices also contain a Hamamatsu micro-channel plate (MCP), electrodes that supply high voltage to integrated circuits (2.0 kV), a non-magnetic metal shield for protecting the device components, a connector and other structural elements.
VLSI crystals are installed using the method of laying the microcircuits on a flexible aluminum — polyimide media. Such mounting method has a number of advantages over others. The VLSI crystals with project standards of 1 μm are designed for the possibility to create new generation of detectors, which can include either one or several crystals. The prototype version has been developed, and it allows placing a bar of five ceramic-based crystals with a minimum gap of 100 μm between them. This design provides high reliability of products due to the usage of multilayer ceramic boards and due to progressive assembly methods used in the manufacturing of special-purpose microelectronic equipment, including the equipment resistant to special external factors. |
| publisher |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| publishDate |
2018 |
| url |
https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2018.1.21 |
| work_keys_str_mv |
AT sidorenkovp assemblytechnologyanddesignfeaturesofmicroelectroniccoordinatesensitivedetectors AT zhoravd assemblytechnologyanddesignfeaturesofmicroelectroniccoordinatesensitivedetectors AT radkevichoi assemblytechnologyanddesignfeaturesofmicroelectroniccoordinatesensitivedetectors AT grunyanskavp assemblytechnologyanddesignfeaturesofmicroelectroniccoordinatesensitivedetectors AT prokofievyuv assemblytechnologyanddesignfeaturesofmicroelectroniccoordinatesensitivedetectors AT tayakinyuv assemblytechnologyanddesignfeaturesofmicroelectroniccoordinatesensitivedetectors AT virozubtm assemblytechnologyanddesignfeaturesofmicroelectroniccoordinatesensitivedetectors AT sidorenkovp osoblivostíkonstrukcíítatehnologíískladannâmíkroelektronnihkoordinatnočutlivihdetektorív AT zhoravd osoblivostíkonstrukcíítatehnologíískladannâmíkroelektronnihkoordinatnočutlivihdetektorív AT radkevichoi osoblivostíkonstrukcíítatehnologíískladannâmíkroelektronnihkoordinatnočutlivihdetektorív AT grunyanskavp osoblivostíkonstrukcíítatehnologíískladannâmíkroelektronnihkoordinatnočutlivihdetektorív AT prokofievyuv osoblivostíkonstrukcíítatehnologíískladannâmíkroelektronnihkoordinatnočutlivihdetektorív AT tayakinyuv osoblivostíkonstrukcíítatehnologíískladannâmíkroelektronnihkoordinatnočutlivihdetektorív AT virozubtm osoblivostíkonstrukcíítatehnologíískladannâmíkroelektronnihkoordinatnočutlivihdetektorív |
| first_indexed |
2025-09-24T17:30:29Z |
| last_indexed |
2025-09-24T17:30:29Z |
| _version_ |
1850410218360406016 |