Вплив вмісту сірки на сцинтиляційні властивості змішаних кристалів ZnSxSe1-x
ZnSxSe1–x based luminescent materials are promising for use as X-ray and γ-ray detectors. The main advantage of ZnSxSe1–x crystals is the possibility of making of solid solutions over an entire X-range. It was found that varying the composition of ZnSxSe1–x crystals can ch...
Saved in:
| Date: | 2018 |
|---|---|
| Main Authors: | Trubaieva, O. G., Chaika, M. A., Zelenskaya, O. V., Lalayants, A. I., Galkin, S. М. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2018
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2018.1.36 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentSimilar Items
Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe1–x
by: Trubaeva, O. G., et al.
Published: (2018)
by: Trubaeva, O. G., et al.
Published: (2018)
Дослідження ширини забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe1–x
by: Trubaieva, O. G., et al.
Published: (2018)
by: Trubaieva, O. G., et al.
Published: (2018)
Змішані кристали ZnSxSe1–x як можливі матеріали для детекторів альфа та рентгенівського випромінювання
by: Trubaieva, O. G., et al.
Published: (2018)
by: Trubaieva, O. G., et al.
Published: (2018)
Зміна забороненої зони ZnSxSe1–x об’ємних напівпровідників шляхом регулювання вмісту сірки
by: Trubaieva, O. G., et al.
Published: (2018)
by: Trubaieva, O. G., et al.
Published: (2018)
Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe₁₋x
by: Трубаєва, О.Г., et al.
Published: (2018)
by: Трубаєва, О.Г., et al.
Published: (2018)
РОЗРОБКА ТА ВИГОТОВЛЕННЯ ДЕТЕКТОРІВ ТИПУ СЦИНТИЛЯТОР-ФЕП НА ОСНОВІ ZnSe(Al) ТА ПЛАСТМАСОВОГО СЦИНТИЛЯТОРУ UPS-923A ДЛЯ ПРИЛАДІВ РЕЄСТРАЦІЇ α-, β- ТА ЗМІШАНИХ α-β-ВИПРОМІНЕНЬ
by: BOYARINTSEV, A., et al.
Published: (2023)
by: BOYARINTSEV, A., et al.
Published: (2023)
Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
by: O. G. Trubaieva, et al.
Published: (2018)
by: O. G. Trubaieva, et al.
Published: (2018)
Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
by: O. G. Trubaieva, et al.
Published: (2018)
by: O. G. Trubaieva, et al.
Published: (2018)
Mixed ZnSxSe₁-x crystals for digital radiography detectors
by: Trubaieva, O.G., et al.
Published: (2018)
by: Trubaieva, O.G., et al.
Published: (2018)
Mixed ZnSxSe1–x crystals as a possible material for alpha-particle and X-ray detectors
by: O. G. Trubaieva, et al.
Published: (2018)
by: O. G. Trubaieva, et al.
Published: (2018)
Scintillation materials based on solid solutions ZnSxSe1–x
by: O. H. Trubaieva, et al.
Published: (2018)
by: O. H. Trubaieva, et al.
Published: (2018)
Luminescent properties of ZnSxSe₍₁₋x₎ mixed crystals obtained by solid-phase synthesis and melt-growing
by: Galkin, S.M., et al.
Published: (2018)
by: Galkin, S.M., et al.
Published: (2018)
Mixed ZnSxSe1–x crystals as a possible material for alpha-particle and X-ray detectors
by: O. H. Trubaieva, et al.
Published: (2018)
by: O. H. Trubaieva, et al.
Published: (2018)
Effect of sulfur on the scintillation properties of mixed ZnSxSe1–x crystals
by: O. G. Trubaeva, et al.
Published: (2018)
by: O. G. Trubaeva, et al.
Published: (2018)
Термостабильные интерференционные оксидные покрытия для активных элементов лазеров ИК-диапазона
by: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Published: (2010)
by: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Published: (2010)
Вплив покриваючого ліганду на величину щілини та енергетичні рівні екситонів колоїдних розчинів та плівок квантових точок ZnSe
by: Bondar, N. V., et al.
Published: (2019)
by: Bondar, N. V., et al.
Published: (2019)
Моделювання бінарних нанооксидів з твердих розчинів або змішаних фаз
by: Gun’ko, V. M.
Published: (2025)
by: Gun’ko, V. M.
Published: (2025)
Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x
by: Трубаева, О.Г., et al.
Published: (2018)
by: Трубаева, О.Г., et al.
Published: (2018)
Адсорбція тетрацикліну Zn–Al змішаними оксидами та шаруватими подвійними гідроксидами
by: Starukh, G. M.
Published: (2015)
by: Starukh, G. M.
Published: (2015)
Investigation of band gap width in mixed ZnSxSe1–x crystals
by: O. G. Trubaeva, et al.
Published: (2018)
by: O. G. Trubaeva, et al.
Published: (2018)
Стаціонарна спектроскопія та субнаносекундний резонансний перенос енергії екситонного збудження водних розчинів та плівок нанокристалів ZnSe
by: Bondar, N.V., et al.
Published: (2022)
by: Bondar, N.V., et al.
Published: (2022)
Дослідження кристалів Cu2ZnSnSe4 та гетеропереходів на їхній основі
by: Kovaliuk, T. T., et al.
Published: (2018)
by: Kovaliuk, T. T., et al.
Published: (2018)
Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x
by: Трубаева, O.Г., et al.
Published: (2018)
by: Трубаева, O.Г., et al.
Published: (2018)
The peculiarities of the properties of ZnSxSe₁-x nanocrystals obtained by self-propagating high-temperature synthesis
by: Kovalenko, A.V., et al.
Published: (2018)
by: Kovalenko, A.V., et al.
Published: (2018)
Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
by: Kovalyuk, Z. D., et al.
Published: (2007)
by: Kovalyuk, Z. D., et al.
Published: (2007)
Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом
by: Boledzyuk, V. B., et al.
Published: (2018)
by: Boledzyuk, V. B., et al.
Published: (2018)
Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
by: Kutniy, V. E., et al.
Published: (2005)
by: Kutniy, V. E., et al.
Published: (2005)
Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1)
by: Katerinchuk, V. N., et al.
Published: (2006)
by: Katerinchuk, V. N., et al.
Published: (2006)
Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3
by: Galiy, P. V.
Published: (2014)
by: Galiy, P. V.
Published: (2014)
Порівняльні оптичні та енергетичні характеристики екситонів у водних розчинах та твердих плівках квантових точок
by: Bondar, N.V., et al.
Published: (2025)
by: Bondar, N.V., et al.
Published: (2025)
Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
by: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Published: (2011)
by: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Published: (2011)
Оптичні властивості катіон-заміщених змішаних кристалів (Cu1 – xAgx)7GeSe5I
by: Pop, M.M., et al.
Published: (2021)
by: Pop, M.M., et al.
Published: (2021)
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
by: Kovalyuk, Z. D., et al.
Published: (2005)
by: Kovalyuk, Z. D., et al.
Published: (2005)
Dipolе-центр у кристалах селеніду цинку
by: Degoda, V.Ya., et al.
Published: (2022)
by: Degoda, V.Ya., et al.
Published: (2022)
Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля
by: Mokritsky, V. A., et al.
Published: (2005)
by: Mokritsky, V. A., et al.
Published: (2005)
Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел–InSe–окисел"
by: Kovalyuk, Z. D., et al.
Published: (2005)
by: Kovalyuk, Z. D., et al.
Published: (2005)
Властивості конгломератів ZnO-Zn, вирощених на неполірованій підкладці Si методом карботермічного відновлення при швидкому сонячному випаровуванні
by: Kovalskyi, Y.O., et al.
Published: (2026)
by: Kovalskyi, Y.O., et al.
Published: (2026)
Моделирование отклика CdZnTe- и TlBr-детекторов для регистрации смешанного бета- и гамма-излучения
by: Skrypnyk, A. I.
Published: (2015)
by: Skrypnyk, A. I.
Published: (2015)
Синтез, властивості та можливості застосування рентгенолюмінесцентного нанокристалічного фосфату лантану
by: Kusyak, A. P., et al.
Published: (2022)
by: Kusyak, A. P., et al.
Published: (2022)
To the question of oxidation on the surface of oxides: temperature- programmed oxidation of cyclohexanol
by: Brei, Volodymyr V., et al.
Published: (2022)
by: Brei, Volodymyr V., et al.
Published: (2022)
Similar Items
-
Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe1–x
by: Trubaeva, O. G., et al.
Published: (2018) -
Дослідження ширини забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe1–x
by: Trubaieva, O. G., et al.
Published: (2018) -
Змішані кристали ZnSxSe1–x як можливі матеріали для детекторів альфа та рентгенівського випромінювання
by: Trubaieva, O. G., et al.
Published: (2018) -
Зміна забороненої зони ZnSxSe1–x об’ємних напівпровідників шляхом регулювання вмісту сірки
by: Trubaieva, O. G., et al.
Published: (2018) -
Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe₁₋x
by: Трубаєва, О.Г., et al.
Published: (2018)