Buchumschlag

Вплив вмісту сірки на сцинтиляційні властивості змішаних кристалів ZnSxSe1-x

ZnSxSe1–x based luminescent materials are promising for use as X-ray and γ-ray detectors. The main advantage of ZnSxSe1–x crystals is the possibility of making of solid solutions over an entire X-range. It was found that varying the composition of ZnSxSe1–x crystals can ch...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2018
Hauptverfasser:	Trubaieva, O. G., Chaika, M. A., Zelenskaya, O. V., Lalayants, A. I., Galkin, S. М.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2018
Schlagworte:	змішані кристали ZnSxSe1-x детектор випромінювання сцинтилятор рентгенолюмінесценція
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2018.1.36
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe1–x
von: Trubaeva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Дослідження ширини забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe1–x
von: Trubaieva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Змішані кристали ZnSxSe1–x як можливі матеріали для детекторів альфа та рентгенівського випромінювання
von: Trubaieva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Зміна забороненої зони ZnSxSe1–x об’ємних напівпровідників шляхом регулювання вмісту сірки
von: Trubaieva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe₁₋x
von: Трубаєва, О.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)

РОЗРОБКА ТА ВИГОТОВЛЕННЯ ДЕТЕКТОРІВ ТИПУ СЦИНТИЛЯТОР-ФЕП НА ОСНОВІ ZnSe(Al) ТА ПЛАСТМАСОВОГО СЦИНТИЛЯТОРУ UPS-923A ДЛЯ ПРИЛАДІВ РЕЄСТРАЦІЇ α-, β- ТА ЗМІШАНИХ α-β-ВИПРОМІНЕНЬ
von: BOYARINTSEV, A., et al.
Veröffentlicht: (2023)

Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
von: O. G. Trubaieva, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
von: O. G. Trubaieva, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Mixed ZnSxSe₁-x crystals for digital radiography detectors
von: Trubaieva, O.G., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Mixed ZnSxSe1–x crystals as a possible material for alpha-particle and X-ray detectors
von: O. G. Trubaieva, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Scintillation materials based on solid solutions ZnSxSe1–x
von: O. H. Trubaieva, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Дослідження кристалів Cu2ZnSnSe4 та гетеропереходів на їхній основі
von: Kovaliuk, T. T., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Mixed ZnSxSe1–x crystals as a possible material for alpha-particle and X-ray detectors
von: O. H. Trubaieva, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3
von: Galiy, P. V.
Veröffentlicht: (2014)

Luminescent properties of ZnSxSe₍₁₋x₎ mixed crystals obtained by solid-phase synthesis and melt-growing
von: Galkin, S.M., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Термостабильные интерференционные оксидные покрытия для активных элементов лазеров ИК-диапазона
von: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)

ОПТИЧНО-КЕРОВАНИЙ КОМУТАТОР НА ОСНОВІ ФОТОННИХ КРИСТАЛІВ
von: Кожем'яко, В. П., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Синтез, властивості та можливості застосування рентгенолюмінесцентного нанокристалічного фосфату лантану
von: Kusyak, A. P., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Вплив покриваючого ліганду на величину щілини та енергетичні рівні екситонів колоїдних розчинів та плівок квантових точок ZnSe
von: Bondar, N. V., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x
von: Трубаева, О.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Моделювання бінарних нанооксидів з твердих розчинів або змішаних фаз
von: Gun’ko, V. M.
Veröffentlicht: (2025)

Адсорбція тетрацикліну Zn–Al змішаними оксидами та шаруватими подвійними гідроксидами
von: Starukh, G. M.
Veröffentlicht: (2015)

Стаціонарна спектроскопія та субнаносекундний резонансний перенос енергії екситонного збудження водних розчинів та плівок нанокристалів ZnSe
von: Bondar, N.V., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Effect of sulfur on the scintillation properties of mixed ZnSxSe1–x crystals
von: O. G. Trubaeva, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Investigation of band gap width in mixed ZnSxSe1–x crystals
von: O. G. Trubaeva, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію
von: Druzhynin, Anatoliy, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x
von: Трубаева, O.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)

The peculiarities of the properties of ZnSxSe₁-x nanocrystals obtained by self-propagating high-temperature synthesis
von: Kovalenko, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
von: Kutniy, V. E., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом
von: Boledzyuk, V. B., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2004)

ЗМІНА ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК ХОЛЕСТЕРИЧНИХ РІДКИХ КРИСТАЛІВ ПІД ВПЛИВОМ НАНОРОЗМІРНИХ ДОМІШОК
von: Микитюк, З. М., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1)
von: Katerinchuk, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Порівняльні оптичні та енергетичні характеристики екситонів у водних розчинах та твердих плівках квантових точок
von: Bondar, N.V., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Silicon whisker pressure sensors for noise reduction in silencers: Датчики тиску на основі ниткоподібних кристалів кремнію для зниження шумових параметрів автоглушників
von: Druzhinin, Anatoliy, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
von: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Dipolе-центр у кристалах селеніду цинку
von: Degoda, V.Ya., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Блок детектирования гамма-излучения на основе CdZnTe для систем радиационного контроля
von: Mokritsky, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2005)