Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe

Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe

The authors have developed the topology and technological fabrication route for discrete photodiodes (Θ = 0,5—1,5 mm) for the mid-wavelength infrared (MWIR) range, based on the mercury-cadmium-telluride (MCT) epitaxial layers. The paper describes technological processes of MCT photodiodes fabricatio...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2017
Hauptverfasser: Tsybrii, Z. F., Andreeva, K. V., Apatska, M. V., Bunchuk, S. G., Vuichyk, M. V., Golenkov, O. G., Dmytruk, N. V., Zabudsky, V. V., Lysiuk, I. O., Svezhentsova, K. V., Smolii, M. I., Sizov, F. F.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2017
Schlagworte:
HgCdTe
фотодіод
ІЧ-діапазон
ВАХ
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2017.6.08
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-176
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-1762025-05-30T19:28:27Z Medium wavelength infrared HgCdTe discrete photodetectors Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe Tsybrii, Z. F. Andreeva, K. V. Apatska, M. V. Bunchuk, S. G. Vuichyk, M. V. Golenkov, O. G. Dmytruk, N. V. Zabudsky, V. V. Lysiuk, I. O. Svezhentsova, K. V. Smolii, M. I. Sizov, F. F. HgCdTe photodiode IR region I-V characteristic HgCdTe фотодіод ІЧ-діапазон ВАХ The authors have developed the topology and technological fabrication route for discrete photodiodes (Θ = 0,5—1,5 mm) for the mid-wavelength infrared (MWIR) range, based on the mercury-cadmium-telluride (MCT) epitaxial layers. The paper describes technological processes of MCT photodiodes fabrication, including CdTe passivation layers growth, photolithographic processes for the formation of windows for B+ implantation, formation of metallic coatings, chemical surface treatments, cutting of the wafer on the discrete chips, assembling and bonding of the electrical contacts. Optical, photoelectrical and current-voltage characteristics of discrete MCT photodiodes for the spectral range of 3—5 microns are investigated in order to achieve the necessary operational parameters. FTIR transmission spectra were measured to evaluate samples quality and find the composition of x of Hg1–xCdxTe epitaxial layers grown by liquid phase epitaxy method. The limiting characteristics of photodiodes, which are determined by the magnitude of the detector current at the reverse bias and the product of the dynamic resistance at zero bias by the area of the photosensitive element R0Ad at the operating temperature of 77 K were discussed. The requirement for the parameter R0Ad was estimated for the operation of photodiodes of the mid wavelength infrared range in the BLIP (background limited performance) mode for the angles of view qi = 90° and qi = 30°: R0Ad ≥ 5·103 Ω·cm2. It was found from dynamical resistance characteristics that without bias in these MCT MWIR photodiodes R0Ad ≈ (0,57—1,08) Ω · 105 cm2 and these photodiodes can operate in BLIP mode. Розроблено топологію та технологічні режими виготовлення дискретних фотодіодів (діаметр 0,5—1,5 мм) середньохвильового інфрачервоного діапазону спектра на базі епітаксійних шарів кадмій-ртуть-телур (КРТ) Досліджено оптичні, фотоелектричні та вольт-амперні характеристики 3—5 мкм для досягнення необхідних експлуатаційних параметрів Встановлено, що отримані фотодіоди можуть працювати в режимах, обмежених флуктуаціями фонового випромінювання (BLIP-режим). PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2017-12-26 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2017.6.08 10.15222/TKEA2017.6.08 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2017): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 8-13 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2017): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 8-13 3083-6549 3083-6530 10.15222/TKEA2017.6 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2017.6.08/159 Copyright (c) 2017 Tsybrii Z. F., Andreeva K. V, Apatska M. V., Bunchuk S. G., Vuichyk M. V., Golenkov O. G., Dmytruk N. V., Zabudsky V. V., Lysiuk I. O., Svezhentsova K. V., Smolii M. I., Sizov F. F. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-05-30T19:28:27Z
collection OJS
language Ukrainian
topic HgCdTe
фотодіод
ІЧ-діапазон
ВАХ
spellingShingle HgCdTe
фотодіод
ІЧ-діапазон
ВАХ
Tsybrii, Z. F.
Andreeva, K. V.
Apatska, M. V.
Bunchuk, S. G.
Vuichyk, M. V.
Golenkov, O. G.
Dmytruk, N. V.
Zabudsky, V. V.
Lysiuk, I. O.
Svezhentsova, K. V.
Smolii, M. I.
Sizov, F. F.
Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
topic_facet HgCdTe
photodiode
IR region
I-V characteristic
HgCdTe
фотодіод
ІЧ-діапазон
ВАХ
format Article
author Tsybrii, Z. F.
Andreeva, K. V.
Apatska, M. V.
Bunchuk, S. G.
Vuichyk, M. V.
Golenkov, O. G.
Dmytruk, N. V.
Zabudsky, V. V.
Lysiuk, I. O.
Svezhentsova, K. V.
Smolii, M. I.
Sizov, F. F.
author_facet Tsybrii, Z. F.
Andreeva, K. V.
Apatska, M. V.
Bunchuk, S. G.
Vuichyk, M. V.
Golenkov, O. G.
Dmytruk, N. V.
Zabudsky, V. V.
Lysiuk, I. O.
Svezhentsova, K. V.
Smolii, M. I.
Sizov, F. F.
author_sort Tsybrii, Z. F.
title Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
title_short Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
title_full Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
title_fullStr Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
title_full_unstemmed Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
title_sort дискретні фотоприймачі середньохвильового іч-діапазону спектру на основі hgcdte
title_alt Medium wavelength infrared HgCdTe discrete photodetectors
description The authors have developed the topology and technological fabrication route for discrete photodiodes (Θ = 0,5—1,5 mm) for the mid-wavelength infrared (MWIR) range, based on the mercury-cadmium-telluride (MCT) epitaxial layers. The paper describes technological processes of MCT photodiodes fabrication, including CdTe passivation layers growth, photolithographic processes for the formation of windows for B+ implantation, formation of metallic coatings, chemical surface treatments, cutting of the wafer on the discrete chips, assembling and bonding of the electrical contacts. Optical, photoelectrical and current-voltage characteristics of discrete MCT photodiodes for the spectral range of 3—5 microns are investigated in order to achieve the necessary operational parameters. FTIR transmission spectra were measured to evaluate samples quality and find the composition of x of Hg1–xCdxTe epitaxial layers grown by liquid phase epitaxy method. The limiting characteristics of photodiodes, which are determined by the magnitude of the detector current at the reverse bias and the product of the dynamic resistance at zero bias by the area of the photosensitive element R0Ad at the operating temperature of 77 K were discussed. The requirement for the parameter R0Ad was estimated for the operation of photodiodes of the mid wavelength infrared range in the BLIP (background limited performance) mode for the angles of view qi = 90° and qi = 30°: R0Ad ≥ 5·103 Ω·cm2. It was found from dynamical resistance characteristics that without bias in these MCT MWIR photodiodes R0Ad ≈ (0,57—1,08) Ω · 105 cm2 and these photodiodes can operate in BLIP mode.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2017
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2017.6.08
work_keys_str_mv AT tsybriizf mediumwavelengthinfraredhgcdtediscretephotodetectors
AT andreevakv mediumwavelengthinfraredhgcdtediscretephotodetectors
AT apatskamv mediumwavelengthinfraredhgcdtediscretephotodetectors
AT bunchuksg mediumwavelengthinfraredhgcdtediscretephotodetectors
AT vuichykmv mediumwavelengthinfraredhgcdtediscretephotodetectors
AT golenkovog mediumwavelengthinfraredhgcdtediscretephotodetectors
AT dmytruknv mediumwavelengthinfraredhgcdtediscretephotodetectors
AT zabudskyvv mediumwavelengthinfraredhgcdtediscretephotodetectors
AT lysiukio mediumwavelengthinfraredhgcdtediscretephotodetectors
AT svezhentsovakv mediumwavelengthinfraredhgcdtediscretephotodetectors
AT smoliimi mediumwavelengthinfraredhgcdtediscretephotodetectors
AT sizovff mediumwavelengthinfraredhgcdtediscretephotodetectors
AT tsybriizf diskretnífotoprijmačíserednʹohvilʹovogoíčdíapazonuspektrunaosnovíhgcdte
AT andreevakv diskretnífotoprijmačíserednʹohvilʹovogoíčdíapazonuspektrunaosnovíhgcdte
AT apatskamv diskretnífotoprijmačíserednʹohvilʹovogoíčdíapazonuspektrunaosnovíhgcdte
AT bunchuksg diskretnífotoprijmačíserednʹohvilʹovogoíčdíapazonuspektrunaosnovíhgcdte
AT vuichykmv diskretnífotoprijmačíserednʹohvilʹovogoíčdíapazonuspektrunaosnovíhgcdte
AT golenkovog diskretnífotoprijmačíserednʹohvilʹovogoíčdíapazonuspektrunaosnovíhgcdte
AT dmytruknv diskretnífotoprijmačíserednʹohvilʹovogoíčdíapazonuspektrunaosnovíhgcdte
AT zabudskyvv diskretnífotoprijmačíserednʹohvilʹovogoíčdíapazonuspektrunaosnovíhgcdte
AT lysiukio diskretnífotoprijmačíserednʹohvilʹovogoíčdíapazonuspektrunaosnovíhgcdte
AT svezhentsovakv diskretnífotoprijmačíserednʹohvilʹovogoíčdíapazonuspektrunaosnovíhgcdte
AT smoliimi diskretnífotoprijmačíserednʹohvilʹovogoíčdíapazonuspektrunaosnovíhgcdte
AT sizovff diskretnífotoprijmačíserednʹohvilʹovogoíčdíapazonuspektrunaosnovíhgcdte
first_indexed 2025-09-24T17:30:30Z
last_indexed 2025-09-24T17:30:30Z
_version_ 1850410219519082496

Ähnliche Einträge