Моделювання структури чутливого елементу магніторезистивного перетворювача
In the analysis of the electromagnetic structure the distribution and direction of current and the tangential electric field (E-fields) are found. The sensing element of the converter, which is used in the magnetoresistive system, is designed to measure active power in the frequency range from DC to...
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автори: | Zinkovsky, Yu. F., Vityaganets, A. I. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2017
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2017.4-5.10 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
-
Моделювання структури чутливого елементу магніторезистивного перетворювача
за авторством: Зіньковський, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2017) -
ВПЛИВ ЕЛЕКТРОПРОВІДНОГО ЕЛЕМЕНТУ НА ПОКАЗНИКИ ЛІНІЙНОГО ІМПУЛЬСНОГО ЕЛЕКТРОМЕХАНІЧНОГО ПЕРЕТВОРЮВАЧА ІНДУКЦІЙНОГО ТИПУ
за авторством: Болюх, В.Ф.
Опубліковано: (2020) -
Квазісинхронна термокомпенсація в іонометрії із застосуванням ІСПТ. Частина 1. Теорія та моделювання
за авторством: Pavluchenko, Alexey, та інші
Опубліковано: (2021) -
СВІС для мікроелектронного координатно-чутливого детектора нового покоління з розширеним полем аналізу для мас-спектрометрії
за авторством: Sidorenko, V. P., та інші
Опубліковано: (2018) -
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
за авторством: Kovaliuk, Taras, та інші
Опубліковано: (2021)