Дослідження впливу кисню на швидкість і анізотропію глибинного травлення кремнію в плазмо-хімічному реакторі з керованим магнітним полем
The article presents the research results on the influence of the amount of oxygen in a mixture with sulfur hexafluoride on the rate and anisotropy of the silicon etching in the plasma-chemical reactor with the controlled magnetic field. The etching was performed under the pressure of (0,3—2,0)·10–3...
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2017
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2017.4-5.40 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |