Дослідження впливу кисню на швидкість і анізотропію глибинного травлення кремнію в плазмо-хімічному реакторі з керованим магнітним полем

The article presents the research results on the influence of the amount of oxygen in a mixture with sulfur hexafluoride on the rate and anisotropy of the silicon etching in the plasma-chemical reactor with the controlled magnetic field. The etching was performed under the pressure of (0,3—2,0)·10–3...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2017
Автори: Hladkovskyi, V. V., Fedorovich, O. A.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2017
Теми:
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2017.4-5.40
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment