Вплив розкиду значень електричних параметрів RGB-світлодіодів на однорідність світіння світлодіодних екранів при мінімальній градації яскравості
The emission uniformity of LED chips in the entire range of brightness and colors is the problem in LED displays manufacture process. It was approved that at lowering brightness gradations appearing the radiation nonuniformity between LED chips, and the higher disorders will be seen on the lesser em...
Gespeichert in:
| Datum: | 2017 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Veleschuk, V. P., Vlasenko, O. I., Vlasenko, Z. K., Shynkarenko, V. V., Kudryk, Ya. Ya., Sai, P. O., Borshch, V. V. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2017
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2017.3.30 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
-
ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА
von: Осинський, В. І., et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Оже-рекомбінація в полярних InGaN/GaN квантових ямах
von: Zinovchuk, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2025) -
Флуктуації п’єзоелектричної поляризації в квантових ямах на основі III-нітридів
von: Zinovchuk, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2023) -
Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
von: Stempitsky, V. R., et al.
Veröffentlicht: (2017) -
Вплив невпорядкованої атомної структури на швидкість оже-рекомбінації в InGaN сполуках p-типу
von: Zinovchuk, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2020)