Вплив електронного опромінення на оптичні властивості плівок нанокристалічного SiC на підкладках із монокристала Al2O3
It was studied the effect of irradiation with high-energy (10 MeV) electrons on the optical properties of nanocrystalline carbide film system silicon / sapphire substrates in a wide range of fluences of 5·1014 to 2·1020 cm–2 and subsequent annealing in vacuum in the range of 200—12...
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2017
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2017.3.40 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| id |
oai:tkea.com.ua:article-204 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
oai:tkea.com.ua:article-2042025-05-30T19:29:31Z Effect of electron irradiation on the optical properties of nanocrystalline SiC films on single crystal Al2O3 substrates Вплив електронного опромінення на оптичні властивості плівок нанокристалічного SiC на підкладках із монокристала Al2O3 Semenov, O. V. Lopin, A. V. Boriskin, V. N. nanocrystalline SiC films Al2O3 single crystals absorption spectra electron irradiation radiation defects radiation ordering annealing of defects нанокристалічні плівки SiC монокристали Al2O3 спектри поглинання опромінення електронами радіаційні дефекти радіаційне впорядкування відпал дефектів It was studied the effect of irradiation with high-energy (10 MeV) electrons on the optical properties of nanocrystalline carbide film system silicon / sapphire substrates in a wide range of fluences of 5·1014 to 2·1020 cm–2 and subsequent annealing in vacuum in the range of 200—1200°C. It was found that radiation-induced changes in the optical properties of nc SiC films are primarily manifested in the UV region of the spectrum associated with interband transitions, as well as in the region of the spectrum due to the absorption of intrinsic defects and disordered regions. It was established in the beginning of the annealing of defects in irradiated films has been observed at 200°C, which indicates the high concentration of carbon vacancies with the lowest activation energy. Significant changes in the optical properties of sapphire begin at fluence 5·1017 cm–2, which should be considered when using these materials under conditions of intense radiation impact. Досліджено стійкість до радіації плівок нанокристалічного карбіду кремнію на підкладці з монокристала сапфіра в умовах опромінення високоенергетичними (10 МеВ) електронами в діапазоні 5·1014— 2·1020 см–2. Встановлено, що радіаційні зміни в плівках nc-SiC в першу чергу проявляються в УФ-області спектра поглинання, яка пов'язана з міжзонними переходами. Показано, що слідом за початковою розпорядкованістю плівок nc-SiC при флюенсі 5·1014—1·1016 см–2 відбувається впорядкування структури при дозах опромінення (1—5)·1017 см–2. Встановлено, що початок відпалу дефектів в опромінених 200°C. починаються при флюенсі 5·1014— 2·1020 см–2, що слід враховувати при використанні цих матеріалів для оптоелектронних приладів і сенсорів в умовах інтенсивного радіаційного впливу. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2017-06-17 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2017.3.40 10.15222/TKEA2017.3.40 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2017): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 40-48 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2017): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 40-48 3083-6549 3083-6530 10.15222/TKEA2017.3 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2017.3.40/182 Copyright (c) 2017 Semenov O. V., Lopin A. V., Boriskin V. N. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| institution |
Technology and design in electronic equipment |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2025-05-30T19:29:31Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian |
| topic |
нанокристалічні плівки SiC монокристали Al2O3 спектри поглинання опромінення електронами радіаційні дефекти радіаційне впорядкування відпал дефектів |
| spellingShingle |
нанокристалічні плівки SiC монокристали Al2O3 спектри поглинання опромінення електронами радіаційні дефекти радіаційне впорядкування відпал дефектів Semenov, O. V. Lopin, A. V. Boriskin, V. N. Вплив електронного опромінення на оптичні властивості плівок нанокристалічного SiC на підкладках із монокристала Al2O3 |
| topic_facet |
nanocrystalline SiC films Al2O3 single crystals absorption spectra electron irradiation radiation defects radiation ordering annealing of defects нанокристалічні плівки SiC монокристали Al2O3 спектри поглинання опромінення електронами радіаційні дефекти радіаційне впорядкування відпал дефектів |
| format |
Article |
| author |
Semenov, O. V. Lopin, A. V. Boriskin, V. N. |
| author_facet |
Semenov, O. V. Lopin, A. V. Boriskin, V. N. |
| author_sort |
Semenov, O. V. |
| title |
Вплив електронного опромінення на оптичні властивості плівок нанокристалічного SiC на підкладках із монокристала Al2O3 |
| title_short |
Вплив електронного опромінення на оптичні властивості плівок нанокристалічного SiC на підкладках із монокристала Al2O3 |
| title_full |
Вплив електронного опромінення на оптичні властивості плівок нанокристалічного SiC на підкладках із монокристала Al2O3 |
| title_fullStr |
Вплив електронного опромінення на оптичні властивості плівок нанокристалічного SiC на підкладках із монокристала Al2O3 |
| title_full_unstemmed |
Вплив електронного опромінення на оптичні властивості плівок нанокристалічного SiC на підкладках із монокристала Al2O3 |
| title_sort |
вплив електронного опромінення на оптичні властивості плівок нанокристалічного sic на підкладках із монокристала al2o3 |
| title_alt |
Effect of electron irradiation on the optical properties of nanocrystalline SiC films on single crystal Al2O3 substrates |
| description |
It was studied the effect of irradiation with high-energy (10 MeV) electrons on the optical properties of nanocrystalline carbide film system silicon / sapphire substrates in a wide range of fluences of 5·1014 to 2·1020 cm–2 and subsequent annealing in vacuum in the range of 200—1200°C. It was found that radiation-induced changes in the optical properties of nc SiC films are primarily manifested in the UV region of the spectrum associated with interband transitions, as well as in the region of the spectrum due to the absorption of intrinsic defects and disordered regions. It was established in the beginning of the annealing of defects in irradiated films has been observed at 200°C, which indicates the high concentration of carbon vacancies with the lowest activation energy. Significant changes in the optical properties of sapphire begin at fluence 5·1017 cm–2, which should be considered when using these materials under conditions of intense radiation impact. |
| publisher |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| publishDate |
2017 |
| url |
https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2017.3.40 |
| work_keys_str_mv |
AT semenovov effectofelectronirradiationontheopticalpropertiesofnanocrystallinesicfilmsonsinglecrystalal2o3substrates AT lopinav effectofelectronirradiationontheopticalpropertiesofnanocrystallinesicfilmsonsinglecrystalal2o3substrates AT boriskinvn effectofelectronirradiationontheopticalpropertiesofnanocrystallinesicfilmsonsinglecrystalal2o3substrates AT semenovov vplivelektronnogoopromínennânaoptičnívlastivostíplívoknanokristalíčnogosicnapídkladkahízmonokristalaal2o3 AT lopinav vplivelektronnogoopromínennânaoptičnívlastivostíplívoknanokristalíčnogosicnapídkladkahízmonokristalaal2o3 AT boriskinvn vplivelektronnogoopromínennânaoptičnívlastivostíplívoknanokristalíčnogosicnapídkladkahízmonokristalaal2o3 |
| first_indexed |
2025-09-24T17:30:32Z |
| last_indexed |
2025-09-24T17:30:32Z |
| _version_ |
1850410223820341248 |