ПЗЗ-фотоматриці з електронним множенням
Electron multiplication charge coupled devices (EMCCD) technology is an innovation first introduced slightly more than a decade ago. The EMCCD is an image sensor that is capable of detecting an isolated photon without an image intensifier. It is achieved by electron multiplication circuit that is bu...
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2017
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2017.1-2.33 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| id |
oai:tkea.com.ua:article-212 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
oai:tkea.com.ua:article-2122025-05-30T19:29:56Z CCD photomatrixes with electron multiplication ПЗЗ-фотоматриці з електронним множенням Reva, V. P. Korinets, S. V. Golenkov, О. G. Sapon, S. V. Torchinsky, A. M. Zabudsky, V. V. Sizov, F. F. CCD photomatrix electronic multiplication near infrared visible light ПЗЗ-фотоматриці електронне множення ближній ІЧ-діапазон видиме випромінювання Electron multiplication charge coupled devices (EMCCD) technology is an innovation first introduced slightly more than a decade ago. The EMCCD is an image sensor that is capable of detecting an isolated photon without an image intensifier. It is achieved by electron multiplication circuit that is built in the chip of ordinary CCD.Cameras with EMCCD arrays overcome limitations of getting high sensitivity with high frame rate. Traditional CCD cameras can be highly sensitive in the visible part of the spectrum but at the expense of low frame rate. EMCCD can operate at very faint illumination conditions both in visible and near infrared regions.The paper presents a short technological description of EMCCD 640×512 arrays manufacturing and some parameters of the arrays that were designed and manufactured. It was shown that multiplication coefficient depends much on applied amplification voltage and can achieve 1000. Also, it is shown that images can be obtained at low illumination conditions (illumination at EMCCD is near 5·10–4 lx). Описано принципи роботи фотоматриць видимого випромінювання та ближнього інфрачервоного діапазону, спроєктованих на основі приладів із зарядовим зв'язком з електронним множенням (ПЗС-ЕУ), та обговорено архітектуру побудови таких матриць. Наведено короткий опис технології виготовлення фотоматриць ПЗС-ЕУ, а також деякі параметри спроєктованих та виготовлених експериментальних зразків фотоматриць формату 640×512. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2017-04-27 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2017.1-2.33 10.15222/TKEA2017.1-2.33 Technology and design in electronic equipment; No. 1-2 (2017): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 33-37 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 1-2 (2017): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 33-37 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2017.1-2.33/188 Copyright (c) 2017 V. P. Reva, S. V. Korinets, О. G. Golenkov, S. V. Sapon, A. M. Torchinsky, V. V. Zabudsky, F. F. Sizov http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| institution |
Technology and design in electronic equipment |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2025-05-30T19:29:56Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian |
| topic |
ПЗЗ-фотоматриці електронне множення ближній ІЧ-діапазон видиме випромінювання |
| spellingShingle |
ПЗЗ-фотоматриці електронне множення ближній ІЧ-діапазон видиме випромінювання Reva, V. P. Korinets, S. V. Golenkov, О. G. Sapon, S. V. Torchinsky, A. M. Zabudsky, V. V. Sizov, F. F. ПЗЗ-фотоматриці з електронним множенням |
| topic_facet |
CCD photomatrix electronic multiplication near infrared visible light ПЗЗ-фотоматриці електронне множення ближній ІЧ-діапазон видиме випромінювання |
| format |
Article |
| author |
Reva, V. P. Korinets, S. V. Golenkov, О. G. Sapon, S. V. Torchinsky, A. M. Zabudsky, V. V. Sizov, F. F. |
| author_facet |
Reva, V. P. Korinets, S. V. Golenkov, О. G. Sapon, S. V. Torchinsky, A. M. Zabudsky, V. V. Sizov, F. F. |
| author_sort |
Reva, V. P. |
| title |
ПЗЗ-фотоматриці з електронним множенням |
| title_short |
ПЗЗ-фотоматриці з електронним множенням |
| title_full |
ПЗЗ-фотоматриці з електронним множенням |
| title_fullStr |
ПЗЗ-фотоматриці з електронним множенням |
| title_full_unstemmed |
ПЗЗ-фотоматриці з електронним множенням |
| title_sort |
пзз-фотоматриці з електронним множенням |
| title_alt |
CCD photomatrixes with electron multiplication |
| description |
Electron multiplication charge coupled devices (EMCCD) technology is an innovation first introduced slightly more than a decade ago. The EMCCD is an image sensor that is capable of detecting an isolated photon without an image intensifier. It is achieved by electron multiplication circuit that is built in the chip of ordinary CCD.Cameras with EMCCD arrays overcome limitations of getting high sensitivity with high frame rate. Traditional CCD cameras can be highly sensitive in the visible part of the spectrum but at the expense of low frame rate. EMCCD can operate at very faint illumination conditions both in visible and near infrared regions.The paper presents a short technological description of EMCCD 640×512 arrays manufacturing and some parameters of the arrays that were designed and manufactured. It was shown that multiplication coefficient depends much on applied amplification voltage and can achieve 1000. Also, it is shown that images can be obtained at low illumination conditions (illumination at EMCCD is near 5·10–4 lx). |
| publisher |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| publishDate |
2017 |
| url |
https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2017.1-2.33 |
| work_keys_str_mv |
AT revavp ccdphotomatrixeswithelectronmultiplication AT korinetssv ccdphotomatrixeswithelectronmultiplication AT golenkovog ccdphotomatrixeswithelectronmultiplication AT saponsv ccdphotomatrixeswithelectronmultiplication AT torchinskyam ccdphotomatrixeswithelectronmultiplication AT zabudskyvv ccdphotomatrixeswithelectronmultiplication AT sizovff ccdphotomatrixeswithelectronmultiplication AT revavp pzzfotomatricízelektronnimmnožennâm AT korinetssv pzzfotomatricízelektronnimmnožennâm AT golenkovog pzzfotomatricízelektronnimmnožennâm AT saponsv pzzfotomatricízelektronnimmnožennâm AT torchinskyam pzzfotomatricízelektronnimmnožennâm AT zabudskyvv pzzfotomatricízelektronnimmnožennâm AT sizovff pzzfotomatricízelektronnimmnožennâm |
| first_indexed |
2025-09-24T17:30:33Z |
| last_indexed |
2025-09-24T17:30:33Z |
| _version_ |
1850410224804954112 |