Зображення обкладинки

Влияние морфологии поверхности подложек ZnSe:Te на их оптические свойства

The authors have experimentally established, that etching of ZnSe:Te substrates in CrO3:HCl=2:1 and H2SO4:H2O2=3:1 solutions leads to formation of mirror and matte surfaces. Analysis of the topogram obtained by an atomic power microscope showed that the matte surface is a set of equally oriented pyr...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2016
Автори:	Makhniy, V. P., Herman, I. I., Bodul, G. I., Senko, I. M.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2016
Теми:	селенид цинка зеркальная и матовая поверхности квантово-размерный эффект люминесценция пропускание
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2016.6.36
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
за авторством: Makhniy, V. P., та інші
Опубліковано: (2016)

Влияние морфологии поверхности подложек ZnSe:Te на их оптические свойства
за авторством: Махний, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2015)

Luminescence of crystals ZnSe 〈Al〉:Gd
за авторством: Makhniy, V.P., та інші
Опубліковано: (2018)

Defect formation on diffusive layers of ZnSe:Sn and ZnSe:Mg
за авторством: Gryvul, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Influence of ytterbium impurity on luminescent properties of ZnSe/Al/ crystals
за авторством: V. P. Makhniy, та інші
Опубліковано: (2016)

Luminescence of crystals ZnSe &lt;AI&gt;:Gd
за авторством: V. P. Makhniy, та інші
Опубліковано: (2018)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Sydor, O. N., та інші
Опубліковано: (2012)

High temperature luminescence of ZnSe:Yb crystals
за авторством: V. P. Makhnij, та інші
Опубліковано: (2016)

Поверхневі шари ZnSe:Ca з дірковою провідністю
за авторством: Makhniy, V., та інші
Опубліковано: (2019)

Surface ZnSe:Ca layers with hole conductivity
за авторством: V. P. Makhniy, та інші
Опубліковано: (2019)

Surface ZnSe:Ca layers with hole conductivity
за авторством: Makhniy, V.P., та інші
Опубліковано: (2019)

Influence of ZnSe:Te substrate&#039;s surface morphology on their optical properties
за авторством: V. P. Makhnij, та інші
Опубліковано: (2016)

Коррекция оптических эффектов близости при проектировании микросхем
за авторством: Rodionov, I. A., та інші
Опубліковано: (2007)

Mechanisms of radiative and nonradiative recombination in ZnSe:Cr and ZnSe:Fe
за авторством: Godlewski, M., та інші
Опубліковано: (2004)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)

Physical properties of ZnSe-MgSe, ZnSe-CdS solid solutions and possibilities of their application in IR engineering
за авторством: Zagoruiko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2000)

Obtaining of ZnSe nanocrystals from ZnSe bulk crystals by mechanical milling and chemical vapor deposition in silica matrices
за авторством: Voloshina, L.I., та інші
Опубліковано: (2017)

Dipole-center in ZnSe crystals
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2022)

Dipole-center in ZnSe crystals
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2022)

Luminescence of Dipole-centers in ZnSe crystals
за авторством: Alizadeh, M., та інші
Опубліковано: (2017)

Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2019)

Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2019)

Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
за авторством: Махний, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)

IR luminescence of ZnSe-based scintillators
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2004)

Радиоволновые датчики дымовых газов ТЭС
за авторством: Ivanova, P. E., та інші
Опубліковано: (2009)

Установка для измерения удельного коэффициента силы света материалов со световозвращающим эффектом
за авторством: Butenko, V. K., та інші
Опубліковано: (2009)

Поляриметрия подложек компакт-дисков
за авторством: Савенков, С.Н., та інші
Опубліковано: (2005)

Emission characteristics of donor-acceptor pairs in ZnSe and CdS crystals
за авторством: Oleshko, V.I., та інші
Опубліковано: (2011)

Photoluminescence of ZnSe nanocrystals at high excitation level
за авторством: Tishchenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2009)

Interaction of hydrogen with lattice defects in ZnSe(X) crystals
за авторством: Gal'chinetskii, L.P., та інші
Опубліковано: (2011)

ZnSe:Cr²⁺ laser crystals grown by Bridgman method
за авторством: Komar, V.K., та інші
Опубліковано: (2009)

Tem investigation of CuInSe₂-ZnSe heterostructures for thin film solar cells
за авторством: Grigorov, S.N., та інші
Опубліковано: (2008)

Optimization of conditions for treatment of ZnSe crystal surfaces by chemical etching
за авторством: V. M. Tomashyk, та інші
Опубліковано: (2013)

Optimization of conditions for treatment of ZnSe crystal surfaces by chemical etching
за авторством: Tomashyk, V.M., та інші
Опубліковано: (2013)

Optical absorption and photoconductivity of ZnSe:Co single crystals
за авторством: Vaksman, Yu.F., та інші
Опубліковано: (2007)

Ультразвуковые исследования фазового перехода в ZnSe:Ni
за авторством: Гудков, В.В., та інші
Опубліковано: (2004)

On the optimum geometric shapes of ZnSe-based scintillation elements
за авторством: Katrunov, K., та інші
Опубліковано: (2004)

Characterization of ZnSe nanocrystals grown by vapor phase epitaxy
за авторством: Tishchenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2006)

Structural and optical characteristics of ZnSe and CdSe films condensed on non-oriented substrates
за авторством: Ivashchenko, M.M., та інші
Опубліковано: (2011)