Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe

In this study, we investigate the electrical and photoelectric properties of heterostructures formed by the reactive magnetron sputtering of thin film NiO onto p-CdTe and n-CdTe substrates. The current-voltage characteristics of the heterojunctions were measured at room temperature. The dominating c...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2016
Автори:	Parkhomenko, H. P., Maryanchuk, P. D.
Формат:	Стаття
Мова:	Ukrainian
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2016
Теми:	гетероструктура тонкая пленка механизмы токопереноса NiO CdTe
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2016.4-5.29
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

id	oai:tkea.com.ua:article-233
record_format	ojs
spelling	oai:tkea.com.ua:article-2332025-05-30T19:31:10Z Electrical and photoelectric properties of heterostructures NiO/p-CdTe and NiO/n-CdTe Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe Parkhomenko, H. P. Maryanchuk, P. D. heterojunctions thin film charge transport mechanisms NiO CdTe гетероструктура тонкая пленка механизмы токопереноса NiO CdTe In this study, we investigate the electrical and photoelectric properties of heterostructures formed by the reactive magnetron sputtering of thin film NiO onto p-CdTe and n-CdTe substrates. The current-voltage characteristics of the heterojunctions were measured at room temperature. The dominating current transport mechanisms through the NiO/n-CdTe and NiO/p-CdTe heterojunctions at the forward biases are generation-recombination and tunnel, at the reverse biases are tunnel current transport mechanisms. The heterojunctions under investigation generate open-circuit voltage Uoc = 0.26 V and short-circuit current Isc = 58.7 μA/cm2 under illumination 80 mW/cm-2.The research results can be used for better understanding of the processes occurring in heterojunctions NiO/ n-CdTe and NiO/p-CdTe, to further improve their properties and parameters. Изготовлены гетероструктуры NiO/n-CdTe и NiO/p-CdTe методом реактивного магнетронного напыления тонких пленок оксида никеля на подложки из кристаллов CdTe p- и n-типа проводимости, исследованы их темновая и световая вольт-амперные характеристики. Установлено, что основными механизмами токопереноса при прямом смещении является генерационно-рекомбинационный и туннелирование, при обратных смещениях — туннелирование. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2016-10-29 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2016.4-5.29 10.15222/TKEA2016.4-5.29 Technology and design in electronic equipment; No. 4–5 (2016): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 29-33 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 4–5 (2016): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 29-33 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2016.4-5.29/202 Copyright (c) 2016 H. P. Parkhomenko, P. D. Maryanchuk http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution	Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date	2025-05-30T19:31:10Z
collection	OJS
language	Ukrainian
topic	гетероструктура тонкая пленка механизмы токопереноса NiO CdTe
spellingShingle	гетероструктура тонкая пленка механизмы токопереноса NiO CdTe Parkhomenko, H. P. Maryanchuk, P. D. Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
topic_facet	heterojunctions thin film charge transport mechanisms NiO CdTe гетероструктура тонкая пленка механизмы токопереноса NiO CdTe
format	Article
author	Parkhomenko, H. P. Maryanchuk, P. D.
author_facet	Parkhomenko, H. P. Maryanchuk, P. D.
author_sort	Parkhomenko, H. P.
title	Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
title_short	Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
title_full	Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
title_fullStr	Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
title_full_unstemmed	Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
title_sort	электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур nio/p-cdte и nio/n-cdte
title_alt	Electrical and photoelectric properties of heterostructures NiO/p-CdTe and NiO/n-CdTe
description	In this study, we investigate the electrical and photoelectric properties of heterostructures formed by the reactive magnetron sputtering of thin film NiO onto p-CdTe and n-CdTe substrates. The current-voltage characteristics of the heterojunctions were measured at room temperature. The dominating current transport mechanisms through the NiO/n-CdTe and NiO/p-CdTe heterojunctions at the forward biases are generation-recombination and tunnel, at the reverse biases are tunnel current transport mechanisms. The heterojunctions under investigation generate open-circuit voltage Uoc = 0.26 V and short-circuit current Isc = 58.7 μA/cm2 under illumination 80 mW/cm-2.The research results can be used for better understanding of the processes occurring in heterojunctions NiO/ n-CdTe and NiO/p-CdTe, to further improve their properties and parameters.
publisher	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate	2016
url	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2016.4-5.29
work_keys_str_mv	AT parkhomenkohp electricalandphotoelectricpropertiesofheterostructuresniopcdteandnioncdte AT maryanchukpd electricalandphotoelectricpropertiesofheterostructuresniopcdteandnioncdte AT parkhomenkohp élektričeskieifotoélektričeskiesvojstvageterostrukturniopcdteinioncdte AT maryanchukpd élektričeskieifotoélektričeskiesvojstvageterostrukturniopcdteinioncdte
first_indexed	2025-09-24T17:30:34Z
last_indexed	2025-09-24T17:30:34Z
_version_	1850410226555027456

Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe

Репозитарії

Схожі ресурси