Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe

Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe

In this study, we investigate the electrical and photoelectric properties of heterostructures formed by the reactive magnetron sputtering of thin film NiO onto p-CdTe and n-CdTe substrates. The current-voltage characteristics of the heterojunctions were measured at room temperature. The dominating c...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2016
Main Authors: Parkhomenko, H. P., Maryanchuk, P. D.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2016
Subjects:
гетероструктура
тонкая пленка
механизмы токопереноса
NiO
CdTe
Online Access:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2016.4-5.29
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-233
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-2332025-05-30T19:31:10Z Electrical and photoelectric properties of heterostructures NiO/p-CdTe and NiO/n-CdTe Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe Parkhomenko, H. P. Maryanchuk, P. D. heterojunctions thin film charge transport mechanisms NiO CdTe гетероструктура тонкая пленка механизмы токопереноса NiO CdTe In this study, we investigate the electrical and photoelectric properties of heterostructures formed by the reactive magnetron sputtering of thin film NiO onto p-CdTe and n-CdTe substrates. The current-voltage characteristics of the heterojunctions were measured at room temperature. The dominating current transport mechanisms through the NiO/n-CdTe and NiO/p-CdTe heterojunctions at the forward biases are generation-recombination and tunnel, at the reverse biases are tunnel current transport mechanisms. The heterojunctions under investigation generate open-circuit voltage Uoc = 0.26 V and short-circuit current Isc = 58.7 μA/cm2 under illumination 80 mW/cm-2.The research results can be used for better understanding of the processes occurring in heterojunctions NiO/ n-CdTe and NiO/p-CdTe, to further improve their properties and parameters. Изготовлены гетероструктуры NiO/n-CdTe и NiO/p-CdTe методом реактивного магнетронного напыления тонких пленок оксида никеля на подложки из кристаллов CdTe p- и n-типа проводимости, исследованы их темновая и световая вольт-амперные характеристики. Ус­та­нов­ле­но, что основными механизмами токопереноса при прямом смещении является ге­не­ра­ци­он­но-рекомбинационный и туннелирование, при обратных смещениях — ту­нне­ли­рование. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2016-10-29 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2016.4-5.29 10.15222/TKEA2016.4-5.29 Technology and design in electronic equipment; No. 4–5 (2016): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 29-33 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 4–5 (2016): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 29-33 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2016.4-5.29/202 Copyright (c) 2016 H. P. Parkhomenko, P. D. Maryanchuk http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-05-30T19:31:10Z
collection OJS
language Ukrainian
topic гетероструктура
тонкая пленка
механизмы токопереноса
NiO
CdTe
spellingShingle гетероструктура
тонкая пленка
механизмы токопереноса
NiO
CdTe
Parkhomenko, H. P.
Maryanchuk, P. D.
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
topic_facet heterojunctions
thin film
charge transport mechanisms
NiO
CdTe
гетероструктура
тонкая пленка
механизмы токопереноса
NiO
CdTe
format Article
author Parkhomenko, H. P.
Maryanchuk, P. D.
author_facet Parkhomenko, H. P.
Maryanchuk, P. D.
author_sort Parkhomenko, H. P.
title Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
title_short Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
title_full Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
title_fullStr Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
title_full_unstemmed Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
title_sort электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур nio/p-cdte и nio/n-cdte
title_alt Electrical and photoelectric properties of heterostructures NiO/p-CdTe and NiO/n-CdTe
description In this study, we investigate the electrical and photoelectric properties of heterostructures formed by the reactive magnetron sputtering of thin film NiO onto p-CdTe and n-CdTe substrates. The current-voltage characteristics of the heterojunctions were measured at room temperature. The dominating current transport mechanisms through the NiO/n-CdTe and NiO/p-CdTe heterojunctions at the forward biases are generation-recombination and tunnel, at the reverse biases are tunnel current transport mechanisms. The heterojunctions under investigation generate open-circuit voltage Uoc = 0.26 V and short-circuit current Isc = 58.7 μA/cm2 under illumination 80 mW/cm-2.The research results can be used for better understanding of the processes occurring in heterojunctions NiO/ n-CdTe and NiO/p-CdTe, to further improve their properties and parameters.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2016
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2016.4-5.29
work_keys_str_mv AT parkhomenkohp electricalandphotoelectricpropertiesofheterostructuresniopcdteandnioncdte
AT maryanchukpd electricalandphotoelectricpropertiesofheterostructuresniopcdteandnioncdte
AT parkhomenkohp élektričeskieifotoélektričeskiesvojstvageterostrukturniopcdteinioncdte
AT maryanchukpd élektričeskieifotoélektričeskiesvojstvageterostrukturniopcdteinioncdte
first_indexed 2025-09-24T17:30:34Z
last_indexed 2025-09-24T17:30:34Z
_version_ 1850410226555027456

Similar Items