Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
In this study, we investigate the electrical and photoelectric properties of heterostructures formed by the reactive magnetron sputtering of thin film NiO onto p-CdTe and n-CdTe substrates. The current-voltage characteristics of the heterojunctions were measured at room temperature. The dominating c...
Збережено в:
| Дата: | 2016 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2016
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2016.4-5.29 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543784530083840 |
|---|---|
| author | Parkhomenko, H. P. Maryanchuk, P. D. |
| author_facet | Parkhomenko, H. P. Maryanchuk, P. D. |
| author_sort | Parkhomenko, H. P. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2025-05-30T19:31:10Z |
| description | In this study, we investigate the electrical and photoelectric properties of heterostructures formed by the reactive magnetron sputtering of thin film NiO onto p-CdTe and n-CdTe substrates. The current-voltage characteristics of the heterojunctions were measured at room temperature. The dominating current transport mechanisms through the NiO/n-CdTe and NiO/p-CdTe heterojunctions at the forward biases are generation-recombination and tunnel, at the reverse biases are tunnel current transport mechanisms. The heterojunctions under investigation generate open-circuit voltage Uoc = 0.26 V and short-circuit current Isc = 58.7 μA/cm2 under illumination 80 mW/cm-2.The research results can be used for better understanding of the processes occurring in heterojunctions NiO/ n-CdTe and NiO/p-CdTe, to further improve their properties and parameters. |
| first_indexed | 2025-09-24T17:30:34Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-233 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-09-24T17:30:34Z |
| publishDate | 2016 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-2332025-05-30T19:31:10Z Electrical and photoelectric properties of heterostructures NiO/p-CdTe and NiO/n-CdTe Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe Parkhomenko, H. P. Maryanchuk, P. D. heterojunctions thin film charge transport mechanisms NiO CdTe гетероструктура тонкая пленка механизмы токопереноса NiO CdTe In this study, we investigate the electrical and photoelectric properties of heterostructures formed by the reactive magnetron sputtering of thin film NiO onto p-CdTe and n-CdTe substrates. The current-voltage characteristics of the heterojunctions were measured at room temperature. The dominating current transport mechanisms through the NiO/n-CdTe and NiO/p-CdTe heterojunctions at the forward biases are generation-recombination and tunnel, at the reverse biases are tunnel current transport mechanisms. The heterojunctions under investigation generate open-circuit voltage Uoc = 0.26 V and short-circuit current Isc = 58.7 μA/cm2 under illumination 80 mW/cm-2.The research results can be used for better understanding of the processes occurring in heterojunctions NiO/ n-CdTe and NiO/p-CdTe, to further improve their properties and parameters. Изготовлены гетероструктуры NiO/n-CdTe и NiO/p-CdTe методом реактивного магнетронного напыления тонких пленок оксида никеля на подложки из кристаллов CdTe p- и n-типа проводимости, исследованы их темновая и световая вольт-амперные характеристики. Установлено, что основными механизмами токопереноса при прямом смещении является генерационно-рекомбинационный и туннелирование, при обратных смещениях — туннелирование. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2016-10-29 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2016.4-5.29 10.15222/TKEA2016.4-5.29 Technology and design in electronic equipment; No. 4–5 (2016): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 29-33 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 4–5 (2016): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 29-33 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2016.4-5.29/202 Copyright (c) 2016 H. P. Parkhomenko, P. D. Maryanchuk http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | гетероструктура тонкая пленка механизмы токопереноса NiO CdTe Parkhomenko, H. P. Maryanchuk, P. D. Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe |
| title | Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe |
| title_alt | Electrical and photoelectric properties of heterostructures NiO/p-CdTe and NiO/n-CdTe |
| title_full | Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe |
| title_fullStr | Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe |
| title_full_unstemmed | Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe |
| title_short | Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe |
| title_sort | электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур nio/p-cdte и nio/n-cdte |
| topic | гетероструктура тонкая пленка механизмы токопереноса NiO CdTe |
| topic_facet | heterojunctions thin film charge transport mechanisms NiO CdTe гетероструктура тонкая пленка механизмы токопереноса NiO CdTe |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2016.4-5.29 |
| work_keys_str_mv | AT parkhomenkohp electricalandphotoelectricpropertiesofheterostructuresniopcdteandnioncdte AT maryanchukpd electricalandphotoelectricpropertiesofheterostructuresniopcdteandnioncdte AT parkhomenkohp élektričeskieifotoélektričeskiesvojstvageterostrukturniopcdteinioncdte AT maryanchukpd élektričeskieifotoélektričeskiesvojstvageterostrukturniopcdteinioncdte |