Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
Studies of low-temperature features of semiconductor silicon whisker conductivity play a significant role in the development of electronic devices, such as temperature sensors.The results of studies of the active component of impedance Z' for silicon whiskers obtained at cryogenic temperatures,...
Gespeichert in:
| Datum: | 2019 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Druzhinin, A. A., Ostrovsky, I. P., Khoverko, Yu. N., Koretsky, R. N. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2019
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2016.4-5.47 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Датчик для измерения криогенных температур на основе нитевидных кристаллов Si-Ge
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
НЕЛИНЕЙНАЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ПРОВОДИМОСТИ БИОЛОГИЧЕСКОЙ КЛЕТКИ
von: Шигимага, В.А.
Veröffentlicht: (2013)
von: Шигимага, В.А.
Veröffentlicht: (2013)
Наноструктурированная композитная пленка для сенсоров влажности
von: Kovalenko, K. L., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Kovalenko, K. L., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Механические свойства нитевидных кристаллов HfB₂
von: Дуб, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Дуб, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Газоанализаторы на основе пористого карбида кремния
von: Moskovchenko, N. N., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Moskovchenko, N. N., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
von: Druzhinin, А. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Druzhinin, А. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Определение электропроводности нанокомпозитов с хаотической структурой
von: Novikov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Novikov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Поверхностно-барьерные структуры для ультрафиолетовых сенсоров пламени
von: Bobrenko, Yu. N., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Bobrenko, Yu. N., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Резонансная высокочастотная система из Al-Be-сплава при криогенных температурах
von: Кутовой, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Кутовой, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Нестабильность деформации металлов при криогенных температурах и ее прикладные аспекты
von: Воробьев, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Воробьев, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ИМПЕДАНСА КОНДУКТОМЕТРИЧЕСКОГО ИНТЕРФЕЙСА Pt/Н2О И Pt/KCl НА ЧАСТОТАХ 10 кГц – 1 МГц
von: Михаль, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Михаль, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Сравнительные исследования физико-химических и технологических свойств углеродных нанотрубок и углеродных нитевидных кристаллов
von: Полторацкий, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Полторацкий, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Первичные преобразователи давления криогенных жидкостей
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных полупроводниковых структур
von: Lavrich, Yu. N., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Lavrich, Yu. N., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Теплопроводность кристаллов фуллерита C₆₀ при низких температурах
von: Ефимов, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Ефимов, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Универсальная система для измерения усилия-перемещения
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Оценка влияния параметров катодной структуры электролизера на проводимость электролита
von: Беляев, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Беляев, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Влияние приложения сил всестороннего сжатия при криогенных температурах на свойства сплава ВТ1-0
von: Хаймович, П.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Хаймович, П.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Получение кремниевых нитевидных нанокристаллов
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Чутливий елемент двофункціонального сенсора магнітного поля та деформації на основі мікрокристалів Si
von: Druzhinin, A. O., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Druzhinin, A. O., et al.
Veröffentlicht: (2017)
ДАТЧИКИ ВИГИНУ НА ОСНОВІ БІОНАНОКОМПОЗИТІВ ІЗ НАНОЦЕЛЮЛОЗИ ТА ПОЛІВІНІЛОВОГО СПИРТУ ДЛЯ НОСИМОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ
von: NAIDONOV, A., et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: NAIDONOV, A., et al.
Veröffentlicht: (2024)
Решеточные свойства кристаллов инертных газов при высоких давлениях и температурах
von: Зароченцев, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Зароченцев, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Спонтанная спиновая поляризация систем примесных гибридизированных состояний электронов в полосе проводимости кристаллов
von: Окулов, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Окулов, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Первичные преобразователи давления криогенных жидкостей
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
von: Голишников, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Голишников, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Определение свойств поверхности кристаллов на основе изучения явления теплопроводности при низких температурах
von: Беляев, Н.Р., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Беляев, Н.Р., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Анализ кинетики роста и прогнозирование размеров кристаллов первичного кремния в заэвтектических силуминах
von: Дмитришина, Я.Ю.
Veröffentlicht: (2013)
von: Дмитришина, Я.Ю.
Veröffentlicht: (2013)
Ähnliche Einträge
-
Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2016) -
Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2008) -
Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)