Зображення обкладинки

Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки

Ge, Si, InGaAs, GaInAsP photodiodes are used as optical radiation receivers and function in a spectral range of transparency of quartz fiberglass. For the optical systems operated in the increased radioactivity the photodetectors' application on In2Hg3Te6 crystal base characterized by a photose...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2016
Автори:	Ashcheulov, A. A., Galochkin, A. V., Romanyuk, I. S., Dremluzhenko, S. G.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2016
Теми:	фотодиод Шоттки радиационная стойкость In2Hg3Te6 Сr
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2016.2-3.03
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2016)

Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
за авторством: Tsybrii, Z. F., та інші
Опубліковано: (2017)

Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
за авторством: Perevertailo, V. L., та інші
Опубліковано: (2010)

Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
за авторством: Perevertailo, V. L.
Опубліковано: (2012)

Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
за авторством: Baranov, V. V., та інші
Опубліковано: (2007)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
за авторством: Sоlоdukha, V. A., та інші
Опубліковано: (2012)

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011)

Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки
за авторством: Кучинский, П.В., та інші
Опубліковано: (2014)

Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
за авторством: Zakharchenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо
за авторством: Мирсагатов, Ш.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)

Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
за авторством: Dobrovolskiy, Yu. G., та інші
Опубліковано: (2011)

Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы
за авторством: Perevertailo, V. L.
Опубліковано: (2011)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2006)

РАДІОХЕМОЕКОЛОГІЧНИЙ СТАН БУХТИ КОЗАЧА (ЧОРНЕ МОРЕ) У ВІДНОШЕННІ ТОКСИЧНИХ МЕТАЛІВ HG, SR, PU ТА PO
за авторством: Терещенко, Н. М., та інші
Опубліковано: (2023)

Radiation-resistant photostructure for Schottky diode based on Cr/In2Hg3Te6
за авторством: A. A. Ashcheulov, та інші
Опубліковано: (2016)

Экономно-легированная никелем азотсодержащая коррозионно-стойкая аустенитная сталь
за авторством: Венец, Ю.С., та інші
Опубліковано: (2000)

Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
за авторством: Dobrovol’skii, Yu. G.
Опубліковано: (2012)

МАТЕМАТИЧНА МОДЕЛЬ СТЕГАНОГРАФІЧНОЇ СИСТЕМИ НА БАЗІ ЗАГАЛЬНОЇ ТЕОРІЇ ОПТИМАЛЬНИХ АЛГОРИТМІВ
за авторством: Кудин, Антон Михайлович
Опубліковано: (2010)

Влияние обработки водородом монокристаллов теллурида кадмия на их спектры оптического пропускания
за авторством: Pigur, O. N., та інші
Опубліковано: (2011)

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
за авторством: Kurmashev, Sh. D., та інші
Опубліковано: (2014)

A maximal \(T\)-space of \(\mathbb{F}_{3}[x]_0\)
за авторством: Bekh-Ochir, Chuluun, та інші
Опубліковано: (2018)

Кавитационно-стойкая Cr-Mn-N-V сталь для высокотемпературной энергетики
за авторством: Кучеренко, П.Н., та інші
Опубліковано: (2018)

Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2007)

Сенсоры на основе CdZnTe для измерений рентгеновского излучения
за авторством: Rybka, A. V., та інші
Опубліковано: (2006)

To the 120th birthday anniversary of Academician R.E. Kavetsky
Опубліковано: (2023)

Моделювання комбінованого діода Шоттки
за авторством: Кісельов, Є.М.
Опубліковано: (2013)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Оптико-электронное устройство в системе контроля габаритов груза железнодорожного состава
за авторством: Dubeshko, A. V., та інші
Опубліковано: (2008)

Направленность сверхизлучения из плазмы сильноточного импульсного плазменного диода
за авторством: Целуйко, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2010)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Sydor, O. N., та інші
Опубліковано: (2012)

Expression of microRNA in tumor cells of endmetrioid carcinoma of endometrium
за авторством: Buchynska, L.G., та інші
Опубліковано: (2023)

Problem of data analysis and forecasting using decision trees method
за авторством: Lytvynenko, T.I.
Опубліковано: (2018)

Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2014)

Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2011)

Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2010)

Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
за авторством: Dobrovolsky, Yu. G.
Опубліковано: (2006)

Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
за авторством: Zakharchenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2007)

Numerical modeling of multidiensional gas flows with implicit iterative scheme
за авторством: Гризун, М. Н., та інші
Опубліковано: (2015)