Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
Ge, Si, InGaAs, GaInAsP photodiodes are used as optical radiation receivers and function in a spectral range of transparency of quartz fiberglass. For the optical systems operated in the increased radioactivity the photodetectors' application on In2Hg3Te6 crystal base characterized by a photose...
Gespeichert in:
| Datum: | 2016 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Ashcheulov, A. A., Galochkin, A. V., Romanyuk, I. S., Dremluzhenko, S. G. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2016
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2016.2-3.03 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
-
Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2016) -
Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
von: Perevertailo, V. L., et al.
Veröffentlicht: (2010) -
Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
von: Tsybrii, Z. F., et al.
Veröffentlicht: (2017) -
Поверхневi та iнтерфейснi зони гетероструктури CdTe–HgTe–CdTe: докази металевостi
von: Yakovkin, I.N.
Veröffentlicht: (2021) -
Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
von: Perevertailo, V. L.
Veröffentlicht: (2012)