Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
Ge, Si, InGaAs, GaInAsP photodiodes are used as optical radiation receivers and function in a spectral range of transparency of quartz fiberglass. For the optical systems operated in the increased radioactivity the photodetectors' application on In2Hg3Te6 crystal base characterized by a photose...
Saved in:
| Date: | 2016 |
|---|---|
| Main Authors: | Ashcheulov, A. A., Galochkin, A. V., Romanyuk, I. S., Dremluzhenko, S. G. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2016
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2016.2-3.03 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentSimilar Items
-
Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки
by: Ащеулов, А.А., et al.
Published: (2016) -
Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
by: Perevertailo, V. L., et al.
Published: (2010) -
Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
by: Tsybrii, Z. F., et al.
Published: (2017) -
Поверхневi та iнтерфейснi зони гетероструктури CdTe–HgTe–CdTe: докази металевостi
by: Yakovkin, I.N.
Published: (2021) -
Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
by: Perevertailo, V. L.
Published: (2012)