Зображення обкладинки

Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки

Ge, Si, InGaAs, GaInAsP photodiodes are used as optical radiation receivers and function in a spectral range of transparency of quartz fiberglass. For the optical systems operated in the increased radioactivity the photodetectors' application on In2Hg3Te6 crystal base characterized by a photose...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2016
Автори:	Ashcheulov, A. A., Galochkin, A. V., Romanyuk, I. S., Dremluzhenko, S. G.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2016
Теми:	фотодиод Шоттки радиационная стойкость In2Hg3Te6 Сr
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2016.2-3.03
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2016)

Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
за авторством: Vlasenko, A. I., та інші
Опубліковано: (2004)

Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
за авторством: Tsybrii, Z. F., та інші
Опубліковано: (2017)

Поверхневi та iнтерфейснi зони гетероструктури CdTe–HgTe–CdTe: докази металевостi
за авторством: Yakovkin, I.N.
Опубліковано: (2021)

Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
за авторством: Perevertailo, V. L., та інші
Опубліковано: (2010)

Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2/Si3N4
за авторством: Voitsekhovskii, A. V., та інші
Опубліковано: (2005)

Особливостi дислокацiйного поглинання ультразвуку в безсубблочних кристалах Cd0,2Hg0,8Te
за авторством: Lysyuk, I. O., та інші
Опубліковано: (2018)

Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
за авторством: Perevertailo, V. L.
Опубліковано: (2012)

Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
за авторством: Baranov, V. V., та інші
Опубліковано: (2007)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
за авторством: Sоlоdukha, V. A., та інші
Опубліковано: (2012)

Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки
за авторством: Anufriev, L. P., та інші
Опубліковано: (2005)

КМОП БИС 16-разрядного микропроцессора, устойчивого к воздействию γ-радиации
за авторством: Verbitsky, V. G., та інші
Опубліковано: (2004)

Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки
за авторством: Кучинский, П.В., та інші
Опубліковано: (2014)

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011)

Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо
за авторством: Мирсагатов, Ш.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов
за авторством: Ryuhtin, V. V., та інші
Опубліковано: (2004)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)

Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
за авторством: Dobrovolskiy, Yu. G., та інші
Опубліковано: (2011)

Дослiдження морфологiї шарiв p-CdHgTe структурованих ковзним опромiненням iонами срiбла
за авторством: Smirnov, A. B., та інші
Опубліковано: (2019)

Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы
за авторством: Perevertailo, V. L.
Опубліковано: (2011)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2006)

Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
за авторством: Zakharchenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Моделювання механізмів транспорту носіїв заряду в HgCdTe та InSb фотодіодах на ділянку спектра 3–5 мкм
за авторством: Tetyorkin, V., та інші
Опубліковано: (2025)

Часи життя носіїв заряду у вузькощілинному Hg1–xCdxTe при міжзонному та внутрішньозонному збудженні
за авторством: Staryi, S., та інші
Опубліковано: (2023)

Radiation-resistant photostructure for Schottky diode based on Cr/In2Hg3Te6
за авторством: A. A. Ashcheulov, та інші
Опубліковано: (2016)

Каскадный инжекционный фотоприемник на основе твердых растворов A2B6-соединений для спектрального диапазона = 500–650 нм
за авторством: Mirsagatov, Sh. A., та інші
Опубліковано: (2018)

Экономно-легированная никелем азотсодержащая коррозионно-стойкая аустенитная сталь
за авторством: Венец, Ю.С., та інші
Опубліковано: (2000)

Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)

РАДІОХЕМОЕКОЛОГІЧНИЙ СТАН БУХТИ КОЗАЧА (ЧОРНЕ МОРЕ) У ВІДНОШЕННІ ТОКСИЧНИХ МЕТАЛІВ HG, SR, PU ТА PO
за авторством: Терещенко, Н. М., та інші
Опубліковано: (2023)

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
за авторством: Dobrovol’skii, Yu. G.
Опубліковано: (2012)

A maximal \(T\)-space of \(\mathbb{F}_{3}[x]_0\)
за авторством: Bekh-Ochir, Chuluun, та інші
Опубліковано: (2018)

Кавитационно-стойкая Cr-Mn-N-V сталь для высокотемпературной энергетики
за авторством: Кучеренко, П.Н., та інші
Опубліковано: (2018)

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
за авторством: Kurmashev, Sh. D., та інші
Опубліковано: (2014)

МАТЕМАТИЧНА МОДЕЛЬ СТЕГАНОГРАФІЧНОЇ СИСТЕМИ НА БАЗІ ЗАГАЛЬНОЇ ТЕОРІЇ ОПТИМАЛЬНИХ АЛГОРИТМІВ
за авторством: Кудин, Антон Михайлович
Опубліковано: (2010)

Оцінка структури ядра 180Hg в моделях IBM-1 та IBM-2
за авторством: Alkotbe, Bashar Alaa, та інші
Опубліковано: (2025)

Влияние обработки водородом монокристаллов теллурида кадмия на их спектры оптического пропускания
за авторством: Pigur, O. N., та інші
Опубліковано: (2011)

To the 120th birthday anniversary of Academician R.E. Kavetsky
Опубліковано: (2023)

Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2007)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Моделювання комбінованого діода Шоттки
за авторством: Кісельов, Є.М.
Опубліковано: (2013)