Зображення обкладинки

Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb

The problem of obtaining of effective edge luminescence with high temperature stability in the zinc selenide crystals is discussed. This task is solved by using as the dopant rare-earth element yttrium, which is introduced into the undoped ZnSe crystal by diffusion method. Doping was carried out in...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2016
Автори:	Makhniy, V. P., Kinzerska, O. V., Senko, I. M., Slyotov, O. M.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2016
Теми:	селенид цинка редкоземельные элементы люминесценция голубая полоса экситон
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2016.2-3.37
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Влияние морфологии поверхности подложек ZnSe:Te на их оптические свойства
за авторством: Makhniy, V. P., та інші
Опубліковано: (2016)

Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
за авторством: Махний, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2015)

High temperature luminescence of ZnSe:Yb crystals
за авторством: V. P. Makhnij, та інші
Опубліковано: (2016)

Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
за авторством: Krukovsky, S. I., та інші
Опубліковано: (2007)

Luminescence of crystals ZnSe 〈Al〉:Gd
за авторством: Makhniy, V.P., та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of ytterbium impurity on luminescent properties of ZnSe/Al/ crystals
за авторством: V. P. Makhniy, та інші
Опубліковано: (2016)

Luminescence of crystals ZnSe &lt;AI&gt;:Gd
за авторством: V. P. Makhniy, та інші
Опубліковано: (2018)

Поверхневі шари ZnSe:Ca з дірковою провідністю
за авторством: Makhniy, V., та інші
Опубліковано: (2019)

Surface ZnSe:Ca layers with hole conductivity
за авторством: V. P. Makhniy, та інші
Опубліковано: (2019)

Surface ZnSe:Ca layers with hole conductivity
за авторством: Makhniy, V.P., та інші
Опубліковано: (2019)

Defect formation on diffusive layers of ZnSe:Sn and ZnSe:Mg
за авторством: Gryvul, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Mechanisms of radiative and nonradiative recombination in ZnSe:Cr and ZnSe:Fe
за авторством: Godlewski, M., та інші
Опубліковано: (2004)

Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота
за авторством: Станецкая, А.С., та інші
Опубліковано: (2014)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Sydor, O. N., та інші
Опубліковано: (2012)

Physical properties of ZnSe-MgSe, ZnSe-CdS solid solutions and possibilities of their application in IR engineering
за авторством: Zagoruiko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2000)

Dipole-center in ZnSe crystals
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2022)

Dipole-center in ZnSe crystals
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2022)

Influence of ZnSe:Te substrate&#039;s surface morphology on their optical properties
за авторством: V. P. Makhnij, та інші
Опубліковано: (2016)

Моделирование электротоковых микрореле
за авторством: Krival, I. I., та інші
Опубліковано: (2011)

Luminescence of Dipole-centers in ZnSe crystals
за авторством: Alizadeh, M., та інші
Опубліковано: (2017)

Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Dehoda, та інші
Опубліковано: (2019)

Parameters of charge carrier traps in ZnSe
за авторством: Ya. Degoda, та інші
Опубліковано: (2019)

IR luminescence of ZnSe-based scintillators
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2004)

Obtaining of ZnSe nanocrystals from ZnSe bulk crystals by mechanical milling and chemical vapor deposition in silica matrices
за авторством: Voloshina, L.I., та інші
Опубліковано: (2017)

Photoluminescence of ZnSe nanocrystals at high excitation level
за авторством: Tishchenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2009)

ZnSe:Cr²⁺ laser crystals grown by Bridgman method
за авторством: Komar, V.K., та інші
Опубліковано: (2009)

Optical absorption and photoconductivity of ZnSe:Co single crystals
за авторством: Vaksman, Yu.F., та інші
Опубліковано: (2007)

Interaction of hydrogen with lattice defects in ZnSe(X) crystals
за авторством: Gal'chinetskii, L.P., та інші
Опубліковано: (2011)

Ультразвуковые исследования фазового перехода в ZnSe:Ni
за авторством: Гудков, В.В., та інші
Опубліковано: (2004)

On the optimum geometric shapes of ZnSe-based scintillation elements
за авторством: Katrunov, K., та інші
Опубліковано: (2004)

Characterization of ZnSe nanocrystals grown by vapor phase epitaxy
за авторством: Tishchenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2006)

Tem investigation of CuInSe₂-ZnSe heterostructures for thin film solar cells
за авторством: Grigorov, S.N., та інші
Опубліковано: (2008)

Structural and optical characteristics of ZnSe and CdSe films condensed on non-oriented substrates
за авторством: Ivashchenko, M.M., та інші
Опубліковано: (2011)

Effect of thermal annealing on the luminescent characteristics of CdSe/ZnSe quantum dot heterostructure
за авторством: Borkovska, L.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Deep-level defects in CdSe/ZnSe QDs and giant anti-Stokes photoluminescence
за авторством: Valakh, M.Ya., та інші
Опубліковано: (2002)

Structural and optical characteristics of ZnSe and CdSe films condensed on non-oriented substrates
за авторством: M. M. Ivashchenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Effect of thermal annealing on the luminescent characteristics of CdSe/ZnSe quantum dot heterostructure
за авторством: L. V. Borkovska, та інші
Опубліковано: (2010)

Interaction of nuclear radiations with scintillation crystals ZnSe(O, Te)
за авторством: Gal’chinetskii, L.P., та інші
Опубліковано: (2006)

X-ray characterization of ZnSe single crystals doped with Mg
за авторством: Fedorov, A.G., та інші
Опубліковано: (2001)