Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
The problem of obtaining of effective edge luminescence with high temperature stability in the zinc selenide crystals is discussed. This task is solved by using as the dopant rare-earth element yttrium, which is introduced into the undoped ZnSe crystal by diffusion method. Doping was carried out in...
Gespeichert in:
| Datum: | 2016 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Makhniy, V. P., Kinzerska, O. V., Senko, I. M., Slyotov, O. M. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2016
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2016.2-3.37 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
-
Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
von: Махний, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016) -
Влияние морфологии поверхности подложек ZnSe:Te на их оптические свойства
von: Makhniy, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2016) -
High temperature luminescence of ZnSe:Yb crystals
von: V. P. Makhnij, et al.
Veröffentlicht: (2016) -
Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2015) -
Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
von: Sydor, O. N., et al.
Veröffentlicht: (2012)