Зображення обкладинки

Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer: Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх

In spite of many efforts to propose new semiconductor materials and sophisticated constructions of solar cells, crystalline silicone remains the main photovoltaic material widely used up to now. There are various methods to enhance the efficiency of silicone solar cells. One of them is to combine si...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2015
Автори:	Gnilenko, A. B., Lavrich, Ju. N., Plaksin, S. V.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2015
Теми:	фотоэлектрический преобразователь тандемный солнечный элемент буферный слой Silvaco TCAD диффузионно-дрейфовая модель вольт-амперная характеристика КПД
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2015.5-6.28
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
за авторством: Гниленко, А.Б., та інші
Опубліковано: (2015)

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)

The effect of strain on the thermodynamic properties of Ge-Si, Ge-Sn, Si-Sn, Si-C thin solid films
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2002)

Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
за авторством: Комник, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2000)

Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)

Transformation of addimers &gt;Ge=Ge&lt;, &gt;Ge=Si&lt; AND &gt;Si=Si&lt; on the relaxed side of Si (001) (4 Ч 2)
за авторством: M. I. Terebinska, та інші
Опубліковано: (2021)

Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si
за авторством: Хижный, В.И.
Опубліковано: (2008)

Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2017)

Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures
за авторством: Kozyrev, Yu.N., та інші
Опубліковано: (2008)

Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2006)

Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2011)

Динамические механические характеристики монокристаллов системы Si-Ge
за авторством: Дарсавелидзе, Г.Ш., та інші
Опубліковано: (2013)

Modification of radiation defects in Si and Ge by background impurity
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2013)

Peculiarities of Si-Ge whisker growing by CTR method
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2005)

Characterization of quaternary chalcogenide As-Ge-Te-Si thin films
за авторством: Amer, H.H., та інші
Опубліковано: (2011)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2015)

Total energy, equation of states and bulk modulus of Si and Ge
за авторством: Jivani, A.R., та інші
Опубліковано: (2002)

Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)

Characterization of quaternary chalcogenide As-Ge-Te-Si thin films
за авторством: H. H. Amer, та інші
Опубліковано: (2011)

Structure of the dimeric adsorption complex Ge on the face of Si(001)
за авторством: O. I. Tkachuk, та інші
Опубліковано: (2013)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Overheating effect and hole-phonon interaction in SiGe heterostructures
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2008)

Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії
за авторством: Козирев, Ю.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
за авторством: Yu. M. Gudenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
за авторством: Gudenko1, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2011)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: Kondratenko, S.V.
Опубліковано: (2015)

Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)

Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2012)

Seebeck&#039;s effect in p-SiGe whisker samples
за авторством: A. P. Dolgolenko, та інші
Опубліковано: (2011)

SiGe HBT low noise amplifiers for ultra-wideband systems
за авторством: V. P. Popov, та інші
Опубліковано: (2013)

Photoconductivity mechanism in structures with Ge-nanoclusters grown on Si(100) surface
за авторством: Ye. Ye. Melnichuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)

Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)

Morphology and optical constants of ge nanocrystalline films deposited on Si(001)
за авторством: Yu. M. Kozyriev, та інші
Опубліковано: (2016)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: S. V. Kondratenko
Опубліковано: (2015)

Interference effects in the Si–Ge heterostructures with quantum wells of different width
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2016)

Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2000)

Investigations of the temperature dependence of the width prohibited zone Si and Ge using the model
за авторством: Ju. Sharibaev
Опубліковано: (2013)