Buchumschlag

Исследование кристаллов Cu2ZnSnTe4 и гетеропереходов на их основе

The paper reports on the results of the studies of magnetic, kinetic and optical properties of Cu2ZnSnTe4 crystals. The Cu2ZnSnTe4 crystals showed diamagnetic properties (the magnetic susceptibility almost independent of the magnetic field and temperature). The Cu2ZnSnTe4 ...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2015
Hauptverfasser:	Kovaliuk, T. T., Solovan, M. N., Mostovyi, A. I., Maistruk, E. V., Parkhomenko, G. P., Maryanchuk, P. D.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2015
Schlagworte:	кристалл магнитная восприимчивость гетеропереход тонкая пленка
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2015.5-6.45
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Магнитные и кинетические свойства кристаллов Hg1–x–yCdxDyySe
von: Kovalyuk, T. T., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1–x(Al2Te3)x, легированных марганцем
von: Maryanchuk, P. D., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
von: Mostovyi, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Исследование кристаллов Cu₂ZnSnTe₄ и гетеропереходов на их основе
von: Ковалюк, Т.Т., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
von: Parkhomenko, H. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1)
von: Katerinchuk, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Semenov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Исследование кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ и гетеропереходов на их на основе
von: Ковалюк, Т.Т., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Дослідження кристалів Cu2ZnSnSe4 та гетеропереходів на їхній основі
von: Kovaliuk, T. T., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Повышение зонной избирательности электромагнитных кристаллов
von: Nazarko, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Electrical properties of Sis heterostructures n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe
von: I. G. Orletskyi, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Електричні властивості НДН-гетероструктур n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe
von: Orletskyi, I. G., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Датчик для измерения криогенных температур на основе нитевидных кристаллов Si-Ge
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Особенности топологии поверхности слоистых кристаллов In₄Se₃
von: Balitsky, A. A.
Veröffentlicht: (2006)

Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Electrical properties of Sis heterostructures n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe
von: I. H. Orletskyi, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
von: Kovaliuk, Taras, et al.
Veröffentlicht: (2021)

СИНТЕЗ ОПТИМАЛЬНОЙ МАГНИТНОЙ СИСТЕМЫ С ПОСТОЯННЫМИ МАГНИТАМИ ДЛЯ АДРЕСНОЙ ДОСТАВКИ МАГНИТНЫХ НАНОЧАСТИЦ В ЗАДАННУЮ ОБЛАСТЬ БИОЛОГИЧЕСКИХ СРЕД
von: Подольцев , А.Д., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Структура Те-CdTe со свойством электронного переключения с памятью
von: Baidullaeva, А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe
von: Леонов, С.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Electrical properties and energy parameters of photosensitive n-Mn2O3/n-CdZnTe heterostructures
von: I. G. Orletskyi, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Перестраиваемая линия задержки сигнала СВЧ-диапазона на основе сегнетоэлектрических и алмазных пленок
von: Afanasyev, M. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Мощные резисторы нового поколения на основе углеродных (алмазоподобных) пленок
von: Rotner, S. M., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Електричні властивості і енергетичні параметри фото-чутливих гетероструктур n-Mn2O3/n-CdZnTe
von: Orlets’kyi, I.G., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe
von: Мостовой, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Electrical and photoelectric properties of MoN/p-CdTe and MoN/n-CdTe heterojunctions
von: T. T. Kovaliuk, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Микрополосковые электромагнитные кристаллы с низкоимпедансными неоднородностями
von: Nazarko, A. I.
Veröffentlicht: (2012)

ЗАДАЧА ПРИВЕДЕНИЯ ДЛЯ РЕГУЛЯРНОЙ СИСТЕМЫ ПОЛЫХ КРУГОВЫХ ЦИЛИНДРОВ С ПРОИЗВОЛЬНОЙ РЕШЕТКОЙ ПЕРИОДОВ
von: Толмачев, С.Т., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Системы контроля-мониторинга температуры и влажности среды на основе толстых пленок оксишпинелей
von: Vakiv, N. M.
Veröffentlicht: (2010)

МОДЕЛИРОВАНИЕ ДИНАМИКИ МАГНИТНЫХ НАНОЧАСТИЦ ПРИ ИХ СЕПАРАЦИИ
von: Бондаревский, С.Л., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Компьютерная обработка изображений, полученных при помощи сенсора на базе гетероперехода CdS–Cu2S
von: Borschak, V. A.
Veröffentlicht: (2012)

Универсальная система для измерения усилия-перемещения
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
von: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Безадгезивные акустические мембраны на полиимидной основе
von: Vorob'ev, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Study on Cu2ZnSnSe4 crystals and heterojunctions on their basis
von: T. T. Kovaljuk, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
von: Makhniy, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
von: Загоруйко, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Фоторефрактивные кристаллы в запоминающих устройствах оптоэлектронных процессоров корреляционного типа
von: Lipinskii, A. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2011)