Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
The article is devoted to studying of influence of vacuum low-temperature annealing on the electrical and photoelectric characteristics of n-ZnO-p-InSe heterostructure.Indium monoselenide (InSe) is a semiconductor of the A3B6 group of layered compounds. The basic unit consists of two planes...
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2015
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2015.5-6.50 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |