Buchumschlag

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe

The article is devoted to studying of influence of vacuum low-temperature annealing on the electrical and photoelectric characteristics of n-ZnO-p-InSe heterostructure.Indium monoselenide (InSe) is a semiconductor of the A3B6 group of layered compounds. The basic unit consists of two planes...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2015
Hauptverfasser:	Kovalyuk, Z. D., Katerynchuk, V. M., Kudrynskyi, Z. R., Kushnir, B. V., Netyaga, V. V., Khomyak, V. V.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2015
Schlagworte:	селенид индия оксид цинка тонкая пленка гетеропереход ВАХ спектральная фоточувствительность
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2015.5-6.50
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Исследование кристаллов Cu2ZnSnTe4 и гетеропереходов на их основе
von: Kovaliuk, T. T., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
von: Sydor, O. N., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
von: Mostovyi, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
von: Makhniy, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
von: Kudryk, Ya. Ya.
Veröffentlicht: (2009)

Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1)
von: Katerinchuk, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Влияние морфологии поверхности подложек ZnSe:Te на их оптические свойства
von: Makhniy, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
von: Parkhomenko, H. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Компьютерная обработка изображений, полученных при помощи сенсора на базе гетероперехода CdS–Cu2S
von: Borschak, V. A.
Veröffentlicht: (2012)

Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂
von: Katerynchuk, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Photoelectric properties of In₂O₃-InSe heterostructure with nanostructured oxide
von: Katerynchuk, V.M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
von: Abdulkhaev, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Photoelectric properties of In2O3-InSe heterostructure with nanostructured oxide
von: V. M. Katerynchuk, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Cвязь параметров спектральной плотности фликкер-шума с особенностями внутренней структуры системы
von: Kolodiy, Z. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Sheet resistance and surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals
von: V. M. Katerynchuk, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Sheet resistance and surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals
von: Katerynchuk, V.M., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Kudrynskyi, Z. R., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Изучение адсорбционных состояний в керамике ZnO–Ag методом ТВЭ-кривых
von: Lyashkov, A. Yu.
Veröffentlicht: (2013)

Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
von: Tsybrii, Z. F., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Electrical and photoelectrical properties of n-InSe/p-CuInSe₂ optical contact
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Массивы нанопроводов из антимонида индия для перспективных термоэлектрических устройств
von: Gorokh, G. G., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Semenov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)

ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ДВОЙНОГО РЯДА ФУРЬЕ ДЛЯ РАСЧЕТА СПЕКТРА МОДУЛИРОВАННЫХ СИГНАЛОВ
von: Вербицкий , Е.В.
Veröffentlicht: (2014)

Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
von: Z. D. Kovalyuk, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Мощные резисторы нового поколения на основе углеродных (алмазоподобных) пленок
von: Rotner, S. M., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Перестраиваемая линия задержки сигнала СВЧ-диапазона на основе сегнетоэлектрических и алмазных пленок
von: Afanasyev, M. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Catalytic properties of reduced graphene oxide deposited on aluminum and magnesium oxides in acetylene hydrogenation
von: Nosach, Viktoriia V., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Topology of the surface of thin oxide films CdO formed on van der Waals surfaces of InSe and GaSe layered crystals
von: Z. R. Kudrynskyi
Veröffentlicht: (2013)

Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
von: Katerynchuk, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
von: Boltovets, N. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Novitskyi, S. V.
Veröffentlicht: (2012)

Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
von: Kulinich, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Electrical properties of fast cooled InSe single crystals
von: Zaslonkin, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Безадгезивные акустические мембраны на полиимидной основе
von: Vorob'ev, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2014)