Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
The article is devoted to studying of influence of vacuum low-temperature annealing on the electrical and photoelectric characteristics of n-ZnO-p-InSe heterostructure.Indium monoselenide (InSe) is a semiconductor of the A3B6 group of layered compounds. The basic unit consists of two planes...
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2015
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2015.5-6.50 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Sydor, O. N., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sydor, O. N., та інші
Опубліковано: (2012)
Исследование кристаллов Cu2ZnSnTe4 и гетеропереходов на их основе
за авторством: Kovaliuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kovaliuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2015)
Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
за авторством: Makhniy, V. P., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Makhniy, V. P., та інші
Опубліковано: (2016)
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
за авторством: Mostovyi, A. I., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Mostovyi, A. I., та інші
Опубліковано: (2013)
Влияние морфологии поверхности подложек ZnSe:Te на их оптические свойства
за авторством: Makhniy, V. P., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Makhniy, V. P., та інші
Опубліковано: (2016)
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2009)
Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
за авторством: Kudryk, Ya. Ya.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kudryk, Ya. Ya.
Опубліковано: (2009)
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
за авторством: Abdulkhaev, O. A., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Abdulkhaev, O. A., та інші
Опубліковано: (2015)
Компьютерная обработка изображений, полученных при помощи сенсора на базе гетероперехода CdS–Cu2S
за авторством: Borschak, V. A.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Borschak, V. A.
Опубліковано: (2012)
Изучение адсорбционных состояний в керамике ZnO–Ag методом ТВЭ-кривых
за авторством: Lyashkov, A. Yu.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Lyashkov, A. Yu.
Опубліковано: (2013)
Cвязь параметров спектральной плотности фликкер-шума с особенностями внутренней структуры системы
за авторством: Kolodiy, Z. A., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kolodiy, Z. A., та інші
Опубліковано: (2009)
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
за авторством: Kudrynskyi, Z. R., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kudrynskyi, Z. R., та інші
Опубліковано: (2012)
Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
за авторством: Tsybrii, Z. F., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Tsybrii, Z. F., та інші
Опубліковано: (2017)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)
ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ДВОЙНОГО РЯДА ФУРЬЕ ДЛЯ РАСЧЕТА СПЕКТРА МОДУЛИРОВАННЫХ СИГНАЛОВ
за авторством: Вербицкий , Е.В.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Вербицкий , Е.В.
Опубліковано: (2014)
Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)
Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
за авторством: Bobrenko, Yu. N., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Bobrenko, Yu. N., та інші
Опубліковано: (2009)
Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
за авторством: Katerynchuk, V. M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Katerynchuk, V. M., та інші
Опубліковано: (2010)
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)
Влияние нелинейных эффектов на спектральную эффективность многовходовых антенных систем
за авторством: Vishniakova, Ju. V.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Vishniakova, Ju. V.
Опубліковано: (2015)
Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI
за авторством: Starzhinskiy, N. G., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Starzhinskiy, N. G., та інші
Опубліковано: (2012)
Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
за авторством: Boltovets, N. S., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Boltovets, N. S., та інші
Опубліковано: (2010)
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
за авторством: Novitskyi, S. V.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Novitskyi, S. V.
Опубліковано: (2012)
Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
за авторством: Bobrenko, Yu. N., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Bobrenko, Yu. N., та інші
Опубліковано: (2012)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)
Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
за авторством: Melebayew, D., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Melebayew, D., та інші
Опубліковано: (2008)
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)
Омические контакты к материалам на основе нитрида индия
за авторством: Sai, P. O.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Sai, P. O.
Опубліковано: (2016)
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
Массивы нанопроводов из антимонида индия для перспективных термоэлектрических устройств
за авторством: Gorokh, G. G., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Gorokh, G. G., та інші
Опубліковано: (2015)
Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
за авторством: Popov, V. M., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Popov, V. M., та інші
Опубліковано: (2009)
Старинные парки и сады в Северной и Восточной Индии
за авторством: Kazarova, S. Y., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Kazarova, S. Y., та інші
Опубліковано: (2021)
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Кинетика деформации ВАХ оксидных варисторных структур, обусловленная перезарядкой локализованных состояний
за авторством: Tonkoshkur, A. S., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Tonkoshkur, A. S., та інші
Опубліковано: (2014)
Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
за авторством: Pokladok, N. T., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Pokladok, N. T., та інші
Опубліковано: (2013)
Конденсаторы на основе интеркалата GaSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2010)
Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
за авторством: Druzhinin, А. A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Druzhinin, А. A., та інші
Опубліковано: (2012)
Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
за авторством: Yermolenko, Ye. O., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Yermolenko, Ye. O., та інші
Опубліковано: (2012)
Фотокаталітичне утворення та фотоіндуковане зарядження наноструктур ZnO–Au
за авторством: Stroyuk, O. L., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Stroyuk, O. L., та інші
Опубліковано: (2010)
Одержання та дослідження гетероструктури ZnO:Al/por-Si/Si
за авторством: Dyadenchuk, A. F., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Dyadenchuk, A. F., та інші
Опубліковано: (2020)