Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
Currently, silicon and germanium, the most common materials in the production of discrete semiconductor devices and integrated circuits, do not always meet all the requirements to the sensing elements of mechanical quantities sensors. Therefore, it is logical to research the properties of other semi...
Gespeichert in:
| Datum: | 2015 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Druzhinin, A. A., Maryamova, I. I., Kutrakov, A. P., Liakh-Kaguy, N. S. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2015
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2015.4.19 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
-
Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2015) -
Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Система измерения магнитного поля и температуры с цифровой обработкой сигнала
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
von: Andronova, E. V., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Массивы нанопроводов из антимонида индия для перспективных термоэлектрических устройств
von: Gorokh, G. G., et al.
Veröffentlicht: (2015)