Cover Image

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания

In recent years, transmission and reception systems of optical signals are widely used. Receiving the optical signal in such systems is carried by photoreceiving modules based on a photodetector, which defines the quality of the received signal, the range and speed of the entire system. However, hit...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Date:	2015
Main Authors:	Abdulkhaev, O. A., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Kuliyev, S. M.
Format:	Article
Language:	Ukrainian
Published:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2015
Subjects:	фотоприемник обратный ток эффект смыкания тонкая база область объемного заряда фоточувствительность ограничитель напряжения
Online Access:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2015.4.24
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Similar Items

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
by: Абдулхаев, О.А., et al.
Published: (2015)

Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
by: Yodgorova, D. M.
Published: (2010)

Двухспектральный фотоприемник
by: Dobrovol’sky, Yu. G., et al.
Published: (2005)

Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2005)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2008)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
by: Kovalyuk, Z. D., et al.
Published: (2015)

Установка для измерения удельного коэффициента силы света материалов со световозвращающим эффектом
by: Butenko, V. K., et al.
Published: (2009)

Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
by: Bobrenko, Yu. N., et al.
Published: (2009)

Координатно-чувствительный фотоэлектромагнитный детектор ИК-излучения на основе HgCdTe
by: Bodnaruk, O. A., et al.
Published: (2004)

Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2005)

Двухспектральный фотоприемник
by: Добровольский, Ю.Г., et al.
Published: (2005)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)

Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
by: Rakhmatov, A. Z., et al.
Published: (2010)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)

Исследование кристаллов Cu2ZnSnTe4 и гетеропереходов на их основе
by: Kovaliuk, T. T., et al.
Published: (2015)

Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2012)

Пассивные ограничители иммитанса
by: Filinyuk, N. A., et al.
Published: (2015)

Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
by: Yodgorova, D. М.
Published: (2006)

Cравнительные характеристики оптронов с открытым оптическим каналом
by: Shvets, O. H., et al.
Published: (2008)

Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2006)

Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
by: Dobrovolsky, Yu. G.
Published: (2006)

Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2014)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
by: Semenov, A. V., et al.
Published: (2012)

Коррекция оптических эффектов близости при проектировании микросхем
by: Rodionov, I. A., et al.
Published: (2007)

Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p–n–m-структурах
by: Yodgorova, D. М., et al.
Published: (2006)

Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
by: Yodgorova, D. M.
Published: (2006)

Ультрафиолетовый радиометр диапазона 300...400 нм
by: Ashcheulov, A. A., et al.
Published: (2004)

Переохлаждение при кристаллизации пленок висмута на германиевой подложке
by: Колендовский, М.М., et al.
Published: (2007)

Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
by: Parkhomenko, H. P., et al.
Published: (2016)

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
by: Mostovyi, A. I., et al.
Published: (2013)

Радиоволновые датчики дымовых газов ТЭС
by: Ivanova, P. E., et al.
Published: (2009)

Устройство для охлаждения элементов микроэлектронной аппаратуры
by: Ashcheulov, A. A., et al.
Published: (2004)

Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2011)

Использование фотоприемных устройств в качестве контрольных для снижения погрешности измерений
by: Nitsovych, B. M., et al.
Published: (2004)

Исследование фотоэлектрических характеристик микрофототерминала
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2006)

Высокочувствительный модуляционный радиометрический приемник диапазона частот 92...96 ГГц.
by: Бережной, В.А., et al.
Published: (2003)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2012)

Емкость тонкого проводника прямоугольного сечения в микросхеме
by: Konnikov, I. A.
Published: (2006)

Переохлаждение при кристаллизации эвтектики Ge-Au на аморфной германиевой подложке
by: Сухов, Р.В., et al.
Published: (2010)