Зображення обкладинки

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания

In recent years, transmission and reception systems of optical signals are widely used. Receiving the optical signal in such systems is carried by photoreceiving modules based on a photodetector, which defines the quality of the received signal, the range and speed of the entire system. However, hit...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2015
Автори:	Abdulkhaev, O. A., Yodgorova, D. M., Karimov, A. V., Kuliyev, S. M.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2015
Теми:	фотоприемник обратный ток эффект смыкания тонкая база область объемного заряда фоточувствительность ограничитель напряжения
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2015.4.24
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2015)

Эффект усиления фототока в фотодиодной структуре с прямо- и обратновключенными переходами
за авторством: Yodgorova, D. M.
Опубліковано: (2010)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)

Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
за авторством: Bobrenko, Yu. N., та інші
Опубліковано: (2009)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2015)

Установка для измерения удельного коэффициента силы света материалов со световозвращающим эффектом
за авторством: Butenko, V. K., та інші
Опубліковано: (2009)

Двухспектральный фотоприемник
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2005)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
за авторством: Rakhmatov, A. Z., та інші
Опубліковано: (2010)

Cравнительные характеристики оптронов с открытым оптическим каналом
за авторством: Shvets, O. H., та інші
Опубліковано: (2008)

Исследование кристаллов Cu2ZnSnTe4 и гетеропереходов на их основе
за авторством: Kovaliuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2015)

Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)

Пассивные ограничители иммитанса
за авторством: Filinyuk, N. A., та інші
Опубліковано: (2015)

Коррекция оптических эффектов близости при проектировании микросхем
за авторством: Rodionov, I. A., та інші
Опубліковано: (2007)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)

Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2014)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)

Радиоволновые датчики дымовых газов ТЭС
за авторством: Ivanova, P. E., та інші
Опубліковано: (2009)

Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2011)

Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
за авторством: Mostovyi, A. I., та інші
Опубліковано: (2013)

Переохлаждение при кристаллизации пленок висмута на германиевой подложке
за авторством: Колендовский, М.М., та інші
Опубліковано: (2007)

Высокочувствительный модуляционный радиометрический приемник диапазона частот 92...96 ГГц.
за авторством: Бережной, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)

Новое поколение преобразователей "ток – напряжение" для измерения фотосигналов
за авторством: Butenko, V. K., та інші
Опубліковано: (2008)

Переохлаждение при кристаллизации эвтектики Ge-Au на аморфной германиевой подложке
за авторством: Сухов, Р.В., та інші
Опубліковано: (2010)

Магнитокоммутируемая микросхема и датчик измерения скорости ветра на ее основе
за авторством: Kasimov, F. D., та інші
Опубліковано: (2009)

АНАЛИЗ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ПРОЦЕССОВ В ОДНОФАЗНОМ ТРЕХУРОВНЕВОМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕ
за авторством: Брованов, С.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
за авторством: Dobrovolskiy, Yu. G., та інші
Опубліковано: (2011)

ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТНОГО ЭФФЕКТА В ФЕРРОМАГНЕТИКЕ ПРИ СИНУСОИДАЛЬНОМ МАГНИТНОМ ПОТОКЕ
за авторством: Петухов, И.С.
Опубліковано: (2013)

О динамике систем с кооперативным эффектом
за авторством: Добрынский, В.А.
Опубліковано: (1989)

Поверхностно-барьерные структуры для ультрафиолетовых сенсоров пламени
за авторством: Bobrenko, Yu. N., та інші
Опубліковано: (2007)

Входное устройство для РЛС с защитой от мощного сигнала
за авторством: Yakovlev, I. V., та інші
Опубліковано: (2007)

Высокочувствительный СВЧ измеритель влагосодержания в неполярных диэлектрических жидкостях на основе ступенчатого неоднородного коаксиального резонатора
за авторством: Рудаков, В.В., та інші
Опубліковано: (2016)

О ВЛИЯНИИ ОЗОНА НА ХАРАКТЕРИСТИКИ КОРОННОГО РАЗРЯДА В ВОЗДУХЕ
за авторством: Блага , А.В., та інші
Опубліковано: (2012)

АПЕРИОДИЧЕСКИЕ И КОЛЕБАТЕЛЬНЫЕ ПРОЦЕССЫ РАЗРЯДА КОНДЕНСАТОРА ПРИ ПРИНУДИТЕЛЬНОМ ОГРАНИЧЕНИИ ДЛИТЕЛЬНОСТИ ТОКОВ В НАГРУЗКЕ
за авторством: Щерба , А.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
за авторством: Melebayev, D., та інші
Опубліковано: (2007)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
за авторством: Melebayew, D., та інші
Опубліковано: (2008)

Влияние морфологии поверхности подложек ZnSe:Te на их оптические свойства
за авторством: Makhniy, V. P., та інші
Опубліковано: (2016)