Збільшення чутливості та радіаційної стійкості сенсорів-перетворювачів температури на основі генераторів на одноперехідних транзисторах
The authors experimentally study the influence of temperature and radiation on the characteristics of generators based on a unijunction transistor (UJT). It is shown that when using a UJT-based generator as a sensor-converter with a frequency output, field-effect transistors are placed into the UJT...
Збережено в:
| Дата: | 2023 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2023
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2023.3-4.35 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| id |
oai:tkea.com.ua:article-30 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
oai:tkea.com.ua:article-302025-08-11T09:08:27Z Increasing the sensitivity and radiation resistance of temperature sensor-converters using generators based on unijunction transistors Збільшення чутливості та радіаційної стійкості сенсорів-перетворювачів температури на основі генераторів на одноперехідних транзисторах Vikulin, Ivan Vikulinа, Lidiya Markolenko, Pavlo Nazarenko, Oleksandr sensor converter unijunction transistor field-effect transistor temperature dependence radiation resistance сенсор-перетворювач одноперехідний транзистор польовий транзистор температурна залежність радіаційна стійкість The authors experimentally study the influence of temperature and radiation on the characteristics of generators based on a unijunction transistor (UJT). It is shown that when using a UJT-based generator as a sensor-converter with a frequency output, field-effect transistors are placed into the UJT emitter and base circuits to increase the dependence of frequency on temperature. Maximum sensitivity with direct dependence of frequency on temperature is achieved when a field-effect MOS transistor is connected to the emitter circuit UJT, and a field-effect transistor with a p-n junction is connected to the base circuit. The influence of radiation on the thermal sensitivity of generators is studied. The component transistors are irradiated with a flow of electrons, γ-quanta and neutrons. It is established that the irradiation of each transistor has a different effect on the initial frequency of the generator; it either decreases or increases. It is shown that it is possible to reduce the dependence of the output frequency on radiation using a transistor generator circuit with the opposite sign of the change in the generator frequency due to radiation. Maximum compensation for the effect of radiation on the output signal can be obtained by using a MOS transistor in the UJT emitter circuit, and a transistor with a p-n junction in the base circuit. The study establishes the limit values for fluxes of various radiations, after which the generator stops working. Експериментально досліджено вплив температури та радіації на характеристики генераторів на основі одноперехідного транзистора (ОПТ). Для підсилення залежності частоти від температури в коло емітера ОПТ та бази вводяться польові транзистори. Максимальна чутливість з прямою залежністю частоти від температури та максимальна компенсація дії радіації на вихідний сигнал досягається при включенні в коло емітера ОПТ польового МДН-транзистора, а в коло бази — польового транзистора з p-n-переходом. Встановлено також граничні величини потоків різних випромінювань, вище яких генератор перестає працювати. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2023-12-19 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2023.3-4.35 10.15222/TKEA2023.3-4.35 Technology and design in electronic equipment; No. 3–4 (2023): Technology and design in electronic equipment; 35-38 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3–4 (2023): Технологія та конструювання в електронній апаратурі; 35-38 3083-6549 3083-6530 10.15222/TKEA2023.3-4 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2023.3-4.35/25 Copyright (c) 2023 Ivan Vikulin, Lidiya Vikulinа, Pavlo Markolenko, Oleksandr Nazarenko http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| institution |
Technology and design in electronic equipment |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2025-08-11T09:08:27Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian |
| topic |
сенсор-перетворювач одноперехідний транзистор польовий транзистор температурна залежність радіаційна стійкість |
| spellingShingle |
сенсор-перетворювач одноперехідний транзистор польовий транзистор температурна залежність радіаційна стійкість Vikulin, Ivan Vikulinа, Lidiya Markolenko, Pavlo Nazarenko, Oleksandr Збільшення чутливості та радіаційної стійкості сенсорів-перетворювачів температури на основі генераторів на одноперехідних транзисторах |
| topic_facet |
sensor converter unijunction transistor field-effect transistor temperature dependence radiation resistance сенсор-перетворювач одноперехідний транзистор польовий транзистор температурна залежність радіаційна стійкість |
| format |
Article |
| author |
Vikulin, Ivan Vikulinа, Lidiya Markolenko, Pavlo Nazarenko, Oleksandr |
| author_facet |
Vikulin, Ivan Vikulinа, Lidiya Markolenko, Pavlo Nazarenko, Oleksandr |
| author_sort |
Vikulin, Ivan |
| title |
Збільшення чутливості та радіаційної стійкості сенсорів-перетворювачів температури на основі генераторів на одноперехідних транзисторах |
| title_short |
Збільшення чутливості та радіаційної стійкості сенсорів-перетворювачів температури на основі генераторів на одноперехідних транзисторах |
| title_full |
Збільшення чутливості та радіаційної стійкості сенсорів-перетворювачів температури на основі генераторів на одноперехідних транзисторах |
| title_fullStr |
Збільшення чутливості та радіаційної стійкості сенсорів-перетворювачів температури на основі генераторів на одноперехідних транзисторах |
| title_full_unstemmed |
Збільшення чутливості та радіаційної стійкості сенсорів-перетворювачів температури на основі генераторів на одноперехідних транзисторах |
| title_sort |
збільшення чутливості та радіаційної стійкості сенсорів-перетворювачів температури на основі генераторів на одноперехідних транзисторах |
| title_alt |
Increasing the sensitivity and radiation resistance of temperature sensor-converters using generators based on unijunction transistors |
| description |
The authors experimentally study the influence of temperature and radiation on the characteristics of generators based on a unijunction transistor (UJT). It is shown that when using a UJT-based generator as a sensor-converter with a frequency output, field-effect transistors are placed into the UJT emitter and base circuits to increase the dependence of frequency on temperature. Maximum sensitivity with direct dependence of frequency on temperature is achieved when a field-effect MOS transistor is connected to the emitter circuit UJT, and a field-effect transistor with a p-n junction is connected to the base circuit. The influence of radiation on the thermal sensitivity of generators is studied. The component transistors are irradiated with a flow of electrons, γ-quanta and neutrons. It is established that the irradiation of each transistor has a different effect on the initial frequency of the generator; it either decreases or increases. It is shown that it is possible to reduce the dependence of the output frequency on radiation using a transistor generator circuit with the opposite sign of the change in the generator frequency due to radiation. Maximum compensation for the effect of radiation on the output signal can be obtained by using a MOS transistor in the UJT emitter circuit, and a transistor with a p-n junction in the base circuit. The study establishes the limit values for fluxes of various radiations, after which the generator stops working. |
| publisher |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| publishDate |
2023 |
| url |
https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2023.3-4.35 |
| work_keys_str_mv |
AT vikulinivan increasingthesensitivityandradiationresistanceoftemperaturesensorconvertersusinggeneratorsbasedonunijunctiontransistors AT vikulinalidiya increasingthesensitivityandradiationresistanceoftemperaturesensorconvertersusinggeneratorsbasedonunijunctiontransistors AT markolenkopavlo increasingthesensitivityandradiationresistanceoftemperaturesensorconvertersusinggeneratorsbasedonunijunctiontransistors AT nazarenkooleksandr increasingthesensitivityandradiationresistanceoftemperaturesensorconvertersusinggeneratorsbasedonunijunctiontransistors AT vikulinivan zbílʹšennâčutlivostítaradíacíjnoístíjkostísensorívperetvorûvačívtemperaturinaosnovígeneratorívnaodnoperehídnihtranzistorah AT vikulinalidiya zbílʹšennâčutlivostítaradíacíjnoístíjkostísensorívperetvorûvačívtemperaturinaosnovígeneratorívnaodnoperehídnihtranzistorah AT markolenkopavlo zbílʹšennâčutlivostítaradíacíjnoístíjkostísensorívperetvorûvačívtemperaturinaosnovígeneratorívnaodnoperehídnihtranzistorah AT nazarenkooleksandr zbílʹšennâčutlivostítaradíacíjnoístíjkostísensorívperetvorûvačívtemperaturinaosnovígeneratorívnaodnoperehídnihtranzistorah |
| first_indexed |
2025-09-24T17:30:16Z |
| last_indexed |
2025-09-24T17:30:16Z |
| _version_ |
1850410199760764928 |