Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур

Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур

The paper presents the study results of electrical properties of polycrystalline silicon films in silicon-on-insulator structures and Si whiskers in the temperature range of 4.2 – 70 K obtained by impedance measurements in the frequency range from 10 Hz to 250 kHz and the possibility of their use in...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2014
Автори: Druzhinin, A. A., Osrovskkii, I. P., Khoverko, Yu. M., Koretskyy, R. N.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2014
Теми:
поликремний
нитевидный кристалл
КНИ-структура
диаграмма Найквиста
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.5-6.46
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-302
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-3022025-05-30T19:33:29Z Elements of solid state electronics based on soi-structures and si whiskers for cryogenic temperatures Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур Druzhinin, A. A. Osrovskkii, I. P. Khoverko, Yu. M. Koretskyy, R. N. polysilicon whisker SOI-structure Nyquist diagram поликремний нитевидный кристалл КНИ-структура диаграмма Найквиста The paper presents the study results of electrical properties of polycrystalline silicon films in silicon-on-insulator structures and Si whiskers in the temperature range of 4.2 – 70 K obtained by impedance measurements in the frequency range from 10 Hz to 250 kHz and the possibility of their use in solid-state electronics, functioning at cryogenic temperatures. Characteristics of samples obtained with impedance measurements allow predicting certain specifications of reactive elements of solid state electronics based on polycrystalline and single crystalline silicon, operable at low temperatures. Using the established dependencies, separate elements in the form of solid-state electronics capacitive and inductive elements as well as a combined system in an oscillatory circuit, operable at cryogenic temperatures, have been suggested. The features of developed system depend on the structure of samples and their doping level, which allows changing the required parameters of the elements of solid state electronics in a wide range. Представлены результаты исследования электрофизических свойств поликристаллических пленок кремния в структурах «кремний-на-изоляторе» и нитевидных кристаллов кремния в температурном диапазоне 4,2–70 К, полученные с помощью импедансных измерений в интервале частот от 10 Гц до 250 кГц. Показана возможность их использования в качестве элементов твердотельной электроники, работоспособных при криогенных температурах. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2014-12-24 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.5-6.46 10.15222/TKEA2014.2.46 Technology and design in electronic equipment; No. 5–6 (2014): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 46-50 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5–6 (2014): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 46-50 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.5-6.46/267 Copyright (c) 2014 Druzhinin A. A., Osrovskkii I. P., Khoverko Yu. M., Koretskyy R. N. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-05-30T19:33:29Z
collection OJS
language Ukrainian
topic поликремний
нитевидный кристалл
КНИ-структура
диаграмма Найквиста
spellingShingle поликремний
нитевидный кристалл
КНИ-структура
диаграмма Найквиста
Druzhinin, A. A.
Osrovskkii, I. P.
Khoverko, Yu. M.
Koretskyy, R. N.
Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
topic_facet polysilicon
whisker
SOI-structure
Nyquist diagram
поликремний
нитевидный кристалл
КНИ-структура
диаграмма Найквиста
format Article
author Druzhinin, A. A.
Osrovskkii, I. P.
Khoverko, Yu. M.
Koretskyy, R. N.
author_facet Druzhinin, A. A.
Osrovskkii, I. P.
Khoverko, Yu. M.
Koretskyy, R. N.
author_sort Druzhinin, A. A.
title Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
title_short Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
title_full Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
title_fullStr Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
title_full_unstemmed Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
title_sort элементы твердотельной электроники на основе кни-структур и нитевидных кристаллов si для криогенных температур
title_alt Elements of solid state electronics based on soi-structures and si whiskers for cryogenic temperatures
description The paper presents the study results of electrical properties of polycrystalline silicon films in silicon-on-insulator structures and Si whiskers in the temperature range of 4.2 – 70 K obtained by impedance measurements in the frequency range from 10 Hz to 250 kHz and the possibility of their use in solid-state electronics, functioning at cryogenic temperatures. Characteristics of samples obtained with impedance measurements allow predicting certain specifications of reactive elements of solid state electronics based on polycrystalline and single crystalline silicon, operable at low temperatures. Using the established dependencies, separate elements in the form of solid-state electronics capacitive and inductive elements as well as a combined system in an oscillatory circuit, operable at cryogenic temperatures, have been suggested. The features of developed system depend on the structure of samples and their doping level, which allows changing the required parameters of the elements of solid state electronics in a wide range.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2014
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.5-6.46
work_keys_str_mv AT druzhininaa elementsofsolidstateelectronicsbasedonsoistructuresandsiwhiskersforcryogenictemperatures
AT osrovskkiiip elementsofsolidstateelectronicsbasedonsoistructuresandsiwhiskersforcryogenictemperatures
AT khoverkoyum elementsofsolidstateelectronicsbasedonsoistructuresandsiwhiskersforcryogenictemperatures
AT koretskyyrn elementsofsolidstateelectronicsbasedonsoistructuresandsiwhiskersforcryogenictemperatures
AT druzhininaa élementytverdotelʹnojélektronikinaosnoveknistrukturinitevidnyhkristallovsidlâkriogennyhtemperatur
AT osrovskkiiip élementytverdotelʹnojélektronikinaosnoveknistrukturinitevidnyhkristallovsidlâkriogennyhtemperatur
AT khoverkoyum élementytverdotelʹnojélektronikinaosnoveknistrukturinitevidnyhkristallovsidlâkriogennyhtemperatur
AT koretskyyrn élementytverdotelʹnojélektronikinaosnoveknistrukturinitevidnyhkristallovsidlâkriogennyhtemperatur
first_indexed 2025-09-24T17:30:42Z
last_indexed 2025-09-24T17:30:42Z
_version_ 1850410235452194816

Схожі ресурси