Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
The paper presents the study results of electrical properties of polycrystalline silicon films in silicon-on-insulator structures and Si whiskers in the temperature range of 4.2 – 70 K obtained by impedance measurements in the frequency range from 10 Hz to 250 kHz and the possibility of their use in...
Saved in:
| Date: | 2014 |
|---|---|
| Main Authors: | Druzhinin, A. A., Osrovskkii, I. P., Khoverko, Yu. M., Koretskyy, R. N. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2014
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.5-6.46 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentSimilar Items
-
Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
by: Дружинин, А.А., et al.
Published: (2014) -
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2011) -
Свойства металлических контактов на пленках TiO2, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления
by: Khoverko, Yu. N.
Published: (2010) -
Датчик для измерения криогенных температур на основе нитевидных кристаллов Si-Ge
by: Дружинин, А.А., et al.
Published: (2005) -
Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2019)