Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках

Ge thin films condensation in vacuum onto semiinsulating GaAs(100) substrates was investigated. The methods of atomic-force microscopy, optical spectroscopy, measurement of intrinsic mechanical stresses in film, and electronic properties were used for this investigation. It was found that it is poss...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2014
Hauptverfasser: Venger, E. F., Lytvyn, P. M., Matveeva, L. A., Mitin, V. F., Kholevchuk, V. V.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2014
Schlagworte:
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.4.39
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-313
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-3132025-05-30T19:33:46Z Fabrication, properties and application of Ge-on-GaAs thin nanoheterogeneous films Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках Venger, E. F. Lytvyn, P. M. Matveeva, L. A. Mitin, V. F. Kholevchuk, V. V. Ge films growth rate surface morphology electronic and optical properties intrinsic mechanical stresses пленки германия скорость роста морфология поверхности электронные и оптические свойства внутренние механические напряжения Ge thin films condensation in vacuum onto semiinsulating GaAs(100) substrates was investigated. The methods of atomic-force microscopy, optical spectroscopy, measurement of intrinsic mechanical stresses in film, and electronic properties were used for this investigation. It was found that it is possible to obtain thin nanoheterogeneous monocrystalline dislocation-free films with low intrinsic mechanical stresses and two-dimension percolation-type conductivity, as well as high temperature sensitivity that can be used for IR and electronics technologies. Исследована технология конденсации в вакууме тонких нанонеоднородных пленок Ge на полу­изо­ли­ру­ющие подложки GaAs (100). Использованы методы атомно-силовой микроскопии, оп­ти­чес­кой спектроскопии, измерения внутренних механических напряжений в пленке и ее элек­тро­н­ных свойств. Показана возможность получения тонких нанонеоднородных мо­но­кри­стал­ли­чес­ких бездислокационных пленок с низким уровнем механических напряжений, двумерной пер­ко­ля­ци­он­ной электропроводностью и высокой термической чувствительностью, которые могут быть использованы в ИК и электронной технике. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2014-08-29 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.4.39 10.15222/TKEA2014.4.39 Technology and design in electronic equipment; No. 4 (2014): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 39-44 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 4 (2014): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 39-44 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.4.39/277 Copyright (c) 2014 Venger E. F., Lytvyn P. M., Matveeva L. A., Mitin V. F., Kholevchuk V. V. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-05-30T19:33:46Z
collection OJS
language Ukrainian
topic пленки германия
скорость роста
морфология поверхности
электронные и оптические свойства
внутренние механические напряжения
spellingShingle пленки германия
скорость роста
морфология поверхности
электронные и оптические свойства
внутренние механические напряжения
Venger, E. F.
Lytvyn, P. M.
Matveeva, L. A.
Mitin, V. F.
Kholevchuk, V. V.
Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
topic_facet Ge films
growth rate
surface morphology
electronic and optical properties
intrinsic mechanical stresses
пленки германия
скорость роста
морфология поверхности
электронные и оптические свойства
внутренние механические напряжения
format Article
author Venger, E. F.
Lytvyn, P. M.
Matveeva, L. A.
Mitin, V. F.
Kholevchuk, V. V.
author_facet Venger, E. F.
Lytvyn, P. M.
Matveeva, L. A.
Mitin, V. F.
Kholevchuk, V. V.
author_sort Venger, E. F.
title Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
title_short Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
title_full Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
title_fullStr Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
title_full_unstemmed Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
title_sort получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок ge на gaas-подложках
title_alt Fabrication, properties and application of Ge-on-GaAs thin nanoheterogeneous films
description Ge thin films condensation in vacuum onto semiinsulating GaAs(100) substrates was investigated. The methods of atomic-force microscopy, optical spectroscopy, measurement of intrinsic mechanical stresses in film, and electronic properties were used for this investigation. It was found that it is possible to obtain thin nanoheterogeneous monocrystalline dislocation-free films with low intrinsic mechanical stresses and two-dimension percolation-type conductivity, as well as high temperature sensitivity that can be used for IR and electronics technologies.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2014
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.4.39
work_keys_str_mv AT vengeref fabricationpropertiesandapplicationofgeongaasthinnanoheterogeneousfilms
AT lytvynpm fabricationpropertiesandapplicationofgeongaasthinnanoheterogeneousfilms
AT matveevala fabricationpropertiesandapplicationofgeongaasthinnanoheterogeneousfilms
AT mitinvf fabricationpropertiesandapplicationofgeongaasthinnanoheterogeneousfilms
AT kholevchukvv fabricationpropertiesandapplicationofgeongaasthinnanoheterogeneousfilms
AT vengeref polučeniesvojstvaiprimenenietonkihnanoneodnorodnyhplenokgenagaaspodložkah
AT lytvynpm polučeniesvojstvaiprimenenietonkihnanoneodnorodnyhplenokgenagaaspodložkah
AT matveevala polučeniesvojstvaiprimenenietonkihnanoneodnorodnyhplenokgenagaaspodložkah
AT mitinvf polučeniesvojstvaiprimenenietonkihnanoneodnorodnyhplenokgenagaaspodložkah
AT kholevchukvv polučeniesvojstvaiprimenenietonkihnanoneodnorodnyhplenokgenagaaspodložkah
first_indexed 2025-09-24T17:30:43Z
last_indexed 2025-09-24T17:30:43Z
_version_ 1850410237439246336