Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические пред­по­сы­л­ки

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические пред­по­сы­л­ки

During irradiation of semiconductor crystals with powerful (high current) pulsed high-energy electron beams, a new type of annealing has been obtained. We could obtain new results and to find out physical nature of this phenomenon due to short and powerful bunches of electrons with high energy. Give...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2014
Hauptverfasser: Garkavenko, A. S., Mokritskii, V. A., Banzak, O. V., Zavadskii, V. A.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2014
Schlagworte:
лазер
отжиг
электронный пучок
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.4.50
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-315
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-3152025-05-30T19:33:46Z Ionization annealing of semiconductor crystals. Part one: theoretical background Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические пред­по­сы­л­ки Garkavenko, A. S. Mokritskii, V. A. Banzak, O. V. Zavadskii, V. A. laser annealing electron beam лазер отжиг электронный пучок During irradiation of semiconductor crystals with powerful (high current) pulsed high-energy electron beams, a new type of annealing has been obtained. We could obtain new results and to find out physical nature of this phenomenon due to short and powerful bunches of electrons with high energy. Given its theoretical justification, the new annealing type has been called the "ionization annealing". При облучении полупроводниковых кристаллов мощными (сильноточными) импульсными элек­тро­н­ными пучками высоких энергий получен новый вид отжига, названный авторами «ио­ни­за­ци­о­н­ным», дано его теоретическое обоснование. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2014-08-29 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.4.50 10.15222/TKEA2014.4.50 Technology and design in electronic equipment; No. 4 (2014): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 50-55 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 4 (2014): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 50-55 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.4.50/279 Copyright (c) 2014 Garkavenko A. S., Mokritskii V. A., Banzak O. V., Zavadskii V. A. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-05-30T19:33:46Z
collection OJS
language Ukrainian
topic лазер
отжиг
электронный пучок
spellingShingle лазер
отжиг
электронный пучок
Garkavenko, A. S.
Mokritskii, V. A.
Banzak, O. V.
Zavadskii, V. A.
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические пред­по­сы­л­ки
topic_facet laser
annealing
electron beam
лазер
отжиг
электронный пучок
format Article
author Garkavenko, A. S.
Mokritskii, V. A.
Banzak, O. V.
Zavadskii, V. A.
author_facet Garkavenko, A. S.
Mokritskii, V. A.
Banzak, O. V.
Zavadskii, V. A.
author_sort Garkavenko, A. S.
title Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические пред­по­сы­л­ки
title_short Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические пред­по­сы­л­ки
title_full Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические пред­по­сы­л­ки
title_fullStr Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические пред­по­сы­л­ки
title_full_unstemmed Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические пред­по­сы­л­ки
title_sort ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. часть первая: теоретические пред­по­сы­л­ки
title_alt Ionization annealing of semiconductor crystals. Part one: theoretical background
description During irradiation of semiconductor crystals with powerful (high current) pulsed high-energy electron beams, a new type of annealing has been obtained. We could obtain new results and to find out physical nature of this phenomenon due to short and powerful bunches of electrons with high energy. Given its theoretical justification, the new annealing type has been called the "ionization annealing".
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2014
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.4.50
work_keys_str_mv AT garkavenkoas ionizationannealingofsemiconductorcrystalspartonetheoreticalbackground
AT mokritskiiva ionizationannealingofsemiconductorcrystalspartonetheoreticalbackground
AT banzakov ionizationannealingofsemiconductorcrystalspartonetheoreticalbackground
AT zavadskiiva ionizationannealingofsemiconductorcrystalspartonetheoreticalbackground
AT garkavenkoas ionizacionnyjotžigpoluprovodnikovyhkristallovčastʹpervaâteoretičeskiepredposylki
AT mokritskiiva ionizacionnyjotžigpoluprovodnikovyhkristallovčastʹpervaâteoretičeskiepredposylki
AT banzakov ionizacionnyjotžigpoluprovodnikovyhkristallovčastʹpervaâteoretičeskiepredposylki
AT zavadskiiva ionizacionnyjotžigpoluprovodnikovyhkristallovčastʹpervaâteoretičeskiepredposylki
first_indexed 2025-09-24T17:30:43Z
last_indexed 2025-09-24T17:30:43Z
_version_ 1850410237738090496

Ähnliche Einträge