Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
During irradiation of semiconductor crystals with powerful (high current) pulsed high-energy electron beams, a new type of annealing has been obtained. We could obtain new results and to find out physical nature of this phenomenon due to short and powerful bunches of electrons with high energy. Give...
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | Garkavenko, A. S., Mokritskii, V. A., Banzak, O. V., Zavadskii, V. A. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2014
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.4.50 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
-
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
за авторством: Garkavenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2014) -
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2014) -
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2014) -
Методика диагностики электронных пучков среднего уровня мощности по переходному излучению
за авторством: Vorobyov , G. S., та інші
Опубліковано: (2010) -
Скоростные уравнения экситонного лазера
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011)