Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические пред­по­сы­л­ки

During irradiation of semiconductor crystals with powerful (high current) pulsed high-energy electron beams, a new type of annealing has been obtained. We could obtain new results and to find out physical nature of this phenomenon due to short and powerful bunches of electrons with high energy. Give...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2014
Автори: Garkavenko, A. S., Mokritskii, V. A., Banzak, O. V., Zavadskii, V. A.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2014
Теми:
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.4.50
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment