Buchumschlag

Использование щелевых резонаторов для проектирования усилителя мощности с манипуляцией гармоник

The authors proposed and experimentally verified the power amplifier circuit of inverse class F (F–1) based on GaN transistor NPTB00004, operating at 1,7 GHz. The novelty of this scheme is the application of a three-layer structure based on slot rectangular shaped resonators in the ground plane of t...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2014
Hauptverfasser:	Rassokhina, Yu. V., Krizhanovski, V. G., Kovalenko, V. A., Colantonio, P., Giofre, R.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2014
Schlagworte:	усилитель мощности класс F инверсный класс F (F–1) микрополосковая линия щелевой резонатор
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.2-3.18
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Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

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