Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных по­лу­про­вод­ни­ко­вых структур

Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных по­лу­про­вод­ни­ко­вых структур

When constructing the fast-acting two-channel microwave switch, it is difficult to use p–i–n-diodes due to inertia of processes in such structures at change of control voltage polarity for providing of deep modulation. Under the practical realization of the microwave switches on p–i–n-diodes, the re...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2014
Hauptverfasser: Lavrich, Yu. N., Plaksin, S. V., Kris, V. Ya., Pogorelaya, L. M., Sokolovskiy, I. I.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2014
Schlagworte:
отрицательная дифференциальная проводимость
коммутация
модуляция
СВЧ-мощность
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.2-3.24
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-320
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-3202025-05-30T19:34:08Z Two-channel microwave power switch construction on the basis of electrically active semiconductor structures Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных по­лу­про­вод­ни­ко­вых структур Lavrich, Yu. N. Plaksin, S. V. Kris, V. Ya. Pogorelaya, L. M. Sokolovskiy, I. I. negative differential conductivity commutation modulation microwave power отрицательная дифференциальная проводимость коммутация модуляция СВЧ-мощность When constructing the fast-acting two-channel microwave switch, it is difficult to use p–i–n-diodes due to inertia of processes in such structures at change of control voltage polarity for providing of deep modulation. Under the practical realization of the microwave switches on p–i–n-diodes, the requirements to the operating speed of the output signal and to the frequency range are in conflict with each other.The optimum decision may be to use the bulk (without p–n-junctions) two-electrode semiconductor structures based on the effect of intervalley transfer of electrons (TEDs) and chalcogenide-glass-semiconductors (CGS-diodes) with high operating speed and stability at considerable power levels in the wide frequency band.The paper presents the construction of the two-channel microwave switch in the three-centimetre range of wave lengths based on bulk semiconductor structures having negative differential conductivity (NDC) of N- and S-type, and realizing the functions of peak power modulator on a TED-diode and the switch on a CGS-diode respectively. Разработан быстродействующий двухканальный переключатель СВЧ-мощности в трех­сан­ти­мет­ро­вом диапазоне длин волн с использованием двух объемных полупроводниковых струк­тур с отрицательной дифференциальной проводимостью, обладающих вольт-амперными ха­рак­те­рис­ти­ка­ми N- и S-образной формы. Эти структуры реализуют соответственно функции амплитудного модулятора мощности на диоде Ганна и коммутатора на диоде из халь­ко­ге­нид­но­го стек­ло­об­раз­но­го полупроводника. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2014-06-23 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.2-3.24 10.15222/TKEA2014.2-3.24 Technology and design in electronic equipment; No. 2–3 (2014): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 24-27 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 2–3 (2014): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 24-27 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.2-3.24/284 Copyright (c) 2014 Lavrich Yu. N., Plaksin S. V., Kris V. Ya., Pogorelaya L. M., Sokolovskiy I. I. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-05-30T19:34:08Z
collection OJS
language Ukrainian
topic отрицательная дифференциальная проводимость
коммутация
модуляция
СВЧ-мощность
spellingShingle отрицательная дифференциальная проводимость
коммутация
модуляция
СВЧ-мощность
Lavrich, Yu. N.
Plaksin, S. V.
Kris, V. Ya.
Pogorelaya, L. M.
Sokolovskiy, I. I.
Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных по­лу­про­вод­ни­ко­вых структур
topic_facet negative differential conductivity
commutation
modulation
microwave power
отрицательная дифференциальная проводимость
коммутация
модуляция
СВЧ-мощность
format Article
author Lavrich, Yu. N.
Plaksin, S. V.
Kris, V. Ya.
Pogorelaya, L. M.
Sokolovskiy, I. I.
author_facet Lavrich, Yu. N.
Plaksin, S. V.
Kris, V. Ya.
Pogorelaya, L. M.
Sokolovskiy, I. I.
author_sort Lavrich, Yu. N.
title Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных по­лу­про­вод­ни­ко­вых структур
title_short Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных по­лу­про­вод­ни­ко­вых структур
title_full Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных по­лу­про­вод­ни­ко­вых структур
title_fullStr Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных по­лу­про­вод­ни­ко­вых структур
title_full_unstemmed Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных по­лу­про­вод­ни­ко­вых структур
title_sort двухканальный переключатель свч-мощности на основе электрически активных по­лу­про­вод­ни­ко­вых структур
title_alt Two-channel microwave power switch construction on the basis of electrically active semiconductor structures
description When constructing the fast-acting two-channel microwave switch, it is difficult to use p–i–n-diodes due to inertia of processes in such structures at change of control voltage polarity for providing of deep modulation. Under the practical realization of the microwave switches on p–i–n-diodes, the requirements to the operating speed of the output signal and to the frequency range are in conflict with each other.The optimum decision may be to use the bulk (without p–n-junctions) two-electrode semiconductor structures based on the effect of intervalley transfer of electrons (TEDs) and chalcogenide-glass-semiconductors (CGS-diodes) with high operating speed and stability at considerable power levels in the wide frequency band.The paper presents the construction of the two-channel microwave switch in the three-centimetre range of wave lengths based on bulk semiconductor structures having negative differential conductivity (NDC) of N- and S-type, and realizing the functions of peak power modulator on a TED-diode and the switch on a CGS-diode respectively.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2014
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.2-3.24
work_keys_str_mv AT lavrichyun twochannelmicrowavepowerswitchconstructiononthebasisofelectricallyactivesemiconductorstructures
AT plaksinsv twochannelmicrowavepowerswitchconstructiononthebasisofelectricallyactivesemiconductorstructures
AT krisvya twochannelmicrowavepowerswitchconstructiononthebasisofelectricallyactivesemiconductorstructures
AT pogorelayalm twochannelmicrowavepowerswitchconstructiononthebasisofelectricallyactivesemiconductorstructures
AT sokolovskiyii twochannelmicrowavepowerswitchconstructiononthebasisofelectricallyactivesemiconductorstructures
AT lavrichyun dvuhkanalʹnyjpereklûčatelʹsvčmoŝnostinaosnoveélektričeskiaktivnyhpoluprovodnikovyhstruktur
AT plaksinsv dvuhkanalʹnyjpereklûčatelʹsvčmoŝnostinaosnoveélektričeskiaktivnyhpoluprovodnikovyhstruktur
AT krisvya dvuhkanalʹnyjpereklûčatelʹsvčmoŝnostinaosnoveélektričeskiaktivnyhpoluprovodnikovyhstruktur
AT pogorelayalm dvuhkanalʹnyjpereklûčatelʹsvčmoŝnostinaosnoveélektričeskiaktivnyhpoluprovodnikovyhstruktur
AT sokolovskiyii dvuhkanalʹnyjpereklûčatelʹsvčmoŝnostinaosnoveélektričeskiaktivnyhpoluprovodnikovyhstruktur
first_indexed 2025-09-24T17:30:44Z
last_indexed 2025-09-24T17:30:44Z
_version_ 1850410238483628032

Ähnliche Einträge