Vakiv, N. M., Krukovskii, S. I., Larkin, S. Y., Avksent'ev, A. Y., & Krukovskii, R. S. (2014). Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Vakiv, N. M., S. I. Krukovskii, S. Yu Larkin, A. Yu Avksent'ev, та R. S. Krukovskii. Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах P+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers, 2014.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Vakiv, N. M., et al. Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах P+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers, 2014.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.