Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
The complexity of forming sharp and high-quality boundaries in p+AlGaAs/n-GaAs systems by MOCVD method is caused by differing on 80–120°С optimal crystallization temperature of GaAs layers and n-AlGaAs solid solutions. A method of forming qualitative hetero boundaries under conditions of co...
Gespeichert in:
| Datum: | 2014 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2014
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.2-3.61 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543822432960513 |
|---|---|
| author | Vakiv, N. M. Krukovskii, S. I. Larkin, S. Yu. Avksent'ev, A. Yu. Krukovskii, R. S. |
| author_facet | Vakiv, N. M. Krukovskii, S. I. Larkin, S. Yu. Avksent'ev, A. Yu. Krukovskii, R. S. |
| author_sort | Vakiv, N. M. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2025-05-30T19:34:08Z |
| description | The complexity of forming sharp and high-quality boundaries in p+AlGaAs/n-GaAs systems by MOCVD method is caused by differing on 80–120°С optimal crystallization temperature of GaAs layers and n-AlGaAs solid solutions. A method of forming qualitative hetero boundaries under conditions of continuous growth at changing crystallization temperature from 600–700°C has been developed. It has been determined that the crystallization of p+-AlGaAs: Zn solid solution layer on the surface of n-GaAs:Si layer, with increasing the crystallization temperature in the temperature range of 600–760°C at a rate 8–10 °C/min allows to crystallize sharp impurity boundary between the layers of p- and n-type conductivity. The method of forming sharp hetero boundaries in p-GaAs:Zn/n-GaAs:Si systems can be used for manufacturing wide range of epitaxial structures. |
| first_indexed | 2025-09-24T17:30:45Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-327 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-09-24T17:30:45Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-3272025-05-30T19:34:08Z Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии Vakiv, N. M. Krukovskii, S. I. Larkin, S. Yu. Avksent'ev, A. Yu. Krukovskii, R. S. epitaxial layer gallium arsenide MOCVD heteroboundary rare-earth element doping эпитаксиальный слой арсенид галлия МОС-гидридная эпитаксия гетерограница редкоземельный элемент легирование The complexity of forming sharp and high-quality boundaries in p+AlGaAs/n-GaAs systems by MOCVD method is caused by differing on 80–120°С optimal crystallization temperature of GaAs layers and n-AlGaAs solid solutions. A method of forming qualitative hetero boundaries under conditions of continuous growth at changing crystallization temperature from 600–700°C has been developed. It has been determined that the crystallization of p+-AlGaAs: Zn solid solution layer on the surface of n-GaAs:Si layer, with increasing the crystallization temperature in the temperature range of 600–760°C at a rate 8–10 °C/min allows to crystallize sharp impurity boundary between the layers of p- and n-type conductivity. The method of forming sharp hetero boundaries in p-GaAs:Zn/n-GaAs:Si systems can be used for manufacturing wide range of epitaxial structures. Разработан способ формирования качественных гетерограниц в системе p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОСVD в условиях непрерывного роста при изменении температуры кристаллизации от 600 до 760°С. Установлено, что режим формирования слоя твердого раствора p+-AlGaAs:Zn на поверхности слоя n-GaAs:Si при повышении температуры в указанном интервале со скоростью 8–10°С/мин позволяет получить резкую границу раздела между слоями р- и n-типа проводимости. Такой способ формирования резких гетерограниц в системах р-GaAs:Zn/n-GaAs:Si может быть использован для изготовления широкой номенклатуры эпитаксиальных структур. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2014-06-23 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.2-3.61 10.15222/TKEA2014.2.61 Technology and design in electronic equipment; No. 2–3 (2014): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 61-66 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 2–3 (2014): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 61-66 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.2-3.61/291 Copyright (c) 2014 Vakiv N. M., Krukovskii S. I., Larkin S. Yu., Avksent'ev A. Yu., Krukovskii R. S. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | эпитаксиальный слой арсенид галлия МОС-гидридная эпитаксия гетерограница редкоземельный элемент легирование Vakiv, N. M. Krukovskii, S. I. Larkin, S. Yu. Avksent'ev, A. Yu. Krukovskii, R. S. Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии |
| title | Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии |
| title_alt | Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD |
| title_full | Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии |
| title_fullStr | Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии |
| title_full_unstemmed | Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии |
| title_short | Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии |
| title_sort | формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-algaas/n-gaas методом мос-гидридной эпитаксии |
| topic | эпитаксиальный слой арсенид галлия МОС-гидридная эпитаксия гетерограница редкоземельный элемент легирование |
| topic_facet | epitaxial layer gallium arsenide MOCVD heteroboundary rare-earth element doping эпитаксиальный слой арсенид галлия МОС-гидридная эпитаксия гетерограница редкоземельный элемент легирование |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.2-3.61 |
| work_keys_str_mv | AT vakivnm sharpinterfacesinpalgaasngaasepitaxialstructuresobtainedbymocvd AT krukovskiisi sharpinterfacesinpalgaasngaasepitaxialstructuresobtainedbymocvd AT larkinsyu sharpinterfacesinpalgaasngaasepitaxialstructuresobtainedbymocvd AT avksentevayu sharpinterfacesinpalgaasngaasepitaxialstructuresobtainedbymocvd AT krukovskiirs sharpinterfacesinpalgaasngaasepitaxialstructuresobtainedbymocvd AT vakivnm formirovanierezkihgranicrazdelavépitaksialʹnyhstrukturahpalgaasngaasmetodommosgidridnojépitaksii AT krukovskiisi formirovanierezkihgranicrazdelavépitaksialʹnyhstrukturahpalgaasngaasmetodommosgidridnojépitaksii AT larkinsyu formirovanierezkihgranicrazdelavépitaksialʹnyhstrukturahpalgaasngaasmetodommosgidridnojépitaksii AT avksentevayu formirovanierezkihgranicrazdelavépitaksialʹnyhstrukturahpalgaasngaasmetodommosgidridnojépitaksii AT krukovskiirs formirovanierezkihgranicrazdelavépitaksialʹnyhstrukturahpalgaasngaasmetodommosgidridnojépitaksii |