Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии

The complexity of forming sharp and high-quality boundaries in p+AlGaAs/n-GaAs systems by MOCVD method is caused by differing on 80–120°С optimal crystallization temperature of GaAs layers and n-AlGaAs solid solutions. A method of forming qualitative hetero boundaries under conditions of co...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2014
Hauptverfasser: Vakiv, N. M., Krukovskii, S. I., Larkin, S. Yu., Avksent'ev, A. Yu., Krukovskii, R. S.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2014
Schlagworte:
эпитаксиальный слой
арсенид галлия
МОС-гидридная эпитаксия
гетерограница
редкоземельный элемент
легирование
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.2-3.61
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-327
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-3272025-05-30T19:34:08Z Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии Vakiv, N. M. Krukovskii, S. I. Larkin, S. Yu. Avksent'ev, A. Yu. Krukovskii, R. S. epitaxial layer gallium arsenide MOCVD heteroboundary rare-earth element doping эпитаксиальный слой арсенид галлия МОС-гидридная эпитаксия гетерограница редкоземельный элемент легирование The complexity of forming sharp and high-quality boundaries in p+AlGaAs/n-GaAs systems by MOCVD method is caused by differing on 80–120°С optimal crystallization temperature of GaAs layers and n-AlGaAs solid solutions. A method of forming qualitative hetero boundaries under conditions of continuous growth at changing crystallization temperature from 600–700°C has been developed. It has been determined that the crystallization of p+-AlGaAs: Zn solid solution layer on the surface of n-GaAs:Si layer, with increasing the crystallization temperature in the temperature range of 600–760°C at a rate 8–10 °C/min allows to crystallize sharp impurity boundary between the layers of p- and n-type conductivity. The method of forming sharp hetero boundaries in p-GaAs:Zn/n-GaAs:Si systems can be used for manufacturing wide range of epitaxial structures. Разработан способ формирования качественных гетерограниц в системе p+-AlGaAs/n-GaAs ме­то­дом МОСVD в условиях непрерывного роста при изменении температуры кри­с­тал­ли­за­ции от 600 до 760°С. Установлено, что режим формирования слоя твердого раствора p+-AlGaAs:Zn на поверхности слоя n-GaAs:Si при повышении температуры в указанном ин­тер­ва­ле со скоростью 8–10°С/мин позволяет получить резкую границу раздела между слоями р- и n-типа проводимости. Такой способ формирования резких гетерограниц в системах р-GaAs:Zn/n-GaAs:Si может быть использован для изготовления широкой номенклатуры эпи­так­си­а­ль­ных структур. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2014-06-23 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.2-3.61 10.15222/TKEA2014.2.61 Technology and design in electronic equipment; No. 2–3 (2014): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 61-66 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 2–3 (2014): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 61-66 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.2-3.61/291 Copyright (c) 2014 Vakiv N. M., Krukovskii S. I., Larkin S. Yu., Avksent'ev A. Yu., Krukovskii R. S. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-05-30T19:34:08Z
collection OJS
language Ukrainian
topic эпитаксиальный слой
арсенид галлия
МОС-гидридная эпитаксия
гетерограница
редкоземельный элемент
легирование
spellingShingle эпитаксиальный слой
арсенид галлия
МОС-гидридная эпитаксия
гетерограница
редкоземельный элемент
легирование
Vakiv, N. M.
Krukovskii, S. I.
Larkin, S. Yu.
Avksent'ev, A. Yu.
Krukovskii, R. S.
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
topic_facet epitaxial layer
gallium arsenide
MOCVD
heteroboundary
rare-earth element
doping
эпитаксиальный слой
арсенид галлия
МОС-гидридная эпитаксия
гетерограница
редкоземельный элемент
легирование
format Article
author Vakiv, N. M.
Krukovskii, S. I.
Larkin, S. Yu.
Avksent'ev, A. Yu.
Krukovskii, R. S.
author_facet Vakiv, N. M.
Krukovskii, S. I.
Larkin, S. Yu.
Avksent'ev, A. Yu.
Krukovskii, R. S.
author_sort Vakiv, N. M.
title Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
title_short Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
title_full Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
title_fullStr Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
title_full_unstemmed Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
title_sort формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-algaas/n-gaas методом мос-гидридной эпитаксии
title_alt Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD
description The complexity of forming sharp and high-quality boundaries in p+AlGaAs/n-GaAs systems by MOCVD method is caused by differing on 80–120°С optimal crystallization temperature of GaAs layers and n-AlGaAs solid solutions. A method of forming qualitative hetero boundaries under conditions of continuous growth at changing crystallization temperature from 600–700°C has been developed. It has been determined that the crystallization of p+-AlGaAs: Zn solid solution layer on the surface of n-GaAs:Si layer, with increasing the crystallization temperature in the temperature range of 600–760°C at a rate 8–10 °C/min allows to crystallize sharp impurity boundary between the layers of p- and n-type conductivity. The method of forming sharp hetero boundaries in p-GaAs:Zn/n-GaAs:Si systems can be used for manufacturing wide range of epitaxial structures.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2014
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.2-3.61
work_keys_str_mv AT vakivnm sharpinterfacesinpalgaasngaasepitaxialstructuresobtainedbymocvd
AT krukovskiisi sharpinterfacesinpalgaasngaasepitaxialstructuresobtainedbymocvd
AT larkinsyu sharpinterfacesinpalgaasngaasepitaxialstructuresobtainedbymocvd
AT avksentevayu sharpinterfacesinpalgaasngaasepitaxialstructuresobtainedbymocvd
AT krukovskiirs sharpinterfacesinpalgaasngaasepitaxialstructuresobtainedbymocvd
AT vakivnm formirovanierezkihgranicrazdelavépitaksialʹnyhstrukturahpalgaasngaasmetodommosgidridnojépitaksii
AT krukovskiisi formirovanierezkihgranicrazdelavépitaksialʹnyhstrukturahpalgaasngaasmetodommosgidridnojépitaksii
AT larkinsyu formirovanierezkihgranicrazdelavépitaksialʹnyhstrukturahpalgaasngaasmetodommosgidridnojépitaksii
AT avksentevayu formirovanierezkihgranicrazdelavépitaksialʹnyhstrukturahpalgaasngaasmetodommosgidridnojépitaksii
AT krukovskiirs formirovanierezkihgranicrazdelavépitaksialʹnyhstrukturahpalgaasngaasmetodommosgidridnojépitaksii
first_indexed 2025-09-24T17:30:45Z
last_indexed 2025-09-24T17:30:45Z
_version_ 1850410239479775232

Ähnliche Einträge