Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии

• Date: 2014
• Main Authors: Vakiv, N. M., Krukovskii, S. I., Larkin, S. Yu., Avksent'ev, A. Yu., Krukovskii, R. S.
• Format: Article
• Language: Ukrainian
• Published: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2014
• Subjects: эпитаксиальный слой; арсенид галлия; МОС-гидридная эпитаксия; гетерограница; редкоземельный элемент; легирование
• Online Access: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.2-3.61
• Journal Title: Technology and design in electronic equipment

The complexity of forming sharp and high-quality boundaries in p+AlGaAs/n-GaAs systems by MOCVD method is caused by differing on 80–120°С optimal crystallization temperature of GaAs layers and n-AlGaAs solid solutions. A method of forming qualitative hetero boundaries under conditions of co...