Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии

• Дата: 2014
• Автори: Vakiv, N. M., Krukovskii, S. I., Larkin, S. Yu., Avksent'ev, A. Yu., Krukovskii, R. S.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2014
• Теми: эпитаксиальный слой; арсенид галлия; МОС-гидридная эпитаксия; гетерограница; редкоземельный элемент; легирование
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.2-3.61
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The complexity of forming sharp and high-quality boundaries in p+AlGaAs/n-GaAs systems by MOCVD method is caused by differing on 80–120°С optimal crystallization temperature of GaAs layers and n-AlGaAs solid solutions. A method of forming qualitative hetero boundaries under conditions of co...