Вольт-амперні характеристики діодів Шотткі на основі гетероструктури графен/n-Si

The authors investigated the electrical properties of graphene/n-Si Schottky diode heterostructures obtained by mechanical exfoliation of graphite to thin-layer graphene in an aqueous solution of polyvinylpyrrolidone as a result of the dynamics of the dispersed graphite mixture under the action of a...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2023
Автори:	Koziarskyi, Ivan, Ilashchuk, Mykola, Orletskyi, Ivan, Koziarskyi, Dmytro, Myroniuk, Liliia, Myroniuk, Denys, Ievtushenko, Arsenii, Danylenko, Ihor, Maistruk, Eduard
Формат:	Стаття
Мова:	Ukrainian
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2023
Теми:	діоди Шотткі гетероструктури кількашаровий графен/n-Si електричні властивості
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2023.1-2.03
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

id	oai:tkea.com.ua:article-33
record_format	ojs
spelling	oai:tkea.com.ua:article-332025-08-11T09:08:46Z I-V-characteristics of Schottky diodes based on graphene/n-Si heterostructures Вольт-амперні характеристики діодів Шотткі на основі гетероструктури графен/n-Si Koziarskyi, Ivan Ilashchuk, Mykola Orletskyi, Ivan Koziarskyi, Dmytro Myroniuk, Liliia Myroniuk, Denys Ievtushenko, Arsenii Danylenko, Ihor Maistruk, Eduard Schottky diodes heterostructures low-layer graphene/n-Si electrical properties діоди Шотткі гетероструктури кількашаровий графен/n-Si електричні властивості The authors investigated the electrical properties of graphene/n-Si Schottky diode heterostructures obtained by mechanical exfoliation of graphite to thin-layer graphene in an aqueous solution of polyvinylpyrrolidone as a result of the dynamics of the dispersed graphite mixture under the action of a mechanical blender. The graphene/n-Si structures differed in terms of duration of applying graphene films on n-Si substrates: 5, 10 and 15 min. The temperature of the substrates did not exceed 250°C. The formation of graphene layers was confirmed by the study of Raman scattering spectra in the frequency range of 1000–3250 cm–1, which show G and 2D bands with the features characteristic of low-layer graphene. The dependence of the electrical properties of the investigated surface-barrier graphene/n-Si structures on the duration of sputtering of graphene films was established. It was found that the value of the contact potential difference φk was 1.35, 1.32 and 1.27 V and the series resistance at room temperature was 3.4·106, 3.4·103 and 3.7·103 Ω for structures with the duration of graphene layer deposition 5, 10 and 15 min, respectively. The formation of both forward and reverse currents was dominated by the tunneling of charge carriers through the potential barrier. Діоди Шотткі на основі гетероструктури графен/n-Si були отримані методом механічного відшарування графіту до кількашарового графену у водному розчині полівінілпіролідону внаслідок гідродинамічних явищ в розчині диспергованого графіту. Досліджувалися електричні властивості структур, які відрізнялися тривалістю нанесення плівок графену на пластини n-Si. Температура пластин не перевищувала 250°C. Утворення шарів графену підтверджено дослідженням спектрів комбінаційного розсіювання в діапазоні частот 1000–3250 см–1, де проявляються смуги G і 2D з особливостями, характерними для кількашарового графену. Встановлено залежність електричних властивостей досліджуваних поверхнево-бар’єрних структур графен/n-Si від тривалості напилення плівок графену. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2023-12-19 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2023.1-2.03 10.15222/TKEA2023.1-2.03 Technology and design in electronic equipment; No. 1–2 (2023): Technology and design in electronic equipment; 3-8 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 1–2 (2023): Технологія та конструювання в електронній апаратурі; 3-8 3083-6549 3083-6530 10.15222/TKEA2023.1-2 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2023.1-2.03/27 Copyright (c) 2023 Ivan Koziarskyi, Mykola Ilashchuk, Ivan Orletskyi, Dmytro Koziarskyi, Liliia Myroniuk, Denys Myroniuk, Arsenii Ievtushenko, Ihor Danylenko, Eduard Maistruk http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution	Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date	2025-08-11T09:08:46Z
collection	OJS
language	Ukrainian
topic	діоди Шотткі гетероструктури кількашаровий графен/n-Si електричні властивості
spellingShingle	діоди Шотткі гетероструктури кількашаровий графен/n-Si електричні властивості Koziarskyi, Ivan Ilashchuk, Mykola Orletskyi, Ivan Koziarskyi, Dmytro Myroniuk, Liliia Myroniuk, Denys Ievtushenko, Arsenii Danylenko, Ihor Maistruk, Eduard Вольт-амперні характеристики діодів Шотткі на основі гетероструктури графен/n-Si
topic_facet	Schottky diodes heterostructures low-layer graphene/n-Si electrical properties діоди Шотткі гетероструктури кількашаровий графен/n-Si електричні властивості
format	Article
author	Koziarskyi, Ivan Ilashchuk, Mykola Orletskyi, Ivan Koziarskyi, Dmytro Myroniuk, Liliia Myroniuk, Denys Ievtushenko, Arsenii Danylenko, Ihor Maistruk, Eduard
author_facet	Koziarskyi, Ivan Ilashchuk, Mykola Orletskyi, Ivan Koziarskyi, Dmytro Myroniuk, Liliia Myroniuk, Denys Ievtushenko, Arsenii Danylenko, Ihor Maistruk, Eduard
author_sort	Koziarskyi, Ivan
title	Вольт-амперні характеристики діодів Шотткі на основі гетероструктури графен/n-Si
title_short	Вольт-амперні характеристики діодів Шотткі на основі гетероструктури графен/n-Si
title_full	Вольт-амперні характеристики діодів Шотткі на основі гетероструктури графен/n-Si
title_fullStr	Вольт-амперні характеристики діодів Шотткі на основі гетероструктури графен/n-Si
title_full_unstemmed	Вольт-амперні характеристики діодів Шотткі на основі гетероструктури графен/n-Si
title_sort	вольт-амперні характеристики діодів шотткі на основі гетероструктури графен/n-si
title_alt	I-V-characteristics of Schottky diodes based on graphene/n-Si heterostructures
description	The authors investigated the electrical properties of graphene/n-Si Schottky diode heterostructures obtained by mechanical exfoliation of graphite to thin-layer graphene in an aqueous solution of polyvinylpyrrolidone as a result of the dynamics of the dispersed graphite mixture under the action of a mechanical blender. The graphene/n-Si structures differed in terms of duration of applying graphene films on n-Si substrates: 5, 10 and 15 min. The temperature of the substrates did not exceed 250°C. The formation of graphene layers was confirmed by the study of Raman scattering spectra in the frequency range of 1000–3250 cm–1, which show G and 2D bands with the features characteristic of low-layer graphene. The dependence of the electrical properties of the investigated surface-barrier graphene/n-Si structures on the duration of sputtering of graphene films was established. It was found that the value of the contact potential difference φk was 1.35, 1.32 and 1.27 V and the series resistance at room temperature was 3.4·106, 3.4·103 and 3.7·103 Ω for structures with the duration of graphene layer deposition 5, 10 and 15 min, respectively. The formation of both forward and reverse currents was dominated by the tunneling of charge carriers through the potential barrier.
publisher	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate	2023
url	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2023.1-2.03
work_keys_str_mv	AT koziarskyiivan ivcharacteristicsofschottkydiodesbasedongraphenensiheterostructures AT ilashchukmykola ivcharacteristicsofschottkydiodesbasedongraphenensiheterostructures AT orletskyiivan ivcharacteristicsofschottkydiodesbasedongraphenensiheterostructures AT koziarskyidmytro ivcharacteristicsofschottkydiodesbasedongraphenensiheterostructures AT myroniukliliia ivcharacteristicsofschottkydiodesbasedongraphenensiheterostructures AT myroniukdenys ivcharacteristicsofschottkydiodesbasedongraphenensiheterostructures AT ievtushenkoarsenii ivcharacteristicsofschottkydiodesbasedongraphenensiheterostructures AT danylenkoihor ivcharacteristicsofschottkydiodesbasedongraphenensiheterostructures AT maistrukeduard ivcharacteristicsofschottkydiodesbasedongraphenensiheterostructures AT koziarskyiivan volʹtamperníharakteristikidíodívšottkínaosnovígeterostrukturigrafennsi AT ilashchukmykola volʹtamperníharakteristikidíodívšottkínaosnovígeterostrukturigrafennsi AT orletskyiivan volʹtamperníharakteristikidíodívšottkínaosnovígeterostrukturigrafennsi AT koziarskyidmytro volʹtamperníharakteristikidíodívšottkínaosnovígeterostrukturigrafennsi AT myroniukliliia volʹtamperníharakteristikidíodívšottkínaosnovígeterostrukturigrafennsi AT myroniukdenys volʹtamperníharakteristikidíodívšottkínaosnovígeterostrukturigrafennsi AT ievtushenkoarsenii volʹtamperníharakteristikidíodívšottkínaosnovígeterostrukturigrafennsi AT danylenkoihor volʹtamperníharakteristikidíodívšottkínaosnovígeterostrukturigrafennsi AT maistrukeduard volʹtamperníharakteristikidíodívšottkínaosnovígeterostrukturigrafennsi
first_indexed	2025-09-24T17:30:16Z
last_indexed	2025-09-24T17:30:16Z
_version_	1850410200141398016

Вольт-амперні характеристики діодів Шотткі на основі гетероструктури графен/n-Si

Репозитарії

Схожі ресурси