Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трех­мер­ной интеграции кристаллов

Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трех­мер­ной интеграции кристаллов

Plasma etch process for thought-silicon via (TSV) formation is one of the most important technological operations in the field of metal connections' creation between stacked circuits in 3D assemble technology. TSV formation strongly depends on parameters such as Si-wafer thickness, aspect ratio...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2014
Hauptverfasser: Golishnikov, А. А., Putrya, M. G.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2014
Schlagworte:
процесс глубокого травления кремния
сквозные отверстия в кремнии
TSV
источник трансформаторно-связанной плазмы
технология трехмерной интеграции кристаллов
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.1.36
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-332
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-3322025-05-30T19:34:43Z Development of deep silicon plasma etching for 3D integration technology Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трех­мер­ной интеграции кристаллов Golishnikov, А. А. Putrya, M. G. deep silicon plasma etching through-silicon via transformer coupled plasma source 3D integration technology процесс глубокого травления кремния сквозные отверстия в кремнии TSV источник трансформаторно-связанной плазмы технология трехмерной интеграции кристаллов Plasma etch process for thought-silicon via (TSV) formation is one of the most important technological operations in the field of metal connections' creation between stacked circuits in 3D assemble technology. TSV formation strongly depends on parameters such as Si-wafer thickness, aspect ratio, type of metallization material, etc. The authors investigate a deep silicon plasma etch process for formation of TSV with controllable profile. The influence of process parameters on plasma etch rate, silicon etch selectivity to photoresist and the structure profile are researched in this paper. Technology with etch and passivation steps alternation was used as a method of deep silicon plasma etching. Experimental tool «Platrane-100» with high-density plasma reactor based on high-frequency ion source with transformer coupled plasma was used for deep silicon plasma etching. As actuation gases for deep silicon etching were chosen, the following gases: SF6 was used for the etch stage and CHF3 was applied on the polymerization stage. As a result of research, the deep plasma etch process has been developed with the following parameters: silicon etch rate 6 µm/min, selectivity to photoresist 60 and structure profile 90±2°. This process provides formation of TSV 370 µm deep and about 120 µm in diameter. Исследованы зависимости технологических характеристик процесса глубокого травления кре­м­ния от его операционных параметров. Разработан и оптимизирован процесс глубокого пла­з­ме­н­но­го травления кре­м­ния для создания сквозных отверстий с управляемым профилем. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2014-02-25 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.1.36 10.15222/TKEA2014.1.36 Technology and design in electronic equipment; No. 1 (2014): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 36-41 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 1 (2014): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 36-41 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.1.36/296 Copyright (c) 2014 Golishnikov А. А., Putrya M.G. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-05-30T19:34:43Z
collection OJS
language Ukrainian
topic процесс глубокого травления кремния
сквозные отверстия в кремнии
TSV
источник трансформаторно-связанной плазмы
технология трехмерной интеграции кристаллов
spellingShingle процесс глубокого травления кремния
сквозные отверстия в кремнии
TSV
источник трансформаторно-связанной плазмы
технология трехмерной интеграции кристаллов
Golishnikov, А. А.
Putrya, M. G.
Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трех­мер­ной интеграции кристаллов
topic_facet deep silicon plasma etching
through-silicon via
transformer coupled plasma source
3D integration technology
процесс глубокого травления кремния
сквозные отверстия в кремнии
TSV
источник трансформаторно-связанной плазмы
технология трехмерной интеграции кристаллов
format Article
author Golishnikov, А. А.
Putrya, M. G.
author_facet Golishnikov, А. А.
Putrya, M. G.
author_sort Golishnikov, А. А.
title Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трех­мер­ной интеграции кристаллов
title_short Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трех­мер­ной интеграции кристаллов
title_full Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трех­мер­ной интеграции кристаллов
title_fullStr Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трех­мер­ной интеграции кристаллов
title_full_unstemmed Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трех­мер­ной интеграции кристаллов
title_sort разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трех­мер­ной интеграции кристаллов
title_alt Development of deep silicon plasma etching for 3D integration technology
description Plasma etch process for thought-silicon via (TSV) formation is one of the most important technological operations in the field of metal connections' creation between stacked circuits in 3D assemble technology. TSV formation strongly depends on parameters such as Si-wafer thickness, aspect ratio, type of metallization material, etc. The authors investigate a deep silicon plasma etch process for formation of TSV with controllable profile. The influence of process parameters on plasma etch rate, silicon etch selectivity to photoresist and the structure profile are researched in this paper. Technology with etch and passivation steps alternation was used as a method of deep silicon plasma etching. Experimental tool «Platrane-100» with high-density plasma reactor based on high-frequency ion source with transformer coupled plasma was used for deep silicon plasma etching. As actuation gases for deep silicon etching were chosen, the following gases: SF6 was used for the etch stage and CHF3 was applied on the polymerization stage. As a result of research, the deep plasma etch process has been developed with the following parameters: silicon etch rate 6 µm/min, selectivity to photoresist 60 and structure profile 90±2°. This process provides formation of TSV 370 µm deep and about 120 µm in diameter.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2014
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.1.36
work_keys_str_mv AT golishnikovaa developmentofdeepsiliconplasmaetchingfor3dintegrationtechnology
AT putryamg developmentofdeepsiliconplasmaetchingfor3dintegrationtechnology
AT golishnikovaa razrabotkaprocessaglubokogoplazmennogotravleniâkremniâdlâtehnologiitrehmernojintegraciikristallov
AT putryamg razrabotkaprocessaglubokogoplazmennogotravleniâkremniâdlâtehnologiitrehmernojintegraciikristallov
first_indexed 2025-09-24T17:30:45Z
last_indexed 2025-09-24T17:30:45Z
_version_ 1850410240105775104

Ähnliche Einträge