Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
Plasma etch process for thought-silicon via (TSV) formation is one of the most important technological operations in the field of metal connections' creation between stacked circuits in 3D assemble technology. TSV formation strongly depends on parameters such as Si-wafer thickness, aspect ratio...
Gespeichert in:
| Datum: | 2014 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Golishnikov, А. А., Putrya, M. G. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2014
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.1.36 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
von: Голишников, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Голишников, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
von: Boltovets, M. S., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Boltovets, M. S., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Система фотометрического контроля скорости травления тонких диэлектрических пленок
von: Semyonova, S. E., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Semyonova, S. E., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
von: Fedorovich, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Fedorovich, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Изменение свойств пленок кремнийорганических стекол после термической и плазмохимической обработок
von: Ivanchykau, A. E., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Ivanchykau, A. E., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
von: Rubtsevich, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Rubtsevich, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Монтаж микросборок с подложкой из кремния
von: Spirin, V. G.
Veröffentlicht: (2005)
von: Spirin, V. G.
Veröffentlicht: (2005)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Semenov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Semenov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Способ электродугового восстановления кремния
von: Solovyov, O. V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Solovyov, O. V., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Выращивание крупногабаритных монокристаллов вольфрамата кадмия с высокой оптической однородностью
von: Solskii, I. M.
Veröffentlicht: (2005)
von: Solskii, I. M.
Veröffentlicht: (2005)
Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Газоанализаторы на основе пористого карбида кремния
von: Moskovchenko, N. N., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Moskovchenko, N. N., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Высокочастотные разряды низкого давления в технологии малоэнергоемкого вакуумно-плазменного травления микроструктур
von: Фареник, В.И.
Veröffentlicht: (2004)
von: Фареник, В.И.
Veröffentlicht: (2004)
Применение феррогранатовых эпитаксиальных структур в сверхвысокочастотной электронике
von: Yushchuk, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Yushchuk, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Получение тонких пленок Si3N4 при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
von: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Допустимые преобразования мер
von: Габриелян, С.С.
Veröffentlicht: (2005)
von: Габриелян, С.С.
Veröffentlicht: (2005)
Гильбертово пространство мер
von: Зеракидзе, З.С.
Veröffentlicht: (1986)
von: Зеракидзе, З.С.
Veröffentlicht: (1986)
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
von: Болтовец, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Болтовец, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2009)
О связи целочисленных марковских мер и мер с независимыми значениями
von: Баховец, Е.Б.
Veröffentlicht: (1987)
von: Баховец, Е.Б.
Veröffentlicht: (1987)
Оптоэлектронные свойства тонких пленок гидрогенизированного аморфного кремния-углерода и нанокристаллического кремния
von: Najafov, B. A., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Najafov, B. A., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Пределы аналитических векторных мер
von: Романов, В.А.
Veröffentlicht: (1992)
von: Романов, В.А.
Veröffentlicht: (1992)
Слабые базисы векторных мер
von: Романов, В.А.
Veröffentlicht: (2007)
von: Романов, В.А.
Veröffentlicht: (2007)
Моделирование трехмерной вихревой структуры
von: Васин, П.А., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Васин, П.А., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Высокоэффективные катодные элементы для газоразрядных источников света
von: Sevastyanov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Sevastyanov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Вторичный эталон яркости на базе галогенной лампы с рассеивателем
von: Mikheenko, L. А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Mikheenko, L. А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Моделирование термоэлектрического микрогенератора с каталитическим источником тепла на газовом топливе
von: Strutynska, L. T.
Veröffentlicht: (2008)
von: Strutynska, L. T.
Veröffentlicht: (2008)
Самовозбуждение крутильных колебаний колонн глубокого бурения
von: Гуляев, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Гуляев, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Квазистатические критические состояния колонн глубокого бурения
von: Гуляев, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Гуляев, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления
von: Дяденчук, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Дяденчук, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Эксплуатационные показатели качества транспортной телекоммуникационной первичной сети Украины
von: Bondarenko, O. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Bondarenko, O. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Термоэлектрический источник питания для электронного медицинского термометра
von: Anatychuk, L. I., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Anatychuk, L. I., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Автоматизированная диагностика химических источников тока
von: Dzenzerskiy, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Dzenzerskiy, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
АВТОМАТИЧЕСКОЕ УПРАВЛЕНИЕ ВНЕШНИМ МАГНИТНЫМ ПОЛЕМ ТЕХНИЧЕСКИХ ОБЪЕКТОВ
von: Розов, В.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Розов, В.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2010)
ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ В ВЫХОДНЫХ ЦЕПЯХ ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ, РАБОТАЮЩЕГО НА НЕСТАЦИОНАРНУЮ ТЕХНОЛОГИЧЕСКУЮ НАГРУЗКУ
von: Руденко, Ю.В.
Veröffentlicht: (2013)
von: Руденко, Ю.В.
Veröffentlicht: (2013)
Источник питания для контактной микросварки с программируемой формой сварочного импульса
von: Paerand, Yu. E., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Paerand, Yu. E., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Исследования и разработка технологических систем на базе ВЧ индукционного разряда для реактивного ионно-плазменного травления микро- и наноструктур
von: Дудин, С.В.
Veröffentlicht: (2009)
von: Дудин, С.В.
Veröffentlicht: (2009)
ОСОБЛИВОСТІ ПРОЦЕСІВ ЗМІНИ ВИХІДНОЇ НАПРУГИ РЕГУЛЯТОРІВ СПРЯМЛЕНОГО СТРУМУ, ПОБУДОВАНИХ НА ОСНОВІ ТРАНСФОРМАТОРНО-КЛЮЧОВИХ ВИКОНАВЧИХ СТРУКТУР
von: Липківський , К.О., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Липківський , К.О., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Кинетика сегрегации в хромоникелевых сталях при интенсив-ной пластической деформации
von: Стефанович, Л.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Стефанович, Л.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Канонические функции допустимых мер в полуплоскости
von: Малютин, К.Г., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Малютин, К.Г., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Бифуркации и мультистабильность колебаний трехмерной системы
von: Мартынюк, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Мартынюк, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Ähnliche Einträge
-
Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
von: Голишников, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
von: Boltovets, M. S., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Система фотометрического контроля скорости травления тонких диэлектрических пленок
von: Semyonova, S. E., et al.
Veröffentlicht: (2006) -
Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
von: Fedorovich, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Изменение свойств пленок кремнийорганических стекол после термической и плазмохимической обработок
von: Ivanchykau, A. E., et al.
Veröffentlicht: (2009)