Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трех­мер­ной интеграции кристаллов

• Datum: 2014
• Hauptverfasser: Golishnikov, А. А., Putrya, M. G.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2014
• Schlagworte: процесс глубокого травления кремния; сквозные отверстия в кремнии; TSV; источник трансформаторно-связанной плазмы; технология трехмерной интеграции кристаллов
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.1.36
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

Plasma etch process for thought-silicon via (TSV) formation is one of the most important technological operations in the field of metal connections' creation between stacked circuits in 3D assemble technology. TSV formation strongly depends on parameters such as Si-wafer thickness, aspect ratio...