Вольт-амперні характеристики діодів Шотткі на основі гетероструктури графен/n-Si

• Datum: 2023
• Hauptverfasser: Koziarskyi, Ivan, Ilashchuk, Mykola, Orletskyi, Ivan, Koziarskyi, Dmytro, Myroniuk, Liliia, Myroniuk, Denys, Ievtushenko, Arsenii, Danylenko, Ihor, Maistruk, Eduard
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2023
• Schlagworte: діоди Шотткі; гетероструктури; кількашаровий графен/n-Si; електричні властивості
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2023.1-2.03
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The authors investigated the electrical properties of graphene/n-Si Schottky diode heterostructures obtained by mechanical exfoliation of graphite to thin-layer graphene in an aqueous solution of polyvinylpyrrolidone as a result of the dynamics of the dispersed graphite mixture under the action of a...