Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
Silicon p–i–n-structures are usually obtained using conventional diffusion method or liquid phase epitaxy (LPE). In both cases, the formation of p- and n-layers occurs in two stages. This technological approach is quite complex. Moreover, when forming bilateral high-voltage epitaxial layers, their p...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2013
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.6.41 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543828757970944 |
|---|---|
| author | Vakiv, N. M. Krukovsky, S. I. Tymchyshyn, V. R. Vas'kiv, A. P. |
| author_facet | Vakiv, N. M. Krukovsky, S. I. Tymchyshyn, V. R. Vas'kiv, A. P. |
| author_sort | Vakiv, N. M. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2025-05-30T19:35:01Z |
| description | Silicon p–i–n-structures are usually obtained using conventional diffusion method or liquid phase epitaxy (LPE). In both cases, the formation of p- and n-layers occurs in two stages. This technological approach is quite complex. Moreover, when forming bilateral high-voltage epitaxial layers, their parameters significantly deteriorate as a result of prolonged heat treatment of active high-resistivity layer. Besides, when using diffusion method, it is impossible to provide good reproducibility of the process. In this paper, a technique of growing bilateral high-voltage silicon p–i–n-structures by LPE in a single process is proposed. The authors have obtained the optimum compounds of silicon-undersaturated molten solutions for highly doped (5.1018 cm–3) contact layers: 0.4–0.8 at. % aluminium in gallium melt for growing p-Si-layers and 0.03–0.15 at. % ytterbium in tin melt for n-Si-layers. Parameters of such structures provide for manufacturing of high-voltage diodes on their basis. Such diodes can be used in navigational equipment, communication systems for household and special purposes, on-board power supply systems, radar systems, medical equipment, etc. |
| first_indexed | 2025-09-24T17:30:47Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-344 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-09-24T17:30:47Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-3442025-05-30T19:35:01Z Obtaining of bilateral high voltage epitaxial p–i–n Si structures by LPE method Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ Vakiv, N. M. Krukovsky, S. I. Tymchyshyn, V. R. Vas'kiv, A. P. epitaxial layer liquid-phase epitaxy rare-earth element dopping эпитаксиальный слой жидкофазная эпитаксия редкоземельный элемент легирование Silicon p–i–n-structures are usually obtained using conventional diffusion method or liquid phase epitaxy (LPE). In both cases, the formation of p- and n-layers occurs in two stages. This technological approach is quite complex. Moreover, when forming bilateral high-voltage epitaxial layers, their parameters significantly deteriorate as a result of prolonged heat treatment of active high-resistivity layer. Besides, when using diffusion method, it is impossible to provide good reproducibility of the process. In this paper, a technique of growing bilateral high-voltage silicon p–i–n-structures by LPE in a single process is proposed. The authors have obtained the optimum compounds of silicon-undersaturated molten solutions for highly doped (5.1018 cm–3) contact layers: 0.4–0.8 at. % aluminium in gallium melt for growing p-Si-layers and 0.03–0.15 at. % ytterbium in tin melt for n-Si-layers. Parameters of such structures provide for manufacturing of high-voltage diodes on their basis. Such diodes can be used in navigational equipment, communication systems for household and special purposes, on-board power supply systems, radar systems, medical equipment, etc. Разработана технология выращивания двухсторонних высоковольтных кремниевых p–i–n-структур методом жидкофазной эпитаксии в едином технологическом процессе. Электрофизические параметры полученных структур позволяют изготавливать на их основе высоковольтные диоды. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2013-12-19 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.6.41 10.15222/TKEA2013.6.41 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2013): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 41-45 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2013): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 41-45 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.6.41/307 Copyright (c) 2013 Vakiv N. M., Krukovsky S. I., Tymchyshyn V. R., Vas’kiv A. P. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | эпитаксиальный слой жидкофазная эпитаксия редкоземельный элемент легирование Vakiv, N. M. Krukovsky, S. I. Tymchyshyn, V. R. Vas'kiv, A. P. Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ |
| title | Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ |
| title_alt | Obtaining of bilateral high voltage epitaxial p–i–n Si structures by LPE method |
| title_full | Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ |
| title_fullStr | Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ |
| title_full_unstemmed | Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ |
| title_short | Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ |
| title_sort | получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом жфэ |
| topic | эпитаксиальный слой жидкофазная эпитаксия редкоземельный элемент легирование |
| topic_facet | epitaxial layer liquid-phase epitaxy rare-earth element dopping эпитаксиальный слой жидкофазная эпитаксия редкоземельный элемент легирование |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.6.41 |
| work_keys_str_mv | AT vakivnm obtainingofbilateralhighvoltageepitaxialpinsistructuresbylpemethod AT krukovskysi obtainingofbilateralhighvoltageepitaxialpinsistructuresbylpemethod AT tymchyshynvr obtainingofbilateralhighvoltageepitaxialpinsistructuresbylpemethod AT vaskivap obtainingofbilateralhighvoltageepitaxialpinsistructuresbylpemethod AT vakivnm polučeniedvuhstoronnihvysokovolʹtnyhépitaksialʹnyhkremnievyhpinstrukturmetodomžfé AT krukovskysi polučeniedvuhstoronnihvysokovolʹtnyhépitaksialʹnyhkremnievyhpinstrukturmetodomžfé AT tymchyshynvr polučeniedvuhstoronnihvysokovolʹtnyhépitaksialʹnyhkremnievyhpinstrukturmetodomžfé AT vaskivap polučeniedvuhstoronnihvysokovolʹtnyhépitaksialʹnyhkremnievyhpinstrukturmetodomžfé |