Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
The author suggests using the etching method MacEtch (metal-assisted chemical etching) for production of micro- and nanostructures of porous silicon. The paper presents research results on the morphology structures obtained at different parameters of deposition and etching processes. The research ha...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2013
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.6.52 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543828643676160 |
|---|---|
| author | Iatsunskyi, I. R. |
| author_facet | Iatsunskyi, I. R. |
| author_sort | Iatsunskyi, I. R. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2025-07-08T15:42:12Z |
| description | The author suggests using the etching method MacEtch (metal-assisted chemical etching) for production of micro- and nanostructures of porous silicon. The paper presents research results on the morphology structures obtained at different parameters of deposition and etching processes. The research has shown that, depending on the parameters of deposition of silver particles and silicon wafers etching, the obtained surface morphology may be different. There may be both individual crater-like pores and developed porous or macroporous surface. These results indicate that the MacEtch etching is a promising method for obtaining microporous silicon nanostructures suitable for effective use in gas sensors and biological object sensors. |
| first_indexed | 2025-09-24T17:30:47Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-346 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-09-24T17:30:47Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-3462025-07-08T15:42:12Z Obtaining porous silicon suitable for sensor technology using MacEtch nonelectrolytic etching Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch Iatsunskyi, I. R. porous silicon nonelectrolytic etching пористый кремний неэлектролитическое (химическое) травление The author suggests using the etching method MacEtch (metal-assisted chemical etching) for production of micro- and nanostructures of porous silicon. The paper presents research results on the morphology structures obtained at different parameters of deposition and etching processes. The research has shown that, depending on the parameters of deposition of silver particles and silicon wafers etching, the obtained surface morphology may be different. There may be both individual crater-like pores and developed porous or macroporous surface. These results indicate that the MacEtch etching is a promising method for obtaining microporous silicon nanostructures suitable for effective use in gas sensors and biological object sensors. Для получения микро- и наноструктур пористого кремния предлагается использовать метод неэлектролитического травления MacEtch (metal assisted chemical etching). Представлены результаты исследования морфологии структур, полученных при разных параметрах процессов осаждения и травления, и показана возможность их использования в качестве сенсоров газов и биологических объектов. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2013-12-19 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.6.52 10.15222/TKEA2013.6.52 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2013): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 52-56 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2013): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 52-56 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.6.52/309 Copyright (c) 2013 Iatsunskyi I. R. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | пористый кремний неэлектролитическое (химическое) травление Iatsunskyi, I. R. Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch |
| title | Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch |
| title_alt | Obtaining porous silicon suitable for sensor technology using MacEtch nonelectrolytic etching |
| title_full | Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch |
| title_fullStr | Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch |
| title_full_unstemmed | Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch |
| title_short | Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch |
| title_sort | получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления macetch |
| topic | пористый кремний неэлектролитическое (химическое) травление |
| topic_facet | porous silicon nonelectrolytic etching пористый кремний неэлектролитическое (химическое) травление |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.6.52 |
| work_keys_str_mv | AT iatsunskyiir obtainingporoussiliconsuitableforsensortechnologyusingmacetchnonelectrolyticetching AT iatsunskyiir polučenieprigodnogodlâsensorikiporistogokremniâmetodomneélektrolitičeskogotravleniâmacetch |