Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch

Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch

The author suggests using the etching method MacEtch (metal-assisted chemical etching) for production of micro- and nanostructures of porous silicon. The paper presents research results on the morphology structures obtained at different parameters of deposition and etching processes. The research ha...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2013
1. Verfasser: Iatsunskyi, I. R.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2013
Schlagworte:
пористый кремний
неэлектролитическое (химическое) травление
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.6.52
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-346
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-3462025-07-08T15:42:12Z Obtaining porous silicon suitable for sensor technology using MacEtch nonelectrolytic etching Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch Iatsunskyi, I. R. porous silicon nonelectrolytic etching пористый кремний неэлектролитическое (химическое) травление The author suggests using the etching method MacEtch (metal-assisted chemical etching) for production of micro- and nanostructures of porous silicon. The paper presents research results on the morphology structures obtained at different parameters of deposition and etching processes. The research has shown that, depending on the parameters of deposition of silver particles and silicon wafers etching, the obtained surface morphology may be different. There may be both individual crater-like pores and developed porous or macroporous surface. These results indicate that the MacEtch etching is a promising method for obtaining microporous silicon nanostructures suitable for effective use in gas sensors and biological object sensors. Для получения микро- и наноструктур пористого кремния предлагается использовать метод неэлектролитического травления MacEtch (metal assisted chemical etching). Представлены результаты исследования морфологии структур, полученных при разных параметрах процессов осаждения и травления, и показана возможность их использования в качестве сенсоров газов и биологических объектов. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2013-12-19 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.6.52 10.15222/TKEA2013.6.52 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2013): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 52-56 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2013): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 52-56 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.6.52/309 Copyright (c) 2013 Iatsunskyi I. R. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-07-08T15:42:12Z
collection OJS
language Ukrainian
topic пористый кремний
неэлектролитическое (химическое) травление
spellingShingle пористый кремний
неэлектролитическое (химическое) травление
Iatsunskyi, I. R.
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
topic_facet porous silicon
nonelectrolytic etching
пористый кремний
неэлектролитическое (химическое) травление
format Article
author Iatsunskyi, I. R.
author_facet Iatsunskyi, I. R.
author_sort Iatsunskyi, I. R.
title Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
title_short Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
title_full Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
title_fullStr Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
title_full_unstemmed Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
title_sort получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления macetch
title_alt Obtaining porous silicon suitable for sensor technology using MacEtch nonelectrolytic etching
description The author suggests using the etching method MacEtch (metal-assisted chemical etching) for production of micro- and nanostructures of porous silicon. The paper presents research results on the morphology structures obtained at different parameters of deposition and etching processes. The research has shown that, depending on the parameters of deposition of silver particles and silicon wafers etching, the obtained surface morphology may be different. There may be both individual crater-like pores and developed porous or macroporous surface. These results indicate that the MacEtch etching is a promising method for obtaining microporous silicon nanostructures suitable for effective use in gas sensors and biological object sensors.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2013
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.6.52
work_keys_str_mv AT iatsunskyiir obtainingporoussiliconsuitableforsensortechnologyusingmacetchnonelectrolyticetching
AT iatsunskyiir polučenieprigodnogodlâsensorikiporistogokremniâmetodomneélektrolitičeskogotravleniâmacetch
first_indexed 2025-09-24T17:30:47Z
last_indexed 2025-09-24T17:30:47Z
_version_ 1850410241976434688

Ähnliche Einträge