Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния

The article presents the design of a pressure-temperature sensor based on p-type silicon whiskers, doped with boron, with a resistivity of 0,005 Ohm?cm. The sensor is operable in a temperature range from –100 to +200°C and at pressures from 0 to 20 MPa. The sensor is designed for a wide range of app...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2013
Автори: Druzhinin, A. A., Kutrakov, A. P., Liakh-Kaguy, N. S., Vuitsyk, A. M.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2013
Теми:
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.4.23
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment