Buchumschlag

Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния

The article presents the design of a pressure-temperature sensor based on p-type silicon whiskers, doped with boron, with a resistivity of 0,005 Ohm?cm. The sensor is operable in a temperature range from –100 to +200°C and at pressures from 0 to 20 MPa. The sensor is designed for a wide range of app...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2013
Hauptverfasser:	Druzhinin, A. A., Kutrakov, A. P., Liakh-Kaguy, N. S., Vuitsyk, A. M.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2013
Schlagworte:	нитевидные кристаллы кремний датчик температура давление
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.4.23
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Система измерения магнитного поля и температуры с цифровой обработкой сигнала
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
von: Druzhinin, А. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Датчик для измерения криогенных температур на основе нитевидных кристаллов Si-Ge
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Трехпараметрический генераторный датчик
von: Filinyuk, M. A., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
von: Kulinich, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Датчик скорости газового потока
von: Godovaniouk, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Інформаційно-вимірювальна система на базі датчиків з тензорезисторами на основі мікрокристалів кремнію
von: Druzhinin, A. O., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
von: Turtsevich, A. S.
Veröffentlicht: (2008)

Технологии изготовления фотонных кристаллов
von: Berezianskyi, B. M.
Veröffentlicht: (2007)

ЛАЗЕРНЫЙ ДАТЧИК ВИБРАЦИЙ, ОСНОВАННЫЙ НА ЧАСТОТНО-ФАЗОВОМ МЕТОДЕ ИЗМЕРЕНИЯ РАССТОЯНИЙ
von: Брагинец, И.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Механические свойства нитевидных кристаллов HfB₂
von: Дуб, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Датчик угла поворота генераторного типа с элементом на поверхностных акустических волнах
von: Lepikh, Ya. I.
Veröffentlicht: (2009)

Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
von: Iatsunskyi, I. R.
Veröffentlicht: (2013)

Первичные преобразователи давления криогенных жидкостей
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Магнитокоммутируемая микросхема и датчик измерения скорости ветра на ее основе
von: Kasimov, F. D., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Полуактивный радиочастотный датчик контроля расхода электроэнергии
von: Lishchinskaya, L. B., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Газовий датчик NH3 на основі гетероструктур PbS/CdS, що працює в умовах кімнатної температури
von: Prokopenko, S. L., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»
von: Kondrik, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
von: Golishnikov, А. А., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi2Te3 в процессе их хранения
von: Aliyeva, A. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Измерение температуры с использованием оптических датчиков на основе двулучепреломляющих кристаллов
von: Gaba, V. M.
Veröffentlicht: (2009)

Газовий датчик на основі нанорозмірних напівпровідникових гетероструктур ZnS/CdS, що працює при кімнатній температурі
von: Prokopenko, S. L., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Волоконно-оптичний датчик для контролю параметрів повітряних ліній електропередачі
von: Лежнюк, П.Д., et al.
Veröffentlicht: (2024)

УДОСКОНАЛЕННЯ АЛГОРИТМУ РОЗРАХУНКУ ТЕМПЕРАТУРИ КВАЗІЛІНІЙНОГО РЕЗИСТИВНОГО ТЕРМОДАТЧИКА PT100
von: Герасименко, І.В., et al.
Veröffentlicht: (2023)

Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
von: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Первичные преобразователи для микродатчиков ускорения и давления на алмазных материалах
von: Altuchov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Датчик углекислого газа на основе пленки поликристаллического кремния
von: Агаев, Ф.Г.
Veröffentlicht: (2001)